【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种叠层基板的裁切方法、具有该叠层基板的半导体器件 的制造方法、半导体器件、发光装置以及背光灯装置,其中,上述叠层基 板的正面形成有第一金属层,其反面形成有第二金属层。
技术介绍
以下说明现有叠层基板的裁切方法。图8 (a) 图8 (c)是说明现 有叠层基板的裁切方法的剖面图。导体部71连接绝缘基板75的轮廓线, 且导体部71和独立于轮廓线的导体部72通过电解电镀用导通部73相互 连接。如图8 (b)所示,在导通部73上形成预切口 74,然后如图S (c) 所示,通过扩孔加工法等在绝缘基板75上形成凹部76,从而裁切导通部 73。图9 (a)和图9 (b)是说明现有的叠层基板的另一裁切方法的剖面 图。在基板61的主面61a上形成有多个金属镀敷层62。通过基板61正面 的露出部也就是非金属镀敷部63将上述金属镀敷层62分离、分割成各种 大小。非金属镀敷部63是进行裁切时的切口,其宽度被设定为大于在裁 切时所使用刀具的刀刃宽度。然后,将基板61安装在精密裁切机(未图 示)等上,通过外缘刃的金刚石刀具64等,沿着由非金属镀敷部63所构 成的切口将基板61 ...
【技术保护点】
一种叠层基板的裁切方法,该叠层基板的正面形成有第一金属层且反面形成有第二金属层,该叠层基板的裁切方法包括分别从上述第一金属层侧和上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止的步骤;从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度和从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽度相互不同。
【技术特征摘要】
JP 2007-5-15 2007-1297911.一种叠层基板的裁切方法,该叠层基板的正面形成有第一金属层且反面形成有第二金属层,该叠层基板的裁切方法包括分别从上述第一金属层侧和上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止的步骤;从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度和从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽度相互不同。2. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法,其中, 从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽度小于从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度。3. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法,其中, 从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽度大于从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度。4. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法,其中, 对叠层基板进行裁切,使得宽度较小的切口位于宽度较大的切口的内5. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法,其中, 最后的裁切步骤的切口宽度小于其它裁切步骤的切口宽度。6. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法,其中, 从第一金属层侧裁切上述第一金属层和上述叠层基板之间的界面; 从第二金属层侧裁切上述第二金属层和上述叠层基板之间的界面。7. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法,其中, 上述第一金属层的厚度大于上述第二金属层的厚度。8. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法,其中, 用超硬刀片裁切上述第一金属层。9. 根据权利要求8所述的叠层基板的裁切方法,其中, 一边沿着上述刀片的半径方向对上述刀片施加超声波一边进行裁切。10. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法,其中, 上述叠层基板是由不同材料层叠而成的多层基板。11. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法,其中, 上述叠层基板包括环氧玻璃基板。12. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法,其中, 上述叠层基板包括多层配线树脂层。13. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法,其中, 上述裁切步骤包括从上述第一金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止从而形成第一裁切槽的步骤;以及从上述第二金属层 侧进行裁切并裁切到上述第一裁切槽为止从而形成第二裁切槽的歩骤,上述形成第一裁切槽的步骤包括用超硬刀片裁切上述第一金属层并 裁切至接近上述叠层基板的步骤。14. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法,其中, 上述裁切步骤包括从上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止从而形成...
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