带加热器的静电吸盘以及带加热器的静电吸盘的制造方法技术

本发明专利技术提供吸附特性、热均匀性和耐绝缘破坏性优良的带加热器的静电吸盘。带加热器的静电吸盘（１）具备由包含氧化铝的烧结体做成的基体（２）、在基体中的上侧设置的ＥＳＣ电极（３）、埋在基体中的下侧而设置的电阻发热体（４），基体由从ＥＳＣ电极到基体的上表面（２ａ）的电介质层（２１）、从ＥＳＣ电极到基体的下表面（２ｂ）的支撑部件（２２）构成。支撑部件在与电介质层相接的ＥＳＣ电极附近区域（２２ａ）和比该ＥＳＣ电极附近区域（２２ａ）更下方的下方区域（２２ｂ）的碳含量不同，电介质层中的碳含量在１００ｗｔｐｐｍ以下，ＥＳＣ电极附近区域的碳含量在０．１３ｗｔ％以下，下方区域的碳含量在０．０３ｗｔ％以上，并且，该ＥＳＣ电极附近区域的碳含量比下方区域的碳含量更小。电阻发热体（４）含有铌或铂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造工艺等中所用的带加热器的静电吸盘以及带 加热器的静电吸盘的制造方法。技术背景原来，在制造半导体器件等时，对半导体晶片进行成膜或刻蚀等表面处理。该表面处理中保持半导体晶片的装置之一为静电吸盘(Electrostatic Chuck)。 该静电吸盘具有放置并保持半导体晶片等基板的基板放置面，通过与放置在该 基板放置面上的半导体晶片之间产生的静电力来保持该半导体晶片。该静电吸 盘有利用库仑力作为静电力的种类。此外，作为该静电吸盘的一种，有具备加热器，可加热半导体晶片的带加热器的静电吸盘。在库仑型带加热器的静电吸盘的代表例子中，具备由陶瓷做成的基体。在 该基体的内部，设有用于在与放置在基板放置面的基板之间产生静电力的静电 吸盘电极(以下称为'ESC电极，)、以及用于加热基板的电阻发热体。此外， 基体的上表面形成放置有晶片等基板的基板放置面。这样，从上述基体中的 ESC电极到基板放置面的部分形成电介质层，从ESC电极到基体的下表面的 部分形成支撑部件(例如，参照专利文献1)。库仑型静电吸盘是利用^:置在 静电吸盘的电介质层表面的基板和静电吸盘的ESC电极之间产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带加热器的静电吸盘，具备由包含氧化铝的烧结体构成的基体、在该基体中的上部一侧设置的静电吸盘电极、在基体中的下部一侧埋入设置的电阻发热体，所述基体由从静电吸盘电极到基体上表面的电介质层、从静电吸盘电极到基体下表面的支撑部件构成，其特征在于，所述支撑部件在与所述电介质层相接的静电吸盘电极附近区域和比该静电吸盘电极附近区域更下方的下方区域的碳含量不同，所述电介质层中的碳含量在１００ｗｔｐｐｍ以下，所述支撑部件的所述静电吸盘电极附近区域的碳含量在０．１３ｗ ｔ％以下，所述支撑部件的所述下方区域的碳含量在０．０３ｗｔ％以上，并且，所述静电吸盘电极附近区域...

【技术特征摘要】
JP 2006-8-22 2006-2258131.一种带加热器的静电吸盘，具备由包含氧化铝的烧结体构成的基体、在该基体中的上部一侧设置的静电吸盘电极、在基体中的下部一侧埋入设置的电阻发热体，所述基体由从静电吸盘电极到基体上表面的电介质层、从静电吸盘电极到基体下表面的支撑部件构成，其特征在于，所述支撑部件在与所述电介质层相接的静电吸盘电极附近区域和比该静电吸盘电极附近区域更下方的下方区域的碳含量不同，所述电介质层中的碳含量在100wtppm以下，所述支撑部件的所述静电吸盘电极附近区域的碳含量在0.13wt％以下，所述支撑部件的所述下方...

【专利技术属性】
技术研发人员：曻和宏，川尻哲也，服部亮誉，森冈育久，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]