【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例涉及一种发光器件以及制造这种发光器件的方法。
技术介绍
近来，由于诸如氮化镓(GaN)之类的氮化物半导体具有卓越的物理 和化学特性，因此其作为电子器件和光电材料的重要材料，引^A们的广 泛的注意。具体来说，基色(红、蓝、绿色)和白色的高效发光二极管(LED) 扩大了发光二极管的应用范围。例如，LED —直应用于诸如小键盘、液 晶显示设备的背光、交通灯、机场跑道的导向灯和照明设备之类的各领域。图1示出了相关技术的发光器件的截面图。该相关技术的发光器件包括按顺序形成的n型GaN层12、有源层 13以及p型GaN层14。通过蚀刻，去除p型GaN层14、有源层13 以及n型GaN层12的某些部分，以暴露n型GaN层12的上表面 的一部分。在p型GaN层14的上表面上形成p型电极15,并在n 型GaN层12的已暴露的上表面形成n型电极16。上述发光器件作为高效光源被应用于各种领域。然而，该相关技术的 发光器件非常容易受到诸如静电之类的电击的影响。换句话说，发光器件 中的在反向偏置下生成的静电放电(ESD)可能损坏发光器件的内部物理 结构。此外，由于相关...
【技术保护点】
一种发光器件，包括：衬底； 位于所述衬底的一部分上、并包括第一半导体层和第二半导体层的发光单元；位于所述衬底的另一部分上、并包括第四半导体层和第五半导体层的保护单元；以及用于电连接所述发光单元与所述保护单元的连接线。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2006-3-26 10-2006-00272251. 一种发光器件，包括 衬底；位于所述村底的一部分上、并包括第一半导体层和第二半导体层的发 光单元；位于所述衬底的另一部分上、并包括第四半导体层和第五半导体层的 保护单元；以及用于电连接所述发光单元与所述保护单元的连接线。2. 如权利要求1所述的发光器件，包括 所^JL光单元上的第一接合焊盘；以及 所述保护单元上的第二接合焊盘。3. 如权利要求1所述的发光器件，包括 所述保护单元的一部分上的第一接合焊盘；以及 所述保护单元的另 一部分上的第二M焊盘。4. 如权利要求1所述的发光器件，包括 所述第二半导体层上的第 一欧姆形成层； 所述第五半导体层上的第二欧姆形成层； 所述第一欧姆形成层上的第一M焊盘；以及 所述第二欧姆形成层上的第二M焊盘。5. 如权利要求1所述的发光器件，包括 所述第二半导体层上的第 一欧姆形成层； 所述第五半导体层上的第二欧姆形成层； 所述第二欧姆形成层上的第二#焊盘；以及 所述第四半导体层上的第一M焊盘。6. —种发光器件，包括 村底；位于衬底的一部分上、并包括第一、第二和第三半导体层的发光单元；位于所述衬底的另一部分上、并包括第四、第五和第六半导体层的保护单元；以及用于电连接所^JL光单元与所迷保护单元的连接线。7. 如权利要求6所述的发光器件，包括 所逸义光单元上的第一接合焊盘；以及 所述保护单元上的第二接合焊盘。8. 如权利要求6所述的发光器件，包括 所述保护单元的一部分上的笫一接合焊盘；以及 所述保护单元的另 一部分上的第二接合焊盘。9. 如权利要求6所述的发光器件，包括 所述第三半导体层上的第一欧姆形成层； 所述第六半导体层上的第二欧姆形成层； 所述第一欧姆形成层上的第一掩^焊盘；以及 所述第二欧姆形成层上的第二M焊盘。10. 如权利要求6所述的发光器件，包括 所述第三半导体层上的第 一欧姆形成层； 所述第六半导体层上的第二欧姆形成层； 所述第二欧姆形成层上的第二M焊盘；以及 所述第四半导体层上的第一M焊盘。11. 一种制itil光...
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