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一种ｐ－ＧａＮ低阻欧姆接触的制备方法，涉及一种ｐ型氮化镓（ｐ－ＧａＮ）。提供一种ｐ－ＧａＮ低阻欧姆接触的制备方法。将（０００１）取向的蓝宝石衬底装入反应室，在Ｈ↓［２］气氛下对衬底热处理，降温对衬底氮化处理；降温生长ＧａＮ缓冲层，升温使Ｇａ...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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