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一种形成纳米级结构的方法，包括提供一衬底，在其上具有第一层，该第一层具有露出衬底区域的开口，以及将衬底与催化材料接触，其中该衬底的露出区域具有吸引催化材料的第一性能，以及该第一层具有排斥催化材料的第二性能。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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