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根据一个实施例，一种用于制造半导体器件的方法包括：在半导体材料的第一侧中形成沟槽以及在该沟槽上和第一侧上形成厚氧化物层。使用第一掩模对第一侧的一部分和沟槽进行掩蔽，并且当第一掩模存在时，通过穿过厚氧化物层的注入而掺杂半导体材料。当第一掩模保...
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