【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种相变层及其形成方法，尤其涉及一种在单层中具有不同 晶格的相变层及其形成方法，还涉及一种相变存储器件及其制造方法。
技术介绍
传统的相变存储器或相变随机存取存储器(PRAM)包含一存储节点。 相变层和晶体管可以连接至该存储节点。根据施加的电压，该相变层的状态 可以由晶态转变为非晶态，或者反之亦然。例如，当该施加的电压为设置电 压(set voltage )时，该相变层可以由非晶态转化为晶态。当该施加的电压 为重置电压(reset voltage )时，该相变层可以由晶态转化为非晶态。该相变 层的晶态和非晶态之一对应于数据1,而另一个对应于数据0。该相变层在晶态时的电阻可能低于该相变层在非晶态时的电阻。因此， 当相变层处于晶态时流过该相变层的电流可能大于当其处于非晶态时流过 该相变层的电流。通常，通过比较当施加读取电压到该相变层时测量出的电 流与参考电流，可以读取记录在相变层中的数据。在传统的存储节点中，钛(Ti)层和氮化钛(TiN)层可以顺序地沉积 在相变层上。该相变层可以是GST (Ge2Sb2Te5)层。该TiN层可以用作顶 部电极接触层，而...
【技术保护点】
一种相变材料层，包括：单层，包括上层部分和下层部分，该上层部分和该下层部分的晶格不同。
【技术特征摘要】
2006.12.15 KR 128940/061. 一种相变材料层，包括单层，包括上层部分和下层部分，该上层部分和该下层部分的晶格不同。2、 如权利要求1所述的相变材料层，其中该下层部分是掺杂杂质的硫 族化物材料层。3、 如权利要求2所述的相变材料层，其中该下层部分是选自由掺杂氮 的Ge-Sb-Te层、Ge-Sb-Te-N层、As-Sb-Te-N层、As-Ge-Sb-Te-N层、Sn-Sb-Te-N 层、(5A族元素)-Sb-Te-N层、(6A族元素)-Sb-Te-N层、(5A族元素)-Sb-Se-N层以及(6A族元素)-Sb-Se-N层组成的组中的一种。4、 如权利要求2所述的相变材料层，其中该上层部分是非掺杂的疏族 化物材料层。5、 如权利要求1所述的相变材料层，其中该下层部分的晶格是面心立 方晶格。6、 如权利要求1所述的相变材料层，其中该上层部分是非掺杂的疏族 化物材料层。7、 如权利要求6所述的相变材料层，其中该上层部分是选自由Ge-Sb-Te 层、As-Sb-Te层、As-Ge-Sb-Te层、Sn-Sb-Te层、(5A族元素)-Sb-Te层、(6A族元素)-Sb-Te层、(5A族元素)-Sb-Se层以及(6A族元素)-Sb-Se 层组成的组中的一种。8、 如权利要求1所述的相变材料层，其中该上层部分的晶格是六方密 堆积晶格。9、 一种相变存储器件，包括 开关器件；和连接到该开关器件的存储节点，该存储节点包括， 下叠层，权利要求1的所述相变材料层，和 上叠层，其中该下叠层、该相变材料层和该上叠层被顺序地沉积。10、 如权利要求9所述的相变存储器件，其中该下层部分是掺杂杂质的硫族化物材料层。11、 如权利要求10所述的相变存储器件，其中该下层部分是选自由掺杂氮的Ge-Sb-Te层、Ge-Sb-Te-N层、As-Sb-Te-N层、As-Ge-Sb-Tc-N层、 Sn-Sb-Te-N层、(5A族元素)-Sb-Te-N层、(6A族元素)-Sb-Te-N层、(5A 族元素)-Sb-Se-N层以及(6A族元素)-Sb-Se-N层组成的组中的一种。12、 如权利要求10所述的相变存储器件，其中该上层部分是非掺杂的 硫族化物材料层。13、 如权利要求9所述的相变存储器件，其中该下层部分的晶格是面心立方晶格。14、 如权利要求13所述的相变存储器件，其中该上层部分的晶格是六 方密堆积晶格。15、 如权利要求9所述的相变存储器件，其中该上层部分的晶格是六方 密堆积晶格。16、 如权利要求9所述的相变存储器件，其中该上层部分是非掺杂的硫 族化物材料层。17、 如权利要求16所述的相变存储器件，其中该上层部分是选自由 Ge-Sb-Te层、As-Sb-Te层、As-Ge-Sb-Te层、Sn-Sb-Te层、(5A族元素)-Sb-Te 层、(6A族元素)-Sb-Te层、(5A族元素)-Sb-Se层以及(6A族元素)-Sb-Se 层组成的组中的一种。18、 如权利要求9所述的相变存储器件，其中该上叠层包括顺序沉积的 粘结层和顶部电极。19、 一种形成相变材料层的方法，该方法包括通过将第 一 源材料和掺杂气体供应到衬底上来形成掺杂的下层； 停止供应该掺杂气体；并且通过将第二源材料供应到该下层上来形成非掺杂的上层；其中 所形成的非掺杂的上层和掺杂的下层的晶格是不同的。20、 如权利要求19所述的方法，其中该第一源材料和该第二源材料是 相同的。21、 如权利要求19所述的方法，其中该掺杂的下层和非掺杂的上层由 硫族化物材料层形成。22、 如权利要求19所述的方法，其...
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