固态摄像元件的制造方法技术

本发明专利技术提供不因回蚀处理而降低自对准硅化物阻挡膜的能力并可均匀地进行晶体管的源极／漏极注入的固态摄像元件的制造方法。在栅极电极（１１、２１）的侧表面形成的侧壁（３２、３３）作为掩模，形成晶体管的源极／漏极区域（１４、２４）。然后覆盖栅极电极（１１、２１）、侧壁（３２、３３）、源极／漏极区域（１４、２４）以及受光区域而形成供氢膜（３３）和自对准硅化物阻挡膜（３４）。在去除硅化区域的自对准硅化物阻挡膜（３４）后，形成金属膜（３８）并进行热处理，在硅化区域的栅极电极（２１）和源极／漏极区域（２４）的上部形成金属硅化膜（２５、２６），由此来制造固态摄像元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及固态摄像元件以及固态摄像元件的制造方法。特别是涉及在CMOS电路区域中形成高熔点金属硅化物，并在像素区域中不形成高熔 点金属硅化物的。
技术介绍
在CMOS固态摄像元件中，通过光照射而产生电荷的像素区域(光电 二极管)、和将所述受光区域中产生的电荷作为信号读出的晶体管(MOS 晶体管)被设置在共同衬底上。并且，像素内的CMOS晶体管使用没有硅化的即非硅化的晶体管，另 外，周围电路的MOS晶体管使用硅化的晶体管。硅化的MOS晶体管通过在由多晶硅构成的栅极电极的表面以及源极/ 漏极区域的表面形成高熔点金属硅化物层而构成。另外，非硅化的MOS晶体管通过形成由氮化硅膜构成的自对准硅化 物阻挡膜，而使晶体管不被硅化。并且，在自对准硅化物阻挡膜形成工序后，执行源极/漏极注入工序， 因此对于硅化的晶体管和非硅化的晶体管分别使用不同的工序(参见例如 专利文献l、专利文献2)。使用图5 图7来说明以往的CMOS固态摄像元件的制造方法。通过图5 图7的截面图，作为例子，仅对形成在像素区域以及逻辑 电路区域的晶体管内的多个电极中的各一个栅极电极进行说明。首先，在半导体层200的像素区域60本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态摄像元件，其特征在于，通过光照射而产生电荷的受光部和晶体管的源极／漏极区域被形成在半导体层中，并包括：包含所述受光部的非硅化区域，其中晶体管的源极／漏极区域以及栅极电极的表面未被硅化；以及硅化区域，其中至少晶体管的源极／漏极区域以及栅极电极的表面被硅化，在所述非硅化区域中，在晶体管的栅极电极的侧表面上形成有侧壁，覆盖所述半导体层、所述栅极电极、以及所述侧壁而形成有供氢膜，在所述供氢膜上形成有阻止硅化的自对准硅化物阻挡膜，在所述硅化区域中，在晶体管的栅极电极的侧表面形成有侧壁，而没有形成所述供氢膜以及所述自对准硅化物阻挡膜。

【技术特征摘要】
JP 2007-3-30 2007-0947551.一种固态摄像元件，其特征在于，通过光照射而产生电荷的受光部和晶体管的源极/漏极区域被形成在半导体层中，并包括包含所述受光部的非硅化区域，其中晶体管的源极/漏极区域以及栅极电极的表面未被硅化；以及硅化区域，其中至少晶体管的源极/漏极区域以及栅极电极的表面被硅化，在所述非硅化区域中，在晶体管的栅极电极的侧表面上形成有侧壁，覆盖所述半导体层、所述栅极电极、以及所述侧壁而形成有供氢膜，在所述供氢膜上形成有阻止硅化的自对准硅化物阻挡膜，在所述硅化区域中，在晶体管的栅极电极的侧表面形成有侧壁，而没有形成所述供氢膜以及所述自对准硅化物阻挡膜。2. 根据权利要求1所述的固态摄像元件，其特征在于， 所述侧壁在所述硅化区域和所述非硅化区域中具有相同的结构。3. 根据权利要求1所述的固态摄像元件，其特征在于， 所述侧壁由作为所述供氢膜的氧化硅膜和作为所述自对准硅化物阻挡膜的氮化硅膜这双层形成。4. 根据权利要求3所述的固态摄像元件，其特征在于， 所述氧化硅膜为HTO膜，所述氮化硅膜为通过低压CVD法而形成的SiN膜。5. —种固态摄像元件的制造方法，所述固态元件包括硅化区域，其 中至少晶体管的源极/漏极区域以及栅极电极的表面被硅化；以及非硅化区 域，其中晶体管的源极/漏极区域以及栅极电极的表面未被硅化，所述制造 方法的特征在于，包括以下工序在半导体层上形成栅极电极； 覆盖所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：城户英男，糸长总一郎，吉次快，千叶健一，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]