【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于 一种半导体元件的工艺，且特别是有关于 一种移除基底 上的绝缘层的方法，以及对应的化学机械研磨工艺。
技术介绍
随着半导体元件线幅的持续微型化，高速、更多功能、高元件集成度、低功率消耗及低成本的ULSI集成电路芯片得以大量生产制造。然而，微型 化将造成曝光景深缩减，对于晶片表面的平坦度的要求更为严苛。因此，目 前晶片的平坦化(planarization)工艺都是依赖化学机械研磨技术来达到晶片 内全域性平坦化，，(global planarization)。化学机械研磨技术具有独特的非等 向性去除性质，除了可用于晶片表面的平坦化的外，亦可应用于垂直及水平 金属内连线(interconnects)的镶嵌结构的制作、前段工艺中的浅沟槽隔离(STI) 结构制作及先进元件的制作、微机电系统平坦化和平面显示器制作等。CMP技术是利用机械力研磨的原理，配合适当的研浆(slurry)进行水解 反应，以将高低起伏的表面予以磨平。典型的化学机械研磨技术是将晶片 的待研磨面与旋转的研磨垫(polishing pad)对向配置，并在研磨垫上提供含研 磨粒(abmsiv...
【技术保护点】
一种移除基底上的绝缘层的方法，包括对该绝缘层进行第一化学机械研磨工艺以及后续的第二化学机械研磨工艺，该第一化学机械研磨工艺所使用的研浆与该第二化学机械研磨工艺所使用的研浆的ｐＨ值相等且大于７，且其中在该第一与第二化学机械研磨工艺之间 包括清除步骤，以除去会导致有害微粒产生的特定物质。
【技术特征摘要】
1.一种移除基底上的绝缘层的方法，包括对该绝缘层进行第一化学机械研磨工艺以及后续的第二化学机械研磨工艺，该第一化学机械研磨工艺所使用的研浆与该第二化学机械研磨工艺所使用的研浆的pH值相等且大于7，且其中在该第一与第二化学机械研磨工艺之间包括清除步骤，以除去会导致有害微粒产生的特定物质。2. 如权利要求1所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步骤在 研磨盘中进行，该研磨盘与该第 一化学机械研磨工艺所使用的研磨盘相同， 或相异。3. 如权利要求1所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该第一化学机 械研磨工艺包括非固定式化学机械研磨工艺，且该第二化学机械研磨工艺包 括固定式化学机械研磨工艺。4. 如权利要求3所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该特定物质为 该第 一化学机械研磨工艺所使用的第 一研磨粒，该第 一研磨粒会与该第二化 学机械研磨工艺所使用的第二研磨粒作用，而形成该有害微粒。5. 如权利要求4所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该第一研磨粒 的材质包括氧化硅，该第二巧磨.但的村盾包^氧化^,— 曰i，有害微粒为 CexSiOy微粒。6. 如权利要求4所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步骤包 括以去离子水沖洗该基底，并同时磨光该基底。7. 如权利要求6所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步骤在 研磨盘中进行，该研磨盘与该第 一化学机械研磨工艺所使用的研磨盘相异或 相同。8. 如权利要求7所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步骤在 具有磨光垫的研磨盘中进行，该研磨盘与该第一化学机械研磨工艺所使用者 相异。9. 如权利要求4所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步骤包 括以化学品处理该基底，使该绝缘层与附着在该绝缘层上的多个第一研磨 粒具有相同电性的电荷，并同时磨光该基底。10. 如权利要求9所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步 骤在研磨盘中进行，该研磨盘与该第 一化学机械研磨工艺所使用的研磨盘相异11. 如权利要求IO所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步 骤在具有磨光垫的研磨盘中进行。12. 如权利要求9所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该化学品 包括氨水，或是含有氨水的溶液。13. 如权利要求4所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步 骤包括以化学品移除部分该绝缘层与附着在该绝缘层上的多个第一研磨粒。14. 如权利要求13所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步 骤在化学槽中进行。15. 如权利要求13所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步 骤还包括同时磨光该基底。16. 如权利要求15所述的移除基底上的绝缘层的方法，其中该清除步 骤在研磨盘中进行，该研...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕战，蔡腾群，李志岳，杨凯钧，黄建中，陈佳禧，吴姿慧，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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