【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种非挥发性存储器，至少包括第一导电类型基底；第二导电类型第一掺杂区、第二导电类型第二掺杂区以及第二导电类型第三掺杂区，设置于该第一导电类型基底中，其中该第二导电类型第二掺杂区位于该第二导电类型第一掺杂区与该第二导电类型第三 掺杂区之间；第一栅极结构，设置于该第二导电类型第一掺杂区与该第二导电类型第二掺杂区之间的该第一导电类型基底上，第二栅极结构，设置于该第二导电类型第二掺杂区与该第二导电类型第三掺杂区之间的该第一导电类型基底上；第二导电 类型第一浅掺杂区，位于该第一栅极结构下方邻接该第二导电类型第一掺杂区的该第一导电类型基底中；以及第二导电类型第二浅掺杂区，位于该第二栅极结构下方邻接该第二导电类型第三掺杂区的该第一导电类型基底中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘志拯，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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