具有沟槽晶体管的半导体器件以及制造这种器件的方法技术

根据一个实施例，一种用于制造半导体器件的方法包括：在半导体材料的第一侧中形成沟槽以及在该沟槽上和第一侧上形成厚氧化物层。使用第一掩模对第一侧的一部分和沟槽进行掩蔽，并且当第一掩模存在时，通过穿过厚氧化物层的注入而掺杂半导体材料。当第一掩模保留时，去除厚氧化物层的至少一部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有MOS (金属氧化物半导体)晶体管的半 导体器件以及制造这种器件的方法。
技术介绍
众所周知，通过设置填装(packed)在一起的密集沟槽来减小 MOS半导体器件的比电阻，从而使雪崩击穿区位于沟槽的底部区 域中。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，本专利技术提供了 一种制造半导体器件 的方法，该方法包括在半导体材料的第一侧中形成沟槽；在该沟 槽上和第一侧上形成厚氧化物层；使用第一掩模对第一侧的一部分 和沟槽进行掩蔽；当第一掩模存在时，通过穿过厚氧化物层的注入 而掺杂半导体材料；以及当第一掩模保留时，去除厚氧化物层的至 少一部分。有利地，可以避免根据注入的主体构成和需要对准的厚层构 成、以及对于主体的单独屏蔽。根据另 一 实施例，本专利技术提供了 一种制造半导体器件的方法，该方法包括在半导体材料的第一侧中形成沟槽，该沟槽具有底部； 在半导体材料的第一侧上和沟槽上形成厚氧化物层；在沟槽中的厚氧化物层上增加导电材料；以及通过穿过厚氧化物层的注入而掺杂 半导体材料，沟槽被厚氧化物材料和导电材料覆盖，使得注入避开 了沟槽底部。根据再一 实施例，本专利技术提供了 一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体材料的第一侧中形成沟槽；在所述沟槽上和所述第一侧上形成厚氧化物层；使用第一掩模对所述第一侧的一部分和所述沟槽进行掩蔽；当所述第一掩模存在时，通过穿过所述厚氧化物层的注入而掺杂所述半导体材料；以及当所述第一掩模保留时，去除所述厚氧化物层的至少一部分。

【技术特征摘要】
US 2006-11-16 11/600,4221.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括在半导体材料的第一侧中形成沟槽；在所述沟槽上和所述第一侧上形成厚氧化物层；使用第一掩模对所述第一侧的一部分和所述沟槽进行掩蔽；当所述第一掩模存在时，通过穿过所述厚氧化物层的注入而掺杂所述半导体材料；以及当所述第一掩模保留时，去除所述厚氧化物层的至少一部分。2. 才艮据4又利要求1所述的方法，进一步包括在所述去除步骤之 后，在所述第一侧上形成薄氧化物层。3. 才艮据4又利要求2所述的方法，进一步包4舌在所述去除步骤之 后且在形成所述薄氧化物层的步骤之前，去除所述第一掩模。4. 根据权利要求2所述的方法，其中，所述薄氧化物层的形成为 热处理，所述热处理还使通过注入而掺杂的所述半导体材料的 一部分膨胀。5. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述去除步骤包括蚀刻， 将所述厚氧化物层的一部分保留在所述第一掩模的下面并且 也保留在所述沟槽中。6. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括在形成所述厚氧化 物层之后且所述掺杂步骤之前，将导电材料增加到所述沟槽 中。7. 根据权利要求6所述的方法，其中，所述导电材料是掺杂的多 晶硅。8. —种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括在半导体材料的第一侧中形成沟槽，所述沟槽具有底部；在所述半导体材料的所述第一侧上和所述沟槽上形成厚 氧化物层；在所述沟槽中的所述厚氧化物层上增加导电材料；以及通过穿过所述厚氧化物层的注入而掺杂所述半导体材 料，所述沟槽被所述厚氧化物材料和所述导电材料覆盖，使得 所述注入避开所述沟槽底部。9. 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括在半导体材料的第 一侧中形成沟槽，所述沟槽具有底部；在所述半导体材料的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯曾德尔，弗朗茨赫尔莱尔，鲁道夫泽尔萨克，埃尔温巴赫尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：AT[奥地利]