图像传感器及其制造方法技术

公开了一种图像传感器，其包括形成于层间介电层的对应金属互连件上的多个像素图案和形成于多个像素图案中的相邻像素图案之间的虚拟像素图案。虚拟像素图案不形成为连接到金属互连件。虚拟像素图案与多个像素图案之间可形成一定的间隔，使得在本征层中虚拟像素图案与像素图案之间形成气隙，其中本征层形成于虚拟像素图案和多个像素图案上。本发明专利技术能够抑制像素之间的串扰和噪声。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器，特别涉及。技术背景图像传感器是用于将光学图像转换成电信号的半导体器件，通常分为电耦合器件(CCD)图像传感器或互补金属氧化硅(CMOS)图像传感器(CIS)。CCD有多种缺点，例如驱动模式复杂以及功耗高。并且，CCD需要多 步光处理，因此制造工艺复杂。由于上述原因，近年来CIS作为能够克服CCD 缺点的下一代图像传感器备受关注。CIS在每个像素单元中包括光电二极管和MOS晶体管，由光电二极管和 MOS晶体管以开关模式顺序地检测电信号从而识别图像。在制造上述图像传感器方面，己付出努力提高图像传感器的光敏度。这 些努力其中之一引出了光收集技术。举例来说，CIS包括用于检测光的光检测部分和用于将检测到光处理成 电信号的逻辑电路部分。为了提高光敏度，已在努力增加图像传感器的光检 测部分的面积与总面积之比(称为填充因数)。但是，由于逻辑部分不 能去除，增加填充因数的能力限于有限区域。在高像素CIS目前用于移动电话或其它便携式设备的情况下，供接收光 线和将所接收的光转换成电信号的光电二极管位于CIS中金属互连件的下 方，以增加入射光的透射率。上述CIS具有这样一种结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，包括：半导体衬底，具有电路区域；层间介电层，形成于所述半导体衬底上，包括多个金属互连件；多个像素图案，位于所述层间介电层上，并连接到所述多个金属互连件中对应的金属互连件；以及虚拟像素图案，形成于所述多个像素图案中的相邻像素图案之间。

【技术特征摘要】
KR 2007-3-19 10-2007-00264011.一种图像传感器，包括半导体衬底，具有电路区域；层间介电层，形成于所述半导体衬底上，包括多个金属互连件；多个像素图案，位于所述层间介电层上，并连接到所述多个金属互连件中对应的金属互连件；以及虚拟像素图案，形成于所述多个像素图案中的相邻像素图案之间。2. 如权利要求1所述的图像传感器，进一步包括本征层和第二导电层，形成于所述多个像素图案和所述虚拟像素图案上;以及上电极，位于第二导电层上。3. 如权利要求2所述的图像传感器，其中所述上电极包含透明电极材料。4. 如权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个像素图案中的每个像 素图案包括-下电极，与所述对应的金属互连件接触；和 第一导电层。5. 如权利要求4所述的图像传感器，其中第一导电层是n型导电层。6. 如权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个像素图案中的每个像 素图案包括下电极，与所述对应的金属互连件接触，其中所述下电极是由能够在低 温下硅化的材料形成的。7. 如权利要求1所述的图像传感器，其中所述虚拟像素图案包括形成于 所述层间介电层上的下电极。8. 如权利要求1所述的图像传感器，其中所述虚拟像素图案包括形成于 所述层间介电层上的下电极材料和位于所述下电极材料上的第一导电层。9. 如权利要求1所述的图像传感器，其中在所述虚拟像素图案与所述相 邻像素图案之间形成有气隙。10. —种制造图像传感器的方法，包括以下步骤在具有电路区域的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玟炯，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]