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本发明提供如下技术方案：从衬底剥离通过比较低温（低于５００℃）的步骤而制造的元件，并将其转置到柔性衬底（典型为塑料膜）上。在本发明中，使用常规的大型玻璃衬底用制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜（Ｍｏ膜）并在其表面上形成氧化膜，并且在钼膜及其表面...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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