抗蚀剂图案的形成方法和通过该方法制造的半导体装置制造方法及图纸

技术编号:3171989 阅读:128 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
根据本发明专利技术的某实施方式,提供抗蚀剂图案的形成方法,该方法为在形成有被加工膜的半导体装置的基板上配置物镜,在物镜与基板之间形成液膜进行曝光的通过浸液曝光形成抗蚀剂图案的方法,其特征在于,对用至少含有拒水化剂和溶剂的拒水化剂药液处理了的基板进行曝光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及浸液曝光中要求的拒水性高、且膜剥离抑制效果大的抗蚀剂图案(y、^义卜八。夕一y)的形成方法和通过该方法制造的半导体装置。技术背景通过浸液型曝光形成抗蚀剂图案时,使用图2所示结构的装置(参照 Tomoham Fujiwara等人,Wafer Management between Coat/Developer Track and Immersion Lithography Tool, Optical Micro她ography XIX DonisG.Flagello编,Proc.ofSPIE,vo1.6154,2006)。该浸液型曝光装置中, 在透镜21的下方配置晶片22,纯水从喷嘴24的流入口 24a进入、从吸 入口 24b排出以在透镜21和晶片22的净皮照射面之间充满纯水23。在#皮 照射面上以单层抗蚀剂膜或多层抗蚀剂膜的形式形成微细加工用抗蚀 剂膜。在后者的多层抗蚀剂膜的情况下,微细加工用抗蚀剂膜的结构复 杂化,含有下层有机膜层、含硅中间层、感光性抗蚀剂层最少3种层。 此外,在浸液型曝光(浸液光刻)中,有时在微细加工用抗蚀剂膜的最上 层感光性抗蚀剂层上形成顶涂层本文档来自技高网...

【技术保护点】
抗蚀剂图案的形成方法,该方法为在形成有被加工膜(2)的半导体装置的基板(1)上配置物镜,在所述物镜与所述基板(1)之间形成液膜进行曝光的通过浸液曝光形成抗蚀剂图案的方法,其特征在于,    对用至少含有拒水化剂和溶剂的拒水化剂药液处理了的基板(1)进行曝光。

【技术特征摘要】
JP 2007-3-30 2007-094042;JP 2008-1-31 2008-0216041.抗蚀剂图案的形成方法,该方法为在形成有被加工膜(2)的半导体装置的基板(1)上配置物镜,在所述物镜与所述基板(1)之间形成液膜进行曝光的通过浸液曝光形成抗蚀剂图案的方法,其特征在于,对用至少含有拒水化剂和溶剂的拒水化剂药液处理了的基板(1)进行曝光。2. 权利要求1所述的抗蚀剂图案的形成方法,其中,向所述基板(1 ) 供给所述拒水化剂药液,使所述拒水化剂吸附在所述基板(1)上。3. 权利要求1所述的抗蚀剂图案的形成方法,其中,所述拒水化剂 含有氟类拒水化剂、硅氧烷类拒水化剂、氟-硅氧烷类拒水化剂、硅烷偶 联剂、曱硅烷基化剂、烷基化剂和酰化剂中的至少任意一种。4. 权利要求1所述的抗蚀剂图案的形成方法,其中,所述被加工膜 (2)包含形成于所述基板(1)上的下层有机膜层(8)、含硅中间层 (5)和感光性抗蚀剂层(6),所述被加工膜(2)通过包含在所述基板(1 )上进行旋涂的工序的 多层抗蚀剂法形成,含有至少在所述各旋涂间、最初的旋涂前以及最后的旋涂后的任意 时4几,用所述拒水化剂药液进行处理的工序。5. 权利要求4所述的抗蚀剂图案的形成方法,其中,所述基板(l) 具有顶涂层,包含在形成所述顶涂层前,用所述拒水化剂药液进行处理的工序。6. 权利要求4所述的抗蚀剂图案的形成方法,其中,所述拒水化剂 药液含有硅烷偶...

【专利技术属性】
技术研发人员:石桥健夫寺井护萩原琢也山口敦美
申请(专利权)人:株式会社瑞萨科技
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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