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本发明涉及一种相变材料层及其形成方法，相变存储器件及其形成方 法。该相变材料层是包括上层部分和下层部分的单层。上层部分和下层部分 的晶格是不同的。相变材料层通过供应带有掺杂气体的第一源到衬底形成 掺杂的下层而形成。停止该掺杂气体的供应并且通...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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