【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制程，尤其涉及晶片的氧化层厚度检测。技术背景由于晶片表层对氧分子有高的亲和力，所以将晶片表面爆露在含氧的气氛 下，很容易形成一层氧化层。目前普遍采用的方法是将晶片置于炉管中，再升 到适当温度，通入氧气或水蒸气等含氧的气体，便可以在晶片上生长一层与硅 材料附着性良好，且绝缘性佳的二氧化硅。通常需要检测栅氧化层厚度判断工艺是否达到标准。目前在炉管区域对栅氧化层厚度的检测方法是在晶舟的上中下各摆放一片控片，并在工艺结束后 量测控片上氧化层的厚度。此方法的缺点在于当晶舟上摆满晶片的时候，炉管中部和下部的控片上 表面将面对的是晶片的背面，对于一些特殊制程的产品，晶片的背面不同的薄 膜将会对控片的厚度造成不同的影响。例如，0.18微米制程的晶片，其晶片背 面是一层氮化硅薄膜(Si3N4)，由于氮化硅薄膜对氧气有排斥作用，因此当控片的 上面摆放晶片时，控片上二氣化硅的生长速度会变慢，控片上氧化层的厚度也 会变薄，从而导致测量不精确。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供，其可 以有效提高检测精度。为实现上述目的，本专利技术提高氧化层厚度检测精度的装置包括一个炉管， 一个晶舟，数个晶片和至少一个控片，晶片和控片均排列放置在晶舟上，所述 控片相邻的上方还设置一个挡片。本专利技术还提供一种提高氧化层厚度检测精度的方法包括将承载数个晶片和至少一个控片的晶舟装入炉管内；该方法还包括如下步骤在装入炉管之前， 每个与晶片相邻的控片上方放置一个挡片。与现有技术相比，本专利技术中设置在控片上方的挡片可以有效防止晶片下表 面的薄膜在氧化过程中影响控片氧化层的生长...
【技术保护点】
一种提高氧化层厚度检测精度的装置，包括一个炉管，一个晶舟，数个晶片和至少一个控片，晶片和控片均排列放置在晶舟上；其特征在于：所述控片相邻的上方还设置一个挡片。
【技术特征摘要】
1、一种提高氧化层厚度检测精度的装置，包括一个炉管，一个晶舟，数个晶片和至少一个控片，晶片和控片均排列放置在晶舟上；其特征在于所述控片相邻的上方还设置一个挡片。2、 如权利要求1所述的提高氧化层厚度检测精度的方法，其特征在于所述挡 片上下表面均为氧化硅(Si02)。3、 一种提高氧化层厚度冲t测精度的方法，包括将承栽数个晶片和至少一个控片 的晶舟装入炉管...
【专利技术属性】
技术研发人员：翟志刚，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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