【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及从初始晶片开始的薄膜制造，包括以下步骤通过初始 晶片的其中一个表面植入原子核种，从而在其中确定的深度处形成掩埋植入(buriedimplanted)区，然后由晶片的植入表面和该植入区来对要制 造的薄膜进行划界。该技术尤其用于通过在所述植入处理后进行以下步骤(由图1A和 IB所示)剥离所述薄膜在晶片10的植入表面上将其键合到接收基板20;以及提供能量(通常为热能和/或机械能)，从而从植入区12中分离出薄 膜15 (该步骤还被称作Smart-Cut⑧)。然后，从晶片IO上摘取薄膜15，随后将薄膜15转移到接收基板20 上(见图1B)。参照图1A和1B，晶片10的表面通常在外周被斜切(斜面11和11')， 从而接收基板20与晶片10的结合主要仅发生在晶片10的不在斜面11 上的表面上。参照图1B和1C，因此，未精确地从晶片10的整个表面上摘取薄膜 15,因为摘取操作后，初始被植入区域划界的薄膜的斜切部分仍与晶片 10相连，因此形成了环绕与摘取的薄膜15的体积近似相对应的空洞体积 的环14。在薄膜15由晶体材料制成的特定情况下，(从区域13a和13b开...
【技术保护点】
一种从初始晶片制造要应用于电子、光子或光电子的薄膜的方法，该方法包括通过所述初始晶片的其中一个表面植入原子核种的步骤，该方法的特征在于包括以下阶段： （ａ）形成围绕所述晶片的外周的确定高度的台阶，所述晶片在所述台阶处的平均厚度小于所述晶片的其他部分的平均厚度； （ｂ）使所述台阶免于被植入原子核种；以及 （ｃ）通过所述晶片的具有所述台阶的表面植入原子核种，从而以确定的植入深度形成植入区； 所述薄膜在一侧由所述晶片的所述植入表面确定，而在另一侧由所述植入区确定。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】FR 2005-7-8 0507300;US 2005-9-6 11/221,0451、一种从初始晶片制造要应用于电子、光子或光电子的薄膜的方法，该方法包括通过所述初始晶片的其中一个表面植入原子核种的步骤，该方法的特征在于包括以下阶段(a)形成围绕所述晶片的外周的确定高度的台阶，所述晶片在所述台阶处的平均厚度小于所述晶片的其他部分的平均厚度；(b)使所述台阶免于被植入原子核种；以及(c)通过所述晶片的具有所述台阶的表面植入原子核种，从而以确定的植入深度形成植入区；所述薄膜在一侧由所述晶片的所述植入表面确定，而在另一侧由所述植入区确定。2、 根据上述权利要求所述的薄膜制造方法，其中阶段(a)包括将 薄膜结合到基板上，以形成所述初始晶片，所述薄膜的面积比所述基板 要小，从而一旦它们结合，所述台阶就至少部分地由所述薄膜与所述基 板之间的面积差来决定。3、 根据以上权利要求中任意一项所述的薄膜制造方法，其中阶段(a) 包括从所述晶片的外周表面上移除材料到确定的移除深度，以形成所述 台阶。4、 根据以上权利要求中任意一项所述的薄膜制造方法，其中阶段(a) 还包括对所述台阶进行加厚。5、 根据以上权利要求中任意一项所述的薄膜制造方法，其中所述植 入深度等于或小于所述台阶的高度。6、 根据以上权利要求中任意一项所述的薄膜制造方法，其中所述晶 片已经提前经受了薄膜摘取操作，因此所述晶片在外周区上具有环，其 中阶段(a)包括预先移除该环。7、 根据以上权利要求中任意一项所述的薄膜制造方法，其中所述台 阶的高度被选择为约1微米或更大。8、 根据以上权利要求中任意一项所述的薄膜制造方法，其中通过形成至少在所述台阶上延伸的保护层来执行阶段(b)。9、 根据权利要求8所述的薄膜制造方法，其中由此在阶段(b)期 间在所述晶片的不位于所述台阶上的部分上形成了所述保护层。10、 根据权利要求9所述的薄膜制造方法，其中以使得形成的所述 保护层的厚度平均上基本等于或大于以下两者的和的方式来执行阶段(b):所述植入深度，其与所述植入的高斯分布的峰值相关联；以及与 该分布的标准差的大约五倍相对应的深度。11、 根据权利要求9和10中任意一项所述的薄膜制造方法，其中该 薄膜制造方法还包括移除所述保护层的未位于所述台阶上的部分的操作。12、 根据权利要求11所述的薄膜制造方法，其中通过各向异性蚀刻来执行该移除阶段。13、根据权利要求ll所述的薄膜制造方法，其中通过对所述晶片进行抛光来执行所述移除。14、 根据权利要求8到13中任意一项所述的薄膜制造方法，该薄膜 制造方法还包括在阶段(c)后移除所述保护层的步骤。15、 根据以上权利要求中任意一项所述的薄膜制造方法，其中以所 述保护层是由非晶材料制成的层的方式来执行阶段(b)。16、 根据权利要求15所述的薄膜制造方法，其中所述保护层包括氧 化硅、氮化硅、PSG或BPSG。17、 根据权利要求1到7中任意一项所述的薄膜制造方法，其中在 阶段(c)中通过在植入期间掩盖所述台阶来执行阶段(b)。18、 根据以上权利要求中任意一项所述的薄膜制造方法，其中以所 述植入区为薄弱区的方式来执行阶段(c)，其中该方法还包括以下阶段在所述晶片的所述植入表面上结合一接收基板；然后 提供能量，从而在所述薄弱区中从所述晶片上分离出所述薄膜。19、 根据权利要求17和18中任意一项所述的薄膜制造方法，其中 所述接收基板在结合前还经受了与阶段(a)中类似的材料摘取，从而具 有与所述晶片基本一致的结合表面。20、 根据权利要求18和19中任意一项所述的薄膜制造方法，其中，在分离之后，再次执行阶段(b)和(c)。21、 根据权利要求18和19中任意一项所述的薄膜制造方法，其中 以这种方式来选择所述初始台阶高度和所...
【专利技术属性】
技术研发人员：塞西尔奥尔内特，伊恩凯雷佛尔克，卡洛斯马祖拉，
申请(专利权)人：硅绝缘体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]
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