一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法技术

一种ｐ－ＧａＮ低阻欧姆接触的制备方法，涉及一种ｐ型氮化镓（ｐ－ＧａＮ）。提供一种ｐ－ＧａＮ低阻欧姆接触的制备方法。将（０００１）取向的蓝宝石衬底装入反应室，在Ｈ↓［２］气氛下对衬底热处理，降温对衬底氮化处理；降温生长ＧａＮ缓冲层，升温使ＧａＮ缓冲层重新结晶；外延生长ＧａＮ层；降温生长掺镁ＧａＮ层；再降温生长５个周期的ｐ－ＩｎＧａＮ／ｐ－ＡｌＧａＮ超晶格层；在５个周期的ｐ－ＩｎＧａＮ／ｐ－Ａｌ－ＧａＮ超晶格层上再生长ｐ－ＩｎＧａＮ盖层。结果表明采用ｐ－ＩｎＧａＮ／ｐ－ＡｌＧａＮ超晶格作顶层可以获得更低的比接触电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种p型氮化镓(p-GaN)，尤其是涉及一种用p-AlGaN/p-InGaN超晶格作为 顶层的p-GaN低阻欧姆接触的制备方法。
技术介绍
近年来，宽阱带半导体材料GaN基由于其在短波长发光器件、光探测器件以及抗辐射、 高频和大功率器件方面有广泛的应用前景而备受关注,发展十分迅速。而这些器件都涉及到P 型欧姆接触，但良好的P型欧姆接触一直是制约其进一步发展的主要因素之一。GaN基材料 的低阻P型欧姆接触主要受到以下两个方面的制约缺乏合适的接触金属材料，p-GaN材料 的功函数很大(7.5eV)，而功函数最大的金属Pt也只有5.65eV;很难获得高浓度P型掺杂 GaN基材料(p型GaN浓度〉10cm—3);除此之外，金属化工艺(包括表面处理，金属沉积 和合金化处理)的条件也会影响p-GaN的接触电阻。目前国内外工业化生长p型GaN基材料大都采用MOCVD中掺Mg，再置于N2气氛中在 700 80(TC下退火的方法，获得l(^cm—3量级较低的空穴浓度，而且此方法由Nakamura等人 提出来的(Nakamura S , Iwata N , Senoh M , et a本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ｐ－ＧａＮ低阻欧姆接触的制备方法，其特征在于其步骤为：１）将（０００１）取向的蓝宝石衬底装入反应室，在Ｈ↓［２］气氛下，１０００～１１００℃高温下对衬底热处理５～１５ｍｉｎ，降温到５００～１０００℃对衬底氮化处理６０～１５０ｓ； ２）降至５３０～５７０℃生长厚度为１５～３０ｎｍ的ＧａＮ缓冲层，随后升温到１０３０～１０５０℃恒温５～１５ｍｉｎ，使ＧａＮ缓冲层重新结晶；３）在１０００～１１００℃外延生长１．５～２μｍＧａＮ层；４）将温度降到８ ００～９５０℃生长掺镁ＧａＮ层，掺镁ＧａＮ层的厚度为５００～９００ｎｍ，生长时间为１...

【技术特征摘要】
1.一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法，其特征在于其步骤为1)将(0001)取向的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下，1000～1100℃高温下对衬底热处理5～15min，降温到500～1000℃对衬底氮化处理60～150s；2)降至530～570℃生长厚度为15～30nm的GaN缓冲层，随后升温到1030～1050℃恒温5～15min，使GaN缓冲层重新结晶；3)在1000～1100℃外延生长1.5～2μm GaN层；4)将温度降到800～950℃生长掺镁GaN层，掺镁GaN层的厚度为500～900nm，生长时间为15～30min；5)再降温生长5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层的厚度为20～35nm，5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层的p-InGaN层、p-AlGaN层的厚度分别为2～5nm、2～7nm；6)在5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层上再生长p-InGaN盖层，p-InGaN盖层的厚度为2～3nm。2. 如权利要求l所述的一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法，其特征在于Ga、 In、 Al、 Mg、 N、 Si源分别为三甲基镓、三甲基铟、三甲...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宝林，张保平，尹以安，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]