半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供如下技术方案：从衬底剥离通过比较低温（低于５００℃）的步骤而制造的元件，并将其转置到柔性衬底（典型为塑料膜）上。在本发明专利技术中，使用常规的大型玻璃衬底用制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜（Ｍｏ膜）并在其表面上形成氧化膜，并且在钼膜及其表面上通过比较低温（低于５００℃）的步骤而制造的元件，然后从玻璃衬底剥离该元件，并将其转置到柔性衬底上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有由薄膜晶体管(以下称作TFT)构成的电路的半导体装置以及其制造方法。例如，本专利技术涉及一种电子设备，在其上安装有以液晶显示面板为代表的电光学装置或具有有机发光元件的发光显示装置，作为其部件。注意，在本说明书中，“半导体装置”是指一种通过利用半导体特性来发挥功能的所有装置，亦即，电光学装置、半导体电路和电子设备均属于半导体装置。
技术介绍
近年来，通过使用形成于具有绝缘表面的衬底之上的半导体薄膜(厚度大约从几nm到几百nm)来构成薄膜晶体管(TFT)的技术正受到关注。薄膜晶体管在诸如IC和电光学装置的电子装置中获得了广泛应用，特别地，正在加快开发作为图像显示装置的开关元件的薄膜晶体管。就采用这种图像显示装置的应用而言，已提出了各种应用方法。特别地，已关注了对便携式设备的使用。尽管目前广泛采用了玻璃衬底和石英衬底，但存在容易破裂和笨重的缺点。另外，在进行大量生产的情况下，玻璃衬底和石英衬底难以大型化，且这些对此不适合。因此，已试图在具有柔性的衬底上、典型地在具有柔性的塑料膜上形成TFT元件。于是，提出了一种技术方案，其中将形成在玻璃衬底上的元件从衬底剥离，然后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成钼膜；在所述钼膜上形成氧化钼膜；在所述氧化钼膜上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成具有非晶结构的半导体膜；从所述衬底分离所述绝缘膜及所述具有非晶结构的半导体膜；以及在所述分离之后，将所述绝缘膜及所述具有非晶结构的半导体膜配置到柔性衬底上。

【技术特征摘要】
JP 2006-4-28 2006-1267081.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤在衬底上形成钼膜；在所述钼膜上形成氧化钼膜；在所述氧化钼膜上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成具有非晶结构的半导体膜；从所述衬底分离所述绝缘膜及所述具有非晶结构的半导体膜；以及在所述分离之后，将所述绝缘膜及所述具有非晶结构的半导体膜配置到柔性衬底上。2.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，其中，所述钼膜形成为与所述衬底接触。3.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，其中，所述氧化钼膜形成为与所述钼膜接触。4.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，其中，还包括如下步骤在所述分离之前，部分地进行激光照射。5.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，其中，所述衬底从包括玻璃衬底、陶瓷衬底和石英衬底的组中选择。6.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤在衬底上形成钼膜；在所述钼膜上形成氧化钼膜；在所述氧化钼膜上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成具有有机化合物的半导体膜；从所述衬底分离所述绝缘膜及所述具有有机化合物的半导体膜；以及在所述分离之后，将所述绝缘膜及所述具有有机化合物的半导体膜配置到柔性衬底上。7.根据权利要求6的半导体装置的制造方法，其中，所述钼膜形成为与所述衬底接触。8.根据权利要求6的半导体装置的制造方法，其中，所述氧化钼膜形成为与所述钼膜接触。9.根据权利要求6的半导体装置的制造方法，其中，还包括如下步骤在所述分离之前，部分地进行激光照射。10.根据权利要求6的半导体装置的制造方法，其中，所述衬底从包括玻璃衬底、陶瓷衬底和石英衬底的组中选择。11.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤在衬底上形成钼膜；在所述钼膜上形成氧化钼膜；在所述氧化钼膜上形成绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：丸山纯矢，神保安弘，小路博信，桑原秀明，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]