具有深沟槽的半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种具有深沟槽的半导体器件的制造方法，涉及半导体制造领域。该方法包括如下步骤：提供半导体衬底；对半导体衬底表面对应欲蚀刻深沟槽的位置处进行浅沟槽蚀刻步骤；对半导体衬底进行主蚀刻，即在浅沟槽的基础上蚀刻所述深沟槽，其中浅沟槽的宽度大于深沟槽的宽度。与现有技术相比，采用本发明专利技术的制造方法，使得后续在半导体衬底上沉积氧化层步骤后，不会出现深沟槽顶端变小的情况，进而使得后续沉积的多晶硅晶格排列整齐，减少缝隙出现，从而提高半导体器件的导电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，具体地说，涉及具有深沟槽(deeptrench)的 半导体器件的制造方法。
技术介绍
在半导体制造领域， 一般采用深沟槽蚀刻技术来制造功率开关器件。请参 阅图l及图2，现有功率开关器件的制造方法一般包括如下步骤提供半导体衬 底l;对半导体衬底表面因自然放置形成的氧化膜的进行蚀刻步骤；对半导体衬 底l进行主蚀刻，即蚀刻深沟槽2。但是采用现有的制造方法后，在后续向半导 体衬底1及深沟槽2沉积氧化层后，深沟槽2的顶端就会变小。这样导致后续 沉积的多晶硅晶格排列不整齐，很容易出现缝隙，从而严重影响功率开关器件 的导电性能。因此，需要提供一种新的制造方法克服上述缺陷。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种导电性能好的具有深沟槽的半导体器件 的制造方法。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种具有深沟槽的半导体器件的制造 方法，其包括如下步骤提供半导体衬底；对半导体衬底表面对应欲蚀刻深沟 槽的位置处进行浅沟槽蚀刻步骤；对半导体衬底进行主蚀刻，即在浅沟槽的基 础上蚀刻所述深沟槽，其中浅沟槽的宽度大于深沟槽的宽度。与现有技术相比，本专利技术制造方法采用在深沟槽蚀刻步骤之前进行浅沟槽 蚀刻步骤，且浅沟槽的宽度大于深沟槽的宽度，使得后续在半导体衬底沉积氧 化层步骤后，不会出现深沟槽顶端变小的情况，进而使得后续沉积的多晶硅晶 格排列整齐，减少缝隙出现，从而起到提高半导体器件的导电性能的有益效果。附图说明通过以下对本专利技术一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其专利技术的目的、具体结构特4i和优点。其中，附图为图2为现有制造方法中对半导体衬底沉积氧化层后的示意图。图3为采用本专利技术制造方法中对半导体衬底蚀刻浅沟槽的示意图。具体实施方式请参阅图3,本专利技术公开了一种。该方 法包括如下步骤提供半导体衬底10;采用四氟化-犮(CF4)蚀刻气体，蚀刻半导 体衬底表面因自然放置而产生的氧化膜，其中四氟化碳气体流量为50sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute,每分4中标准毫升)，蚀刻时间为15 秒；采用溴化氢(HBr)和二氧化氦(He02)蚀刻气体，对半导体衬底进行点火(Ignition)步骤，即对半导体衬底进行浅沟槽40蚀刻，其中溴化氢的气体流 量为lOOsccm, 二氧化氦的气体流量为20sccm,蚀刻时间为15秒；采用氧气、 六氟化硫(SF6)、三氟曱烷(CHF3)及氩气(Ar)蚀刻气体，在浅沟槽40的位 置处继续向下对半导体衬底进行深沟槽20蚀刻，氧气的气体流量80sccm,六氟 化硫的气体流量40sccm,三氟甲烷的气体流量25sccm，氩气的气体流量75sccm, 蚀刻时间为40秒，其中浅沟槽40的宽度大于深沟槽20的宽度。接下来的步骤即对半导体衬底沉积氧化层，氧化层覆盖所述深沟槽20的侧 壁和底壁。由于位于深沟槽20顶端的浅沟槽40的宽度大于深沟槽20的宽度， 因此氧化层沉积后不会造成深沟槽20顶端变小的情况，这样在沉积多晶硅时不 易产生缝隙，多晶硅的晶格排列规则。采用此种制造方法获得的半导体器件获 得较好的导电性能。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有深沟槽的半导体器件的制造方法，其包括如下步骤：提供半导体衬底；对半导体衬底进行深沟槽蚀刻；其特征在于：在深沟槽蚀刻之前还包括对半导体衬底表面对应深沟槽位置处进行浅沟槽蚀刻步骤，所述深沟槽是在浅沟槽的基础上蚀刻的，且浅沟槽的宽度大于深沟槽的宽度。

【技术特征摘要】
1. 一种具有深沟槽的半导体器件的制造方法，其包括如下步骤提供半导体衬底；对半导体衬底进行深沟槽蚀刻；其特征在于在深沟槽蚀刻之前还包括对半导体衬底表面对应深沟槽位置处进行浅沟槽蚀刻步骤，所述深沟槽是在浅沟槽的基础上蚀刻的，且浅沟槽的宽度大于深沟槽的宽度。2. 如权利要求1所述的制造方法，其特征在于在蚀刻前沟槽步骤前还包括对 半导体衬底表面因自然放置形成的氧化膜的蚀刻步骤。3. 如权利要求1所述的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：王立，黄晶，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]