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本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。包括：提供第一衬底，从第一衬底的第一表面形成位于第一衬底内的深沟槽隔离结构；在第一表面一侧的第一衬底上形成至少一个前端器件，形成覆盖第一表面的第一介电盖帽层以及位于第一介电盖...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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