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一种半导体器件的构图方法，包括以下步骤，提供衬底层，衬底层上形成有绝缘层并且掩模层形成在绝缘层上，掩模层可相对于绝缘层被选择地腐蚀，对掩模层构图，在掩模层中形成第一组基本平行的线，对绝缘层构图，形成向下通到衬底层的矩形孔。还包括一种根据本发...
该专利属于因芬尼昂技术北美公司;国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术北美公司;国际商业机器公司授权不得商用。

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