【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于表面清洗(cleaning)的方法、器件制造方法、清洗组件、清洗装置以及光刻装置。
技术介绍
光刻装置是可在衬底、通常是衬底的目标部分上施加所需图案的机器。光刻装置例如可用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可采用图案形成装置来产生将形成于IC的单个层上的电路图案，该图案形成装置也称为掩模或分划板。该图案可被转移到衬底(如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个管芯、或者一个管芯的一部分)上。图案的转移通常借助于成像到设于衬底上的一层辐射敏感材料(光刻胶)上来实现。通常来说，单个衬底包含被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性地曝光在目标部分上来照射各目标部分，还包括所谓的扫描器，其中通过沿给定方向(“扫描”方向)由辐射束来扫描图案并以平行于或反向平行于此方向的方向同步地扫描衬底来照射各目标部分。还可以通过将图案压印在衬底上来将图案从图案形成装置转移到衬底上。尽管光刻装置通常在超净室内操作，并且常常用清洗空气进行吹洗，但是，确实会产生对装置的污染，并且根据污染的类型和位置而会导致不同...
【技术保护点】
一种用于清洗表面的方法，所述方法包括： 利用污染物释放装置将污染物从所述表面上至少部分地释放；以及 利用污染物去除装置来捕获已被至少部分地释放的所述污染物，所述污染物去除装置产生至少一个用于收集已被至少部分地释放的污染物的光阱。
【技术特征摘要】
US 2006-4-28 11/4132161.一种用于清洗表面的方法，所述方法包括利用污染物释放装置将污染物从所述表面上至少部分地释放；以及利用污染物去除装置来捕获已被至少部分地释放的所述污染物，所述污染物去除装置产生至少一个用于收集已被至少部分地释放的污染物的光阱。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述污染物释放装置构造成通过对所述表面和污染物施加流体、液体、等离子体、电磁场、辐射束和粒子束中的至少一种来处理所述表面和污染物。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述污染物释放装置包括激光器，其将用于释放微粒的辐射束引导至待清洗表面上，以便至少消融和/或热脱离其上的污染物。4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述至少一个光阱通过光学镊子和/或光学扳手来形成。5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述污染物去除装置产生至少一个聚焦的激光辐射束，以便提供所述至少一个光阱。6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述污染物释放装置和/或所述污染物去除装置构造成将轨道角动量转移到所述污染物上。7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述污染物释放装置和所述污染物去除装置由同一清洗装置提供，所述清洗装置构造成可产生至少一个光阱，以便将轨道角动量转移到至少一个污染物上，并捕获至少一个污染物。8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，所述至少一个光阱沿着所述表面移动，而无需事先获得和/或获得所述表面上的污染物微粒的位置坐标。9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其特征在于，所述至少一个光阱沿着所述表面移动，使得所述至少一个光阱在某一清洗周期内到达所述表面的基本上每一部分，并且使得所述至少一个光阱能遇到可能存在于所述表面上或其附近的一个或多个污染物微粒。10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其特征在于，所述污染物释放装置对所述表面的一个或多个部分进行处理，以便至少部分地释放污染物，其中，所述至少一个光阱移动至已由所述污染物释放装置处理过的每个表面部分上或其附近，以便捕获所述被至少部分地释放的污染物。11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其特征在于，所述至少一个光阱从至少第一位置移动至第二位置，以便传输被所述光阱收集的微粒，和/或使微粒移动脱离所述表面。12.一种用于清洗表面的方法，所述方法包括沿着所述表面移动至少一个光阱，以便至少部分地释放和/或捕获污染物微粒，而无需知道这些微粒的位置坐标。13.一种器件制造方法，包括将图案从图案形成装置转移到衬底上；和产生至少一个光阱，以便以光学方式来释放、收集和/或捕获微粒。14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述微粒定位在所述图案形成装置上或其附近，并且/或者定位在所述衬底上或其附近，并且，所述至少一个光阱分别地在所述图案形成装置上或其附近形成并且/或者在所述衬底上或其附近形成。15.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，所述方法还包括利用投影系统将图案化的辐射束投射到所述衬底上，其中，所述微粒定位在所述投影系统...
【专利技术属性】
技术研发人员：M辛格，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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