制作半导体器件的方法和通过该方法获得的半导体器件技术

本发明专利技术涉及一种制作半导体器件（１０）的方法，该半导体器件包括衬底（１１）和半导体本体（１２），其中在半导体本体中形成至少一个半导体元件（１），其中在衬底（１１）上形成半导体层（２），该半导体层包括硅和锗的混晶，进一步称之为硅－锗层（２）并且具有临近衬底（１１）的下表面和远离衬底（１１）的上表面，其中硅－锗层（２）在其一个表面受到氧化处理，而硅－锗层（２）的另一表面通过阻挡层（３）保护而免受氧化处理。根据本发明专利技术，阻挡层（３）形成在硅－锗层（２）的上表面上，腔体（５）形成在硅－锗层（２）下面的半导体本体中，并且硅－锗层（２）的下表面通过腔（５）受到氧化处理。这样，可以获得器件１０，其中在氧化处理后的硅－锗层（２）的表面不会形成粗糙化和／或锗堆积，这使得例如制作位于硅－锗层（２）的内部或上面的、具有优越性能和高产量的特别的ＭＯＳＦＥＴ成为可能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制作半导体器件的方法以及通过该方法获得的半 导体器件。
技术介绍
本专利技术涉及一种制作半导体器件的方法，该半导体器件包括衬底和 半导体本体，其中在半导体本体中形成至少一个半导体元件，其中在衬底上形成半导体层，所述半导体层包括硅和锗的混晶，进一步称之为硅-锗层并且具有临近衬底的下表面和远离衬底的上表面，并且其中硅-锗层 在所述硅-锗层的一个表面受到氧化处理，而硅-锗层的另一表面通过阻 挡层保护而免受氧化处理。通过氧化处理，由于在受到氧化处理的表面 上形成的二氧化硅层中的锗会被排出并被引入其余的硅-锗层中的事实， 硅-锗层中的锗含量增加。具有按照这种方式增加的锗含量的这种层在一 些半导体器件的制作中是很有利的。应该注意的是一方面，阻挡层保护 硅-锗层免受氧化处理，并且另一方面防止锗原子从存在阻挡层的一侧离开硅-锗层。在本段开始提到的这种类型的方法是公知的，来自T. Teziika 等人于2001年9月17日发表在Applied Physics Letters, 79巻，12 期，1798 —1800页，题目为Fabricationof strained Si on 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作半导体器件（１０）的方法，其中所述半导体器件包括衬底（１１）和半导体本体（１２），其中在半导体本体中形成至少一个半导体元件（１），其中在衬底（１１）上形成半导体层（２），所述半导体层（２）包括硅和锗的混晶，进一步称为硅－锗层（２）并且具有临近衬底（１１）的下表面和远离衬底（１１）的上表面，并且其中硅－锗层（２）在所述硅－锗层（２）的一个表面受到氧化处理，而硅－锗层（２）的另一表面通过阻挡层（３）保护而免受氧化处理，其特征在于阻挡层（３）形成在硅－锗层（２）的上表面，腔体（５）形成在硅－锗层（２）下面的半导体本体（１２）中，并且硅－锗层（２）的下表面通过腔体（５）受到氧化处理。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2005-5-3 05103679.61.一种制作半导体器件(10)的方法，其中所述半导体器件包括衬底(11)和半导体本体(12)，其中在半导体本体中形成至少一个半导体元件(1)，其中在衬底(11)上形成半导体层(2)，所述半导体层(2)包括硅和锗的混晶，进一步称为硅-锗层(2)并且具有临近衬底(11)的下表面和远离衬底(11)的上表面，并且其中硅-锗层(2)在所述硅-锗层(2)的一个表面受到氧化处理，而硅-锗层(2)的另一表面通过阻挡层(3)保护而免受氧化处理，其特征在于阻挡层(3)形成在硅-锗层(2)的上表面，腔体(5)形成在硅-锗层(2)下面的半导体本体(12)中，并且硅-锗层(2)的下表面通过腔体(5)受到氧化处理。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于在所述硅-锗层(2) 中刻蚀形成孔(6)，所述孔的深度大于所述硅-锗层(2)的厚度，并且 通过采用选择性刻蚀剂钻蚀所述硅-锗层(2)下面的材料形成所述腔体(5)。3. 根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于选择硅衬底作为 所述衬底(11)，并且通过外延形成所述硅-锗层(2)。4. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于另外的硅-锗层(7) 形成在所述硅-锗层(2)的下面，并且通过硅层(8)来...

【专利技术属性】
技术研发人员：菲利浦默尼耶贝拉德，简雄斯基，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[]