用于制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及用于制造半导体器件的方法。本发明专利技术提供一种方法，通过这种方法可简单和精确地实施薄膜方法并且不使用抗蚀剂。进一步，本发明专利技术提供一种以低成本制造半导体器件的方法。在基板之上形成第一层，在该第一层之上形成剥落层，使用激光束从剥落层侧选择性照射该剥落层以减小部分剥落层的粘附性。接着，去除在具有减小的粘附性的部分中的剥落层，并且剥落层的剩余部分用作掩模以选择性刻蚀第一层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于制造具有半导体元fKsemiconductor elements)的半导皿件 (semiconductor devices)的方法。技术背景在常规方式中，fflil由4柳光掩模和針薄膜的选择性娜虹艺的光刻工艺 (photolithography process)形成的抗蚀剂掩禾幾resist mask),带腊由半导体元ft^故口薄 膜晶体管(此后称作TFT)或MOS薄膜晶体管构成的附胃的有源矩阵驱动型显示 面板(active matrix driving type display panels)或半导(^^j^电路。在光刻工艺中，抗蚀剂供应到對及(substmte)的M^面上，予鹏并_§3131光 掩模经受紫外线或诸如此类，以把光掩模图案暴露于粒下。显影该图案并用纯 7k清洗以形成抗蚀剂掩模。然后，4顿抗蚀齐腕模作为掩模，亥触除了将用作半 导体层或线路的部分以夕卜的薄騰由半导体材料、绝缘材料或导电材料形成的薄 蹄，以形成半导体层或线路。申请人在日本专利申请No.S63-84789中公开了一种技术。该狱为一种薄膜 处理方法，其中使用具有400nm或更小的波长的线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：在基板之上形成第一层；在该第一层之上形成剥落层；使用激光束选择性照射该剥落层以便减小该剥落层的粘附性；去除使用该激光束照射的部分该剥落层以暴露部分该第一层；和刻蚀该第一层的暴露部分以形成第二层。

【技术特征摘要】
JP 2006-10-17 2006-2826841. 一种制造半导体器件的方法，包括在基板之上形成第一层；在该第一层之上形成剥落层；使用激光束选择性照射该剥落层以便减小该剥落层的粘附性；去除使用该激光束照射的部分该剥落层以暴露部分该第一层；和刻蚀该第一层的暴露部分以形成第二层。2、 根据权利要求1的伟隨半导#^件的方法，其中该激光束具有至少被该 剥落层吸收的波长，并患人该剥落层的表面侧4OT该激光朿照J寸该剥落层。3、 根据权利要求1的制造半导#^件的方法，迸一步包括在该剥落层:^i: 形鹏光层，其中去除与该部分剥落Jl^i虫的部，，。4、 根据权利要求3的制造半导fl^件的方法，其中该激光束具有至少被该 剥落层吸收的波长，并_§>人^^光层侧^^该激光^ 谢该剥落层。5、 根据权利要求1的制造半导##1件的方法，其中该激棘具有被该剥落 层吸收的波长，并且其it)l该Sfe和織一层；禾口其中从该凝反侧4OT该激光柬照射该剥落层。6、 一种制造半导#^件的方法，包括 在凝feJ:形麟一剥落层；使用第一激光束选择性照射部分该第一剥落层以便减小该部分第一剥落层、'去除4OTi織一激光束照射的该部分第一剥落层以形成第二剥落层； 在織二剥落层和该凝肚形麟一恳4顿第二激光束照J寸i織二剥落层以便减小i織二剥落层的粘附性； 去除使用该第二激光束照射的该第二剥落层以及与该第二剥落层接触的第 —层以形麟二层。7、 根据权利要求6的制造半导#^件的方法，其中i織一激光束具有至少 被该第一剥落层吸收的波长，并_^人^^一剥落层的表面侧^^，一激光朿照 射織一剥落层。8、 根据权利要求6的制造半导#^件的方法，其中该第二激光束具有至少被该第二剥落层吸收的波长并且其M该第一 层；和其中从i織二剥落层的表面侧4OT，二激光^Mi...

【专利技术属性】
技术研发人员：下村明久，宫入秀和，神保安弘，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]