形成纳米级导电结构的方法及由此形成的半导体器件技术

一种形成纳米级结构的方法，包括提供一衬底，在其上具有第一层，该第一层具有露出衬底区域的开口，以及将衬底与催化材料接触，其中该衬底的露出区域具有吸引催化材料的第一性能，以及该第一层具有排斥催化材料的第二性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及一种形成纳米级导电结构的方法及由此形成的半导体器件。更具体，本专利技术的实施例涉及一种使用催化剂形成纳米级结构的方法。
技术介绍
纳米级导电结构如碳纳米管、硅纳米线等等可以显示出优异的电、热和强度特性，由此可以适用于各种电子器件。为了实现这种纳米级导电结构，必须仅仅在希望的区域上有选择地形成纳米级导电结构。但是，这种选择性形成可能是复杂的，以及可能需要被执行的大量工序。由此，需要一种简化的方法形成纳米级导电结构。
技术实现思路
因此本专利技术涉及一种形成纳米级导电结构的方法及由此形成的半导体器件，该半导体器件基本上克服由于相关技术的限制和缺点的一个或多个问题。因此本专利技术的实施例的特点是提供一种在衬底上的开口中有选择地形成催化剂的方法。因此本专利技术的实施例的特点是提供一种在层中的开口中有选择地形成催化剂的方法，该方法包括改进该层的表面性能。因此本专利技术的实施例的另一特点是提供一种半导体器件，包括在衬底上的开口中有选择地纳米级导电结构。通过提供一种形成纳米级结构的方法，可以实现本专利技术的以上及其他特点和优点的至少一个，该方法包括提供一衬底，在其上具有第一层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成纳米级结构的方法，包括：提供一衬底，在其上具有第一层，该第一层具有露出衬底区域的开口；以及将衬底与催化材料接触，其中：衬底的露出区域具有吸引催化材料的第一性能，以及该第一层具有排斥催化材料的第二性能。

【技术特征摘要】
KR 2006-4-25 10-2006-00373151.一种形成纳米级结构的方法，包括提供一衬底，在其上具有第一层，该第一层具有露出衬底区域的开口；以及将衬底与催化材料接触，其中衬底的露出区域具有吸引催化材料的第一性能，以及该第一层具有排斥催化材料的第二性能。2.如权利要求1所述的方法，还包括，在将衬底与催化材料接触之前，处理第一层，以便使第一层具有第二性能。3.如权利要求2所述的方法，其中处理第一层包括在第一层上形成疏水性保护层。4.如权利要求3所述的方法，其中形成疏水性保护层包括将表面调节剂与第一层接触，以便该表面调节剂的官能团键合到第一层。5.如权利要求4所述的方法，其中该表面调节剂的官能团包括NH2、COOH、CONH2、SH、SiCl3、SiOC2H5、SiOCH3的一种或多种。6.如权利要求4所述的方法，其中该第一层包括氧化层。7.如权利要求3所述的方法，其中该催化材料包括在其中具有催化剂颗粒的亲水性溶剂。8.如权利要求3所述的方法，其中该催化材料包括在其中具有催化前体的亲水性溶剂。9.如权利要求8所述的方法，其中该催化前体包括有机金属前体。10.如权利要求1所述的方法，其中该衬底的露出区域是亲水性的，该第一层是疏水性的，以及该催化材料是亲水性的。11.如权利要求10所述的方法，其中该催化材料包括在其中具有催化剂颗粒的亲水性溶剂。12.如权利要求11所述的方法，其中该亲水性溶剂包括水。13.如权利要求11所述的方法，其中该亲水性溶剂包括聚合物。14.如权利要求13所述的方法，其中该聚合物包括聚乙烯醇、吡咯烷酮-基聚合物、聚甲基丙烯酸甲...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏布拉马尼安马亚科拉克，李善雨，吕寅硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]