薄膜晶体管基板及包括该基板的显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管基板以及包括该基板的显示装置，通过在每个单元像素区中形成一对第一和第二像素电极、以及连接到第一和第二像素电极和薄膜晶体管漏电极端的一对第一和第二漏电极板，提供了一种可以防止由静电导致元件损坏的薄膜晶体管基板以及包括该基板的显示装置，通过将一个像素区中的第一漏电极连接到第一漏电极板、将一个像素区中的第二漏电极连接到第二漏电极板、将与所述一个像素区相邻的另一个像素区中的第一漏电极连接到第二漏电极板、将该另一个像素区中的第二漏电极连接到第一漏电极板，可以通过线翻转驱动方式得到点反转的驱动效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管基板及包括该基板的显示装置，尤其是一种 能够防止显示偏差的薄膜晶体管基板及包括该基板的显示装置。
技术介绍
液晶显示装置是一种利用液晶的光学各向异性和可极化性质来显示图 象的平板显示装置。即，液晶显示装置通过控制液晶分子的取向来控制光的 透射。液晶显示装置在显示动态画面的时候往往会产生重影。已经提出增加驱动液晶装置的帧频率到高于60Hz的频率。为了以高于 60Hz的帧频率驱动液晶显示装置，就需要改变液晶显示装置的内部像素结 构。即，在现有技术中，通过一栅极线和一数据线来控制像素的操作。然而， 如上所述，为了以高于60Hz的频率驱动液晶显示装置，在像素区中提供多 个子像素，并且通过多条栅极线和数据线来控制这些子像素。然而，由于这 样会有降低每个像素的充电速率的作用，可能会产生垂直线瑕疵，或者发生由静电引起的故障。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，通过交替驱动获得点反转，该交替驱动中具有不 同极性的像素电压施加到相邻像素区域中的子像素电极。通过增加漏电极的 像素接触区域，防止由于静电引起的元件故障，所述漏电极连接到形成在一 像素区域内的多个子像素电极。本专利技术的一个示例性的实施例包括一种薄膜晶体管基板，该基板包括 多条栅极线；多条第一和第二数据线，与所述栅极线交叉；多个第一和第二 薄膜晶体管，在单元像素区中形成，每个单元像素区由栅极线、第一数据线 和第二数据线定义，所述薄膜晶体管分别具有第一和第二漏电极；多个第一 和第二像素电极，在单元像素区中形成；多个第一漏电极板，每个所述第一漏电极板连接到各自的像素电极以及所述单元像素区中包括的所述漏电极 中的一个；以及多个第二漏电极板，每个所述第二漏电极板连接到各自的像 素电极和所述单元像素区中包括的所述漏电极中的另 一个。在该薄膜晶体管基板内，在每个单元像素区中，所述第一和第二漏电极板在所述第一和第二漏电极的延伸部分之间形成。每个所述单元像素区中连接所述第 一和第二漏电极板中心的中心线同 所述栅极线交叉。该薄膜晶体管基板还可以包括多个存储电极板，每个所述存储电极板都 与每个所述单元像素区中的所述第 一和第二电极板部分地重叠。在每个单元 像素区中，所述存储电极板形成在所述第一和第二漏电极的延伸部分之间。在一个像素区中，所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板，所述第二 漏电极连接到所述第二漏电极板。在与所述一个单元像素区相邻的另 一个单 元像素区中，所述第一漏电极连接到所述第二漏电极板，所述第二漏电极连 接到所述第一漏电极板。所述第一薄膜晶体管连接到所述栅极线和所述第一 数据线，所述第二薄膜晶体管连接到所述栅极线和所述第二数据线。本专利技术的一个示例性的实施例包括一显示装置，该显示装置包括多个 单元像素，每个所述单元像素都包括第一像素电容器和第二像素电容器，所 述第 一像素电容器具有第 一像素电极和公共电极，所述第二像素电容器具有 第二像素电极和所述公共电极；多个第一和第二薄膜晶体管，在所述单元像 素中形成，所述第一薄膜晶体管具有第一漏电极，所述第二薄膜晶体管具有 第二漏电极；多个第一漏电极板，每个所述第一漏电极板连接到各自的像素 电极以及所述单元像素中的一个所述漏电极；以及多个第二漏电极板，每个 所述第二漏电极板连接到各自的像素电极和所述单元像素中的另 一个所述 漏电极。在每个所述单元像素中，所述第一和第二漏电极板形成在所述第一 漏电极和所述第二漏电极的延伸部分之间。在每个所述单元像素中的所述第一和第二薄膜晶体管分别连接到所述 栅极线中的一个，所述第一薄膜晶体管连接到所述第一数据线，所述第二薄 膜晶体管连接到所述第二数据线。另外，在每个所述单元像素中，连接所述 第一和第二漏电极的中心的中心线与栅极线交叉。多个存储电极板中的每个都与对应的单元像素中的所述第一和第二漏 电极部分地重叠以形成第一和第二存储电容器。在一个像素区中，所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板，所述第二 漏电极连接到所述第二漏电极板。在一个相邻的像素区中，所述第一漏电极 连接到所述第二漏电极板，所述第二漏电极连接到所述第 一漏电极板。一示例性的显示装置包括多条栅极线；多条第一和第二数据线；以及 多个单元像素，每个所述单元像素在一所述栅极线、 一所述第一数据线以及 一所述第二数据线之间形成，并包括第一像素电容器、第二像素电容器、第 一存储电容器、以及第二存储电容器，所述第一像素电容器具有第一像素电 极和公共电极、所述第二像素电容器具有第二像素电极和所述公共电极、所 述第一存储电容器具有第一像素电极和存储电极板，所述第二存储电容器具 有第二像素电极和所述存储电极板。在该显示装置中，所述存储电极板沿长 轴方向的延伸线与所述栅极线相交叉。所述第一存储电容器形成在所述第一像素电极和所述存储电极板之间， 并进一步包括连接到所述第一像素电极的第 一漏电极板，以及所述第二存储 电容器形成在所述第二像素电极和所述存储电极板之间，并进一步包括连接 到所述第二像素电极的第二漏电极板。该显示装置还可以包括多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管，每 个所述第一薄膜晶体管具有第一漏电极，每个所述第二薄膜晶体管具有第二 漏电极。在每个所述单元像素中，所述第一漏电极的一部分延伸连接到所述 第一和第二漏电极板中的一个，所述第二漏电极的一部分延伸连接到所述第 一和第二漏电极板中的另外一个，且所述第一和第二漏电极形成在所述第一 和第二漏电极的延伸部分之间。在一个单元像素区中，所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板，所述 第二漏电极连接到所述第二漏电极板。在一个相邻的像素区中，所述第一漏 电极连接到所述第二漏电极板，所述第二漏电极连接到所述第一漏电极板。一示例性的制造显示装置的方法包括在透明基板上形成多条栅极线、 多个第一和第二栅电极以及多个存储电极板，所述存储电极板沿长轴方向的 延伸线与所述栅极线交叉；在整个结构上形成栅电极绝缘膜；在第一和第二 栅电极上形成有源层；形成与所述栅极线交叉的多条第一和第二数据线，在 所述第一栅电极上形成多个第一源电极和多个第一漏电极，在所述第二栅电 极上形成多个第二源电极和多个第二漏电极，并在所述存储电极板上形成多 个第 一和第二漏电极板，使得所述第一漏电极板连接到所述第一和第二漏电极中的一个，所述第二漏电极板连接到所述第一和第二漏电极中的另一个，并且连接所述第一和第二漏电极板的中心的中心线与栅极线交叉；在整个结 构上形成保护膜，该保护膜包括多个第一像素接触孔和多个第二像素接触 孔，所述第一像素接触孔使所述第一漏电极板的部分露出，所述第二像素接 触孔使所述第二漏电极板的部分露出；以及在保护膜上形成多个第一像素电 极和多个第二像素电极，所述第一像素电极通过所述第一像素接触孔连接到 所述第一漏电极板，所述第二像素电极通过所述第二像素接触孔连接到所述 第二漏电极才反。一示例性的薄膜晶体管基板包括多条栅极线；多条第一和第二数据线， 与所述栅极线交叉；多个第一和第二薄膜晶体管，在单元像素区中形成，并 分别具有第一和第二漏电极，所述单元像素区由一栅极线、 一第一数据线和 一第二数据线确定；多个第一和第二像素电极，形成在所述单元像素区内； 多个第一漏电极板，每个所述第一漏电极板连接到所述第一像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，包括：多条栅极线；多条第一数据线和第二数据线，与所述栅极线交叉；多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，在单元像素区中形成，每个所述单元像素区由栅极线、第一数据线和第二数据线定义，所述薄膜晶体管分别具有第一漏电极和第二漏电极；多个第一像素电极和第二像素电极，在所述单元像素区中形成；多个第一漏电极板，每个所述第一漏电极板连接到各自的像素电极以及所述单元像素区中包括的所述漏电极中的一个；以及多个第二漏电极板，每个所述第二漏电极板连接到各自的像素电极和所述单元像素区中包括的所述漏电极中的另一个，其中，在每个所述单元像素区中，所述第一漏电极板和第二漏电极板在所述第一漏电极和第二漏电极的延伸部分之间形成。

【技术特征摘要】
KR 2006-11-30 119838/061.一种薄膜晶体管基板，包括多条栅极线；多条第一数据线和第二数据线，与所述栅极线交叉；多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，在单元像素区中形成，每个所述单元像素区由栅极线、第一数据线和第二数据线定义，所述薄膜晶体管分别具有第一漏电极和第二漏电极；多个第一像素电极和第二像素电极，在所述单元像素区中形成；多个第一漏电极板，每个所述第一漏电极板连接到各自的像素电极以及所述单元像素区中包括的所述漏电极中的一个；以及多个第二漏电极板，每个所述第二漏电极板连接到各自的像素电极和所述单元像素区中包括的所述漏电极中的另一个，其中，在每个所述单元像素区中，所述第一漏电极板和第二漏电极板在所述第一漏电极和第二漏电极的延伸部分之间形成。2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中每个单元像素区中连接所述第一漏电极板和第二漏电极板中心的 中心线同所述栅极线交叉。3. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括多个存储电极板，每个所述存储电极板都与每个单元像素区中的所述第 一电极板和第二电极板部分地重叠。4. 如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中在每个单元像素区中，所述存储电极板形成在所述第一漏电极和第 二漏电极的延伸部分之间。5. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，在一个单元像素区中，所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板， 且所述第二漏电极连接到所述第二漏电极板，并且在与所述一个单元像素区相邻的另 一个单元像素区中，所述第 一漏电极 连接到所述第二漏电极板，且所述第二漏电极连接到所述第一漏电极板。6. 如权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中所述第一薄膜晶体管连接到所述栅极线和所述第一数据线，且所述第二薄膜晶体管连接到所述栅极线和所述第二数据线。7. —种显示装置，包括多个单元像素，每个所述单元像素都包括第 一像素电容器和第二像素电 容器，所述第一像素电容器具有第一像素电极和公共电极，所述第二像素电 容器具有第二像素电极和所述公共电极；多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，在所述单元像素中形成，所述 第一薄膜晶体管具有第一漏电极，且所述第二薄膜晶体管具有第二漏电极；多个第 一漏电极板，每个所述第 一漏电极板连接到各自的像素电极以及 所述单元像素中的所述漏电极的一个；以及多个第二漏电极板，每个所述第二漏电极板连接到各自的像素电极和所述单元像素中的所述漏电极的另 一个，其中，在每个所述单元像素中，所述第一漏电极板和第二漏电极板形成 在所述第 一 漏电极和所述第二漏电极的延伸部分之间。8. 如权利要求7所述的显示装置，其中在每个所述单元像素中的所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管 分别连接到所述栅极线中的一个，所述第一薄膜晶体管连接到所述第一数据 线，且所述第二薄膜晶体管连接到所述第二数据线。9. 如权利要求8所述的显示装置，其中，在每个所述单元像素中，连接所述第一漏电极和第二漏电极的中 心的中心线与所述栅极线交叉。10. 如权利要求7所述的显示装置，还包括多个存储电极板，每个所述存储电极板都与对应的单元像素中的所述第 一漏电极和第二漏电极部分地重叠以形成第一存储电容器和第二存储电容 器。11. 如权利要求7所述的显示装置，其中，在一个像素区中，所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板，且 所述第二漏电极连接到所述第二漏电极板，且在与所述一个像素区相邻的另 一个像素区中，所述第 一漏电极连接到所 述第二漏电极板，且所述第二漏电极连接到所述第一漏电极板。12. —种显示装置，包括: 多条栅极线；多条第一数据线和第二数据线；以及多个单元像素，每个所述单元像素在一栅极线、 一第一数据线以及一第 二数据线之间形成，并包括第一像素电容器、第二像素电容器、第一存储电 容器、以及第二存储电容器，所述第一像素电容器具有第一像素电极和公共 电极，所述第二像素电容器具有第二像素电极和所述公共电极，所述第一存 储电容器具有所述第一像素电极和存储电极板，且所述第二存储电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：李在敬，林孝泽，宋荣九，田尚益，禹慈姬，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]