【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别是涉及形成接触的改进方法和设备。随着基础规则的降低接触构图变得越来越难以光刻印刷。对于存储器和/或逻辑芯片，例如动态随机存取存储器(DRAM)芯片和嵌入DRAM芯片，例如使用亚微米基础规则。采用相当简单的图象增强技术(例如离轴光照)，能够相当好地印制亚微米线间隔图形。但是印制亚微米接触要困难地多。因为接触孔一般是形成分离的孔，构图时产生的象差和干涉图形，使得即使采用先进的技术如相移掩模，也难以可靠地形成接触孔。接触与导体例如金属线的对准是重要的。当接触和金属线尺寸很小时，对准相当困难，非常容易发生金属线和接触之间失去连接以及接触与相邻线短路。因此，需要对半导体器件的接触进行改进，使得能够形成降低到基础规则尺寸的接触。还需要改进接触的形成方法，降低与金属线不重合的风险。半导体器件的一种构图方法，包括以下步骤，提供衬底层，衬底层上形成有绝缘层并且掩模层形成在绝缘层上，掩模层可相对于绝缘层被选择地腐蚀，对掩模层构图，在掩模层中形成第一组基本平行的线，对绝缘层构图，形成向下通到衬底层的矩形孔。半导体器件的另一种构图方法，根据本专利技术，...
【技术保护点】
一种半导体器件的构图方法，其特征在于包括以下步骤： 提供衬底层，衬底层上形成有绝缘层并且掩模层形成在绝缘层上，掩模层可相对于绝缘层被选择地腐蚀； 对掩模层构图，在掩模层中形成第一组基本平行的线； 对绝缘层构图，形成向下通到衬底层的矩形孔。
【技术特征摘要】
US 1999-1-6 09/2264341.一种半导体器件的构图方法，其特征在于包括以下步骤提供衬底层，衬底层上形成有绝缘层并且掩模层形成在绝缘层上，掩模层可相对于绝缘层被选择地腐蚀；对掩模层构图，在掩模层中形成第一组基本平行的线；对绝缘层构图，形成向下通到衬底层的矩形孔。2.根据权利要求1的方法，其特征在于还包括在孔中淀积导体材料形成与衬底层的接触的步骤。3.根据权利要求1的方法，其特征在于衬底层包括半导体衬底，该方法还包括腐蚀半导体衬底在其中形成深沟槽的步骤。4.根据权利要求1的方法，其特征在于还包括把孔形成为正方形的步骤。5.根据权利要求4的方法，其特征在于形成孔的步骤包括把孔形成为矩形和正方形之一的步骤，其中矩形和正方形的至少一侧边包括给定技术的最小特征尺寸。6.根据权利要求1的方法，其特征在于还包括调节构图形成不同尺寸的孔的步骤。7.根据权利要求1的方法，其特征在于还包括调节构图提供不同孔图形的步骤。8.根据权利要求1的方法，其特征在于还包括以下步骤在绝缘层中腐蚀对应于孔位置的线；在孔和线中淀积导体材料。9.一种半导体器件的构图方法，包括以下步骤提供衬底层，衬底层上形成有绝缘层，第一掩模层形成在绝缘层上并且第二掩模层形成在第一掩模层上，第二掩模层和绝缘层可相对于第一掩模层被选择地腐蚀；对第二掩模层构图，在第二掩模层中形成第一组基本平行的线；对第一掩模层构图在其中形成矩形孔；依据矩形孔对绝缘层蚀刻，在绝缘层中形成矩形孔；去除第一掩模层和第二掩模层的剩余部分。10.根据权利要求9的方法，其特征在于衬底层包括半导体衬底，该方法还包括依据在绝缘层形成的矩形孔腐蚀半导体衬底，在其中形成深沟槽的步骤。11.根据权利要求9的方法，其特征在于还包括把矩形孔形成为正方形的步骤。12.根据权利要求9...
【专利技术属性】
技术研发人员：TS鲁普，A托马斯，F扎克，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术北美公司，国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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