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本发明涉及一种制作半导体器件（１０）的方法，该半导体器件包括衬底（１１）和半导体本体（１２），其中在半导体本体中形成至少一个半导体元件（１），其中在衬底（１１）上形成半导体层（２），该半导体层包括硅和锗的混晶，进一步称之为硅－锗层（２）并且...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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