薄膜晶体管基板及其制造方法技术

薄膜晶体管基板及其制造方法，该方法通过构建数据信号供应线减小薄膜晶体管基板的尺寸，每条数据信号供应线分别利用不同的金属线将像素数据电压供应给数据线。薄膜晶体管基板包括：在基板上相互交叉的栅极线和数据线，栅极绝缘层安置在其间；形成在栅极线和数据线的每个交叉点上的薄膜晶体管；显示区域，在其上形成有连接到薄膜晶体管的像素电极；第一数据信号供应线，包括连接到数据线的第一导电层，在位于显示区域的外围的非显示区域中；和第二数据信号供应线，与第一信号供应线相互替换，栅极绝缘层安置在其间，第二数据信号供应线包括连接到数据线的第二导电层。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及一种，更具体地涉及一种薄膜 晶体管基板及其制造方法，该薄膜晶体管基板具有通过构建数据信号供应线 获得的减小的尺寸，每条数据信号供应线分別使用不同的金属线将像素数据 电压提供给数据线。
技术介绍
通常，液晶显示(LCD)器件包括显示图像的LCD面板、驱动该LCD 面板的驱动电路以及为LCD面板供应光的光源单元。光源单元包括例如灯或者发光二极管用于发光的光源、将来自光源的光 导向到LCD面板的导光板、将光反射并引导朝向导光板的反射片和设置在 导光板和LCD面板之间以均衡来自导光板的光亮度的光学片材。驱动电路包括驱动LCD面板的栅极线的栅极驱动电路、驱动数据线的 数据驱动电路、为栅极驱动电路和数据驱动电路供应电能的电能供应单元、 以及为栅极驱动电路和数据驱动电路供应控制信号的定时控制器。LCD面板包括具有形成在其上的TFT阵列的薄膜晶体管(TFT)基板、 具有形成在其上的滤色器阵列并且面向TFT基板的滤色器基板、和插入到 TFT基板和滤色器基板之间的液晶。滤色器基板包括在透明基板上以防止光泄漏的黑色矩阵、在由黑色矩阵 彼此分开的像素区域中的滤色器和在滤色器上以供应公共电压的公共电极。TFT基板包括在每个像素区域上的像素电极和连接到该像素电极的 TFT。在这样的情况下，栅极线为TFT的栅电极供应来自栅极驱动电路的扫 描信号。每当扫描信号供应给栅电极时，数据线为TFT供应来自数据驱动电 路的像素数据信号。因此，像素数据信号对像素电极进行充电。沿着非显示区域额外地形成单独的信号线从而为数据线供应来自数据 驱动电路的像素数据信号，该单独的信号线从将连接到数据驱动电路的数据 线延伸。在这样的情况下，由于信号线和数据线用同样的金属制成，因此无法避免信号线之间的信号干扰或者短路，除非在相邻的信号线之间保持至少超过4ium的间隔。当相邻信号线之间的间隙保持到大概4Mm时，然而，非显示区域的尺 寸随数据线的数量成比例地增加。因此增加了 TFT基板的尺寸。
技术实现思路
本专利技术的示范性实施例提供了 一种TFT基板及其制造方法，通过构建具 有第一导电层和第二导电层的数据信号供应线，并形成将数据线连接到相应 数据信号供应线的桥接电极，从而减小了 TFT基板的尺寸。本专利技术的示范性实施例提供了一种TFT基板及其制造方法，以改变将数 据信号供应线连接到数据线的桥接电极所连接的接触孔尺寸的方式来区分 接触电阻，从而均衡数据线与连接到该数据线的数据信号供应线之间的电阻 比。本专利技术的一个示范性实施例提供了 TFT基板，该TFT基板包括在基 板上彼此交叉的栅极线和数据线，在其间安置有栅极绝缘层；在每个栅极线 和数据线的交叉点上的TFT;显示区域，在其中形成连接到该TFT的像素 电极；在位于显示区域外围的非显示区域中，包括连接到数据线的第一导电 层的第 一数据信号供应线；以及与第 一数据信号供应线交替的第二数据信号 供应线，在其间安置有栅极绝缘层，第二数据信号供应线包括连接到数据线. 的第二导电层。第 一数据信号供应线可以与栅极线用同样的金属材料形成并位于同一 平面上。第二数据信号供应线也可以与数据线用同样的金属材料形成并位于 同一平面上。第二数据信号供应线可以形成为与第 一数据信号供应线的 一侧平行。 第一数据信号供应线可以连接到第M条数据线，和第二数据信号供应线可以连接到第(M+1)条数据线(其中M是自然数)。TFT基板还可包括分别暴露第一数据信号供应线和第M条数据线的第 一和第二接触孔、经由第一和第二接触孔连接第一数据信号线和第M条数 据线的第一桥接电极、分别暴露第二数据信号供应线和第(M+1)条数据线的 第三和第四接触孔、以及经由第三和第四接触孔连接第二数据信号供应线和 第(M+1 )条数据线的第二桥接电极。第 一 和第二接触孔可以大于第三和第四接触孔，反之亦然。 第 一和第二桥接电极可以与像素电极用同样的金属材料形成并位于同 一平面上。第一和第二数据信号供应线可以分别形成在位于显示区域上方和下方 的非显示区域中。形成在位于显示区域上方的非显示区域中的第一和第二数据信号供应线分别连接到第M条和第(4M-2)条数据线，和形成在位于显示区域下方的非 显示区域中的第 一和第二数据信号供应线分别连接到第(4M-3)条和第(4M-1)条数据线。TFT基板还可以包括分别暴露位于显示区域上方和下方的非显示区域 上的第一数据信号供应线和第4M条数据线的第一和第二接触孔、经由第一 和第二接触孔连接第 一数据信号供应线和第4M条数据线的第 一桥接电极、 分别暴露位于显示区域上方和下方的非显示区域上的第二数据信号供应线 和第(4M-2)条数据线的第三和第四接触孔、以及经由第三和第四接触孔连 接第二数据信号线和第(4M-2)条数据线的第二桥接电极。第 一和第二接触孔可以大于第三和第四接触孔，反之亦然。 第 一和第二桥接电极可以与像素电极用同样的金属形成并位于同 一平 面上。第 一数据信号供应线的电阻率可以小于第二数据信号供应线的电阻率。 可以在第一和第二数据信号供应线的每个末端形成连接到驱动电路的 接触垫。本专利技术的一个示范性实施例提供了制造TFT基板的方法，该方法包括 在基板上形成彼此交叉的栅极线和数据线，在其间设置有栅极绝缘层，且该 栅极线和数据线限定了显示区域；在栅极线和数据线的每个交叉点上形成 TFT;在显示区域上形成连接到TFT的像素电极；在位于显示区域外围的非 显示区域中形成连接到数据线的第 一数据信号供应线；以及形成连接到数据 线并与第一数据信号供应线交替的第二数据信号供应线，在其间设置有栅极 绝缘层。第 一数据信号供应线可以和栅极线一样形成为第一导电层，和第二数据 信号供应线可以和数据线一样形成为第二导电层。在形成第二数据信号供应线的过程中，第二数据信号供应线可以形成为与第 一数据信号供应线的 一侧平行。该方法进一步可包括形成暴露第一数据信号供应线的第一接触孔，形成暴露与第一数据信号供应线连接的数据线一端的第二接触孔，形成经由第 一和第二接触孔连接第一数据信号线和数据线的第一桥接电极，形成暴露第 二数据信号供应线的第三接触孔，形成暴露与第二数据信号供应线连接的数 据线一端的第四接触孔，以及形成经由第三和第四接触孔连接第二数据信号 供应线和数据线的第二桥接电极。在形成第 一 到第四接触孔的过程中，第 一和第二接触孔可以大于第三和 第四接触孔，反之亦然。构建第 一数据信号线的第 一导电层的电阻率可以小于构建第二数据信 号供应线的第二导电层的电阻率，并且第一和第二接触孔可以小于第三和第 四接触孔。在形成像素电极的过程中，第一和第二桥接电极可以与像素电极使用同 样的金属形成。第 一和第二数据信号供应线可以分别形成在位于显示区域上方和下方 的非显示区域中。该方法进一步可包括经由第一桥接电极将位于显示区域上方的非显示 区域上的第一数据信号供应线连接到第4M条数据线，经由第一桥接电极将 位于显示区域下方的非显示区域上的第一数据信号供应线连接到第(4M-3 ) 条数据线，经由第二桥接电极将位于显示区域上方的非显示区域上的第二数 据信号供应线连接到第(4M-2)条数据线，及经由第二桥接电极将位于显示 区域下方的非显示区域上的第二数据信号供应线连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，包括：在基板上彼此交叉的栅极线和数据线，在所述栅极线和所述数据线之间设置有栅极绝缘层；薄膜晶体管，形成在所述栅极线和所述数据线的每个交叉点上；显示区域，在其中形成有连接到所述薄膜晶体管的像素电极； 位于所述显示区域外围的非显示区域中包括连接到所述数据线的第一导电层的第一数据信号供应线；与所述第一数据信号供应线交替的第二数据信号供应线，在所述第一数据信号供应线和所述第二数据信号供应线之间安置有所述栅极绝缘层，所述第二数据 信号供应线包括连接到所述数据线的第二导电层。

【技术特征摘要】
KR 2006-12-4 121551/061.一种薄膜晶体管基板，包括在基板上彼此交叉的栅极线和数据线，在所述栅极线和所述数据线之间设置有栅极绝缘层；薄膜晶体管，形成在所述栅极线和所述数据线的每个交叉点上；显示区域，在其中形成有连接到所述薄膜晶体管的像素电极；位于所述显示区域外围的非显示区域中包括连接到所述数据线的第一导电层的第一数据信号供应线；与所述第一数据信号供应线交替的第二数据信号供应线，在所述第一数据信号供应线和所述第二数据信号供应线之间安置有所述栅极绝缘层，所述第二数据信号供应线包括连接到所述数据线的第二导电层。2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一数据信号供应线与 所述栅极线由相同的金属材料形成在同 一平面上，和所述第二数据信号供应 线与所述数据线由相同的金属材料形成在同 一 平面上。3. 如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述第二数据信号供应线与 所述第一数据信号供应线的一侧平行形成。4. 如权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述第一数据信号供应线连 接到第M条数据线，和所述第二数据信号供应线连接到第(M+l)条数据 线，其中M是自然数。5. 如权利要求4所述的薄膜晶体管，进一步包括 第一和第二接触孔，分别暴露所述第一数据信号供应线和所述第M条数据线；第一桥接电极，经由所述第一和第二接触孔连接所述第一数据信号供应 线和所述第M条数据线；第三和第四接触孔，分别暴露所述第二数据信号供应线和所述第(M+l ) 条数据线；第二桥接电极，经由所述第三和第四接触孔连接所述第二数据信号供应 线和所述第(M+l)条数据线。6. 如权利要求5所述的薄膜晶体管，其中所述第一和第二接触孔大于 所述第三和第四接触孔，或者所述第三和第四接触孔大于所述第一和第二接触孔。7. 如权利要求6所述的薄膜晶体管，其中所述第一和第二桥接电极与 所述像素电极由相同的金属形成在同一平面上。8. 如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述第一和第二数据信号供 应线分别形成在位于所述显示区域上方和下方的所述非显示区域中。9. 如权利要求8所述的薄膜晶体管，其中形成在位于所述显示区域上 方的所述非显示区域中的所述第一和第二数据信号供应线分别连接到第M 条数据线和第(4M-2)条数据线，和形成在位于所述显示区域下方的所述非 显示区域中的所述第一和第二数据信号供应线分别连接到第(4M-3 )条数据 线和第(4M-1 )条数据线。.10. 如权利要求9所述的薄膜晶体管，进一步包括 第一和第二接触孔，分别暴露在位于所述显示区域上方和下方的所述非显示区域上的所述第一数据信号供应线和所述第4M条数据线；第一桥接电极，经由所述第一和第二接触孔连接所述第一数据信号供应线和所述第4M条数据线；第三和第四接触孔，分别暴露在位于所述显示区域上方和下方的所述非显示区域上的所述第二数据信号供应线和所述第(4M-2)条数据线；以及 第二桥接电极，经由所述第三和第四接触孔连接所述第二数据信号供应线和所述第(4M-2)条数据线。11. 如权利要求10所述的薄膜晶体管，其中所述第一和第二接触孔大 于所述第三和第四接触孔，或者所述第三和第四接触孔大于所述第一和第二 ^接触孔。12. 如权利要求11所述的薄膜晶体管，其中所述第一和第二桥接电极 与所述像素电极由相同的金属形...

【专利技术属性】
技术研发人员：成硕济，郑基勋，崔晋荣，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]