一种半导体器件的制造方法和电子装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法和电子装置。
技术介绍
SOI(Silicon-On-Insulator，即绝缘体上硅)是指在硅的绝缘衬底上再形成一薄层单晶硅，或者是单晶薄硅层被绝缘层从硅衬底分开，这种结构的材料可以使器件和衬底完全隔离，而传统的采用体硅作为衬底的所有器件共享一个衬底不存在任何物理介电隔离。与常规的体硅技术相比，SOI技术具有以下优点:寄生效应小、功耗减小、速度提高、集成度高、抗辐射能力增强、消除了闭锁效应、漏电流小、能为器件和电路提供良好的全介质隔离等，鉴于上述优点的存在，SOI技术在低压、低功耗电路、高频微波电路以及耐高温抗辐射电路及三维集成电路中有着广泛的应用。虽然SOI技术有着诸多体硅不可比拟的优点，但SOI衬底的制备复杂，使得SOI衬底成本较高，直接制约了其在半导体产业的应用。相应地，使用绝缘体上硅衬底的半导体器件(例如射频前端器件)，往往成本比较高。深沟槽隔离(DTI)工艺已被广泛研究和应用了很长一段时间，与此同时，硅晶圆的熔融键合/堆叠和背面工艺在薄膜硅器件的背面工艺中的应用也更加成熟，背面减薄到2...
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S201：提供第一衬底(100)，从所述第一衬底(100)的第一表面(1001)形成位于所述第一衬底(100)内的深沟槽隔离结构(101)；步骤S202：在所述第一表面(1001)一侧的所述第一衬底(100)上形成至少一个前端器件(102)，形成覆盖所述第一表面(1001)的第一介电盖帽层(103)以及位于所述第一介电盖帽层(103)内的互连结构(104)；步骤S203：提供承载衬底(200)，将所述第一衬底(100)的形成有所述第一介电盖帽层(103)的一侧与所述承载衬底(200)相接合；步骤S204：从与所述第一表...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S201：提供第一衬底(100)，从所述第一衬底(100)的第一表面(1001)形成位于所述第一衬底(100)内的深沟槽隔离结构(101)；步骤S202：在所述第一表面(1001)一侧的所述第一衬底(100)上形成至少一个前端器件(102)，形成覆盖所述第一表面(1001)的第一介电盖帽层(103)以及位于所述第一介电盖帽层(103)内的互连结构(104)；步骤S203：提供承载衬底(200)，将所述第一衬底(100)的形成有所述第一介电盖帽层(103)的一侧与所述承载衬底(200)相接合；步骤S204：从与所述第一表面(1001)相对的第二表面(1002)对所述第一衬底(100)进行减薄处理，停止于所述深沟槽隔离结构(101)内；步骤S205：在所述第一衬底(100)的所述第二表面(1002)上形成第二介电盖帽层(105)，形成贯穿所述第二介电盖帽层(105)、所述深沟槽隔离结构(101)和部分所述第一介电盖帽层(103)且与所述互连结构(104)相连的至少一个硅通孔(106)。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述深沟槽隔离结构的步骤包括：步骤S2011：在所述第一衬底的第一表面上形成图案化的掩膜层，所述掩膜层内定义有所述深沟槽隔离结构的尺寸；步骤S2012：以所述图案化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一衬底形成深沟槽；步骤S2013：在所述深沟槽内填充深沟槽隔离材料。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S2013包括：在所述深沟槽内填充满多晶硅层；回蚀刻所述多晶硅层；在所述多晶硅层上形成氧化硅层；对所述氧化硅层进行化学机械研磨，停止于所述第一衬底的第一表面上。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，采用对所述多晶硅层进行氧化的方法形成所述氧化硅层。5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S2012和所述步骤S2013之间，还包括在所述深沟槽的侧壁上形成衬垫层的步骤。6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱继光，李海艇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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