薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制作方法技术

一种薄膜晶体管阵列基板，其在显示区边缘采用或是在显示区边缘的液晶注入口处采用邻接或部分重叠的金属层设计，以减少漏光。此外，一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法亦被提出。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的 制作方法，且特别是关于一种在显示区边缘采用或是在显示区边缘的液晶 注入口处采用邻接或部分重叠的金属层设计的薄膜晶体管阵列基板及薄 膜晶体管阵列基板的制作方法。技术背景随着高科技的发展，视讯产品，特别是数字化的视讯或影像装置已经 成为在一般日常生活中所常见的产品。这些数字化的视讯或影像装置中， 显示器是一个重要组件，以显示相关信息。使用者可由显示器读取信息， 或进而控制装置的运作。为了配合现代生活模式，视讯或影像装置的体积日渐趋于薄轻。传统 的阴极层射线显示器，虽然仍有其优点，但是其需占用大体积且耗电。因 此，配合光电技术与半导体制造技术，面板式的显示器已被发展出成为目 前常见的显示器产品，例如薄膜晶体管液晶显示器。薄膜晶体管液晶显示 器由于具有低电压操作、无辐射线散射、重量轻以及体积小等传统阴极射线管(cathode ray tube，简称CRT)所制造的显示器无法达到的优点，与其 它平板式显示器如等离子体显示器及电致发光(electroluminance)显示器， 成为近年来显示器研究的主要课题，更被视为二十一世纪显示器的主流。而公知的薄膜晶体管液晶显示面板如图1所示，通常具有一薄膜晶体 管阵列基板102、 一对向基板104与一液晶层(未绘示)，其中液晶层是位 于基板102与104之间。而在薄膜晶体管阵列基板102上有薄膜晶体管阵 列112，其中包括扫描配线、数据配线以及数个薄膜晶体管等。然后，在 基板102与104之间会有一框胶106，用以封闭基板102与104之间的空 间，使液晶能留在其中，而这个被封闭的区域主要是用以显示图案或色彩， 因此称为显示区(displayregion)。而且，框胶106需预留一液晶注入口(LC injection hole) 108，以利液晶注入。除了上述普通的薄膜晶体管液晶显示面板外，目前更有一种受瞩目的 制作薄膜晶体管液晶显示面板的技术，其特征是在具有薄膜晶体管阵列 112的基板102上直接制作彩色滤光薄膜，而其优点之一是能提高面板开 口率。因此，这种将彩色滤光薄膜整合于薄膜晶体管阵列基板上制作的薄 膜晶体管液晶显示面板是目前应用于轻薄、高分辨率的NB面板或是液晶 电视、高阶液晶监视器等产品的液晶显示面板之一。然而，前述将彩色滤光薄膜整合于薄膜晶体管阵列基板上制作的薄 膜晶体管液晶显示面板，有以下缺点首先以图1为例， 一般在具有薄膜晶体管阵列112的基板104上直 接制作彩色滤光薄膜之前，无可避免地都需把黑色矩阵(black matrix,简 称BM)先制作出来，因此要如何縮减利用COA技术制作的薄膜晶体管液晶显示面板的制作工艺时间与成本，已成为各方研究的重点之一。而且， 当BM与彩色滤光薄膜是形成于不同一片基板时，则前述两者之对位问 题将会影响到产品的良率。再者，于图1中的显示区边缘(border)110常有漏光从基板102上的线 路间发射出来，而影响薄膜晶体管液晶显示面板的显示品质。此外，显示 区域边缘所预留的液晶注入口 108同样会有漏光问题急需解决。另外，通常在图1的薄膜晶体管阵列112中的每个薄膜晶体管或是薄 膜晶体管阵列112周边的导线都会具有一修补(repair)结构(未绘示)，以于 薄膜晶体管故障或产生线缺陷(linedefect)时进行修补制作工艺。不过，习 知的修补结构却常因为被厚厚的介电层所覆盖，而在进行修补制作工艺时 发生介电层爆裂(bnrst)现象，以致无法完成修补制作工艺，导致需要修补 的薄膜晶体管仍无法使用，线缺陷亦无法修补。除前述各缺点之外，请再次参照图1，薄膜晶体管阵列112中的每个 薄膜晶体管还具有一储存电容器(storage capacitor,又称Cst)，其结构主要是在两层金属层之间夹一绝缘层，而且较上层的金属层需通过与像素电 极相连接，以受薄膜晶体管操控。不过，由于微影制作工艺例如显影或蚀 刻制作工艺的失误，使得储存电容器上的介电层未完全曝光或蚀刻不完 全，而有部分介电层残留，所以会导致金属层与像素电极的接口接触不良 而使液晶电容无法在所要求的时间内维持一定的灰阶，致使面板效能 (performance)变差。
技术实现思路
因此，本专利技术之目的是提供一种薄膜晶体管液晶显示面板及其制作方法，以减少显示区域边缘的漏光。本专利技术之又一目的是提供一种薄膜晶体管液晶显示面板及其制作方 法，以减少液晶注入口的漏光。根据上述与其它目的，本专利技术提出一种薄膜晶体管阵列基板，包括一 显示区与一非显示区，其特征在于数个第一金属层，配置于显示区边缘， 亦即非显示区；以及数个第二金属层，至少邻接第一金属层配置，以防止显示区边缘漏光。本专利技术又提出一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括于一基材上 形成一第一金属层，基材包括一显示区与一非显示区。然后，图案化第一 金属层，以于显示区内形成数个栅极与数条扫描配线，其中扫描配线延伸 至显示区边缘。接着，于基材上形成一栅极绝缘层，再于栅极上形成一图 案化非晶硅层，以形成数个信道层。之后，于基材上形成一第二金属层， 再图案化第二金属层，以于栅极上形成数个源极、数个漏极，并于基材上 形成数条资料配线以及于显示区边缘形成数条拟金属层，其中数据配线与 扫描配线构成数个像素区域，栅极、信道层、源极以及漏极组成数个薄膜 晶体管，且拟金属层至少邻接于扫描配线，以防止显示区边缘漏光。接着， 于像素区域内的基材上形成数个彩色滤光薄膜，再于显示区内的基材上形 成数个像素电极，这些像素电极与对应之薄膜晶体管电性连接。本专利技术再提出一种薄膜晶体管阵列基板，包括一显示区与一非显示 区，其中显示区边缘具有一液晶注入口，其特征在于有数个第一金属层， 配置于显示区边缘的液晶注入口所暴露的基材上以及数个第二金属层，至 少邻接第一金属层配置，以防止该显示区边缘的该液晶注入口漏光。本专利技术再提出一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括于一基材上 形成一第一金属层，其中基材包括一显示区与一非显示区，而显示区边缘 具有一液晶注入口。之后，图案化第一金属层，以形成数个栅极与数条扫 描配线，其中扫描配线延伸至显示区边缘。接着，于基材上形成一栅极绝 缘层，再在栅极上形成一图案化非晶硅层，以形成数个信道层。之后，于 基材上形成一第二金属层，再图案化第二金属层，以于栅极上形成源极、 漏极、于基材上形成资料配线以及于显示区边缘的液晶注入口所暴露的基 材上形成数条拟金属层，其中数据配线与扫描配线构成数个像素区域，且 拟金属层部分重叠于资料配线，以防止显示区边缘的液晶注入口漏光，且 栅极、信道层、源极以及漏极组成数个薄膜晶体管，且拟金属层部分重叠 于扫描配线。而后，于基材上形成数个彩色滤光薄膜。接着，于像素区域 中的基材上形成数个像素电极，这些像素电极分别与对应的薄膜晶体管电 性连接。本专利技术接着提出一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括于一基材 上形成一第一金属层，基材包括一显示区与一非显示区，其中显示区边缘 具有一液晶注入口。之后，图案化第一金属层，以于显示区内形成数个栅 极与数条扫描配线以及于显示区边缘的液晶注入口所暴露的基材上形成 数条拟金属层。然后，于基材上形成一栅极绝缘层，再在栅极上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，包括一显示区与一非显示区，其特征在于：若干个第一金属层，配置于该显示区边缘；以及若干个第二金属层，至少邻接该些第一金属层配置，以防止该显示区边缘漏光。

【技术特征摘要】
1. 一种薄膜晶体管阵列基板，包括一显示区与一非显示区，其特征在于若干个第一金属层，配置于该显示区边缘；以及若干个第二金属层，至少邻接该些第一金属层配置，以防止该显示区边缘漏光。2、 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于还包括 若干条扫描配线，配置在该显示区内；若干条数据配线，配置在该显示区内，其中该些数据配线与该些扫描配线构成若干个像素区域；若干个薄膜晶体管，配置于该些数据配线与该些扫描配线的交错处， 且通过该些数据配线与该些扫描配线控制；若干个像素电极，配置于该些像素区域中，且分别与对应的该些薄膜 晶体管电性连接；以及若干个彩色滤光薄膜，配置于该些像素电极下方。3、 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于还包括该 些第二金属层与部分该些第一金属层重叠配置。4、 如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于该些彩色 滤光薄膜包括红色滤光薄膜、绿色滤光薄膜以及蓝色滤光薄膜。5、 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括 于一基材上形成一第一金属层，该基材包括一显示区与一非显示区；图案化该第一金属层，以于该显示区内形成若干个栅极与若干条扫描 配线，其中该些扫描配线延伸至该显示区边缘； 于该基材上形成一栅极绝缘层；在该些栅极上形成一图案化非晶硅层，以形成若干个信道层； 于该基材上形成一第二金属层；图案化该第二金属层，以于该些栅极上形成若干个源极、若干个漏极， 并于该基材上形成若干条资料配线以及于该显示区边缘形成若干条拟金 属层，其中该些数据配线与该些扫描配线构成若干个像素区域，该些栅极、 该些信道层、该些源极以及该些漏极组成若干个薄膜晶体管，且该些拟金 属层至少邻接于该些扫描配线，以防止该显示区边缘漏光；于该些像素区域内的该基材上形成若干个彩色滤光薄膜；以及 于该显示区内的该基材上形成若干个像素电极，该些像素电极与对应 的该些薄膜晶体管电性连接。6、 如权利要求5所述的制作方法，其特征在于还包括该些拟金属层 与部分该些扫描配线重叠配置。7、 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括 于一基材上形成一第一金属层，该基材包括一显示区与一非显示区； 图案化该第一金属层，以于该显示区内形成若干个栅极与若干条扫描配线以及于该显示区边缘形成若干条拟金属层； 于该基材上形成一栅极绝缘层；在该些栅极上形成一图案化非晶硅层，以形成若干个信道层； 于该基材上形成一第二金属层；图案化该第二金属层，以于该些栅极上形成若干个源极、若干个漏极， 并于该基材上形成若干条资料配线，其中该些资料配线延伸至该显示区边 缘，且该些数据配线与该些扫描配线构成若干个像素区域，且该些栅极、 该些信道层、该些源极以及该些漏极组成若干个薄膜晶体管，而该些拟金 属层至少邻接于该些资料配线，以防止该显示区边缘漏光；于该些像素区域内的该基材上形成若干个彩色滤光薄膜；以及 于该显示区内的该基材上形成若干个像素电极，该些像素电极与对应 的该些薄膜晶体管电性连接。8、 如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在 于还包括该些拟金属层与部分该些资料配线重叠配置。9、 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括提供一基材，该基材 包括一显示区与一非显示区，其特征在于于该显示区边缘形成若干个第一金属层；以及于该基材上形成若干个第二金属层，该些第二金属层至少邻接该些第 一金属层，以防止该显示区边缘漏光。10、 如权利要求9所述的制作方法，其特征在于还包括该些第一金属 层与部分该些第二金属层重叠配置。11、 如权利要求9所述的制作方法，其特征在于还包括 于该显示区内形成若干条扫描配线；于该显示区内形成若干条资料配线，其中该些数据配线与该些扫描配 线构成若干个像素区域；于该些数据配线与该些扫描配线的交错处形成若干个薄膜晶体管，该些薄膜晶体管通过该些数据配线与该些扫描配线控制；于该些像素区域中形成若干个像素电极，该些像素电极分别与对应的该些薄膜晶体管电性连接；以及于该些像素区域上形成若干个彩色滤光薄膜。12、 一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：林丽年，
申请(专利权)人：奇美电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]