Ⅲ族氮化物系半导体发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种Ⅲ族氮化物系半导体发光元件（１１），其中，ｐ型Ａｌ↓［Ｙ］Ｇａ↓［１－Ｙ］Ｎ层（１９）的ｐ型掺杂剂浓度Ｎ↓［ｐ１９］比ｐ型Ａｌ↓［Ｘ］Ｇａ↓［１－Ｘ］Ｎ层（１５）的ｐ型掺杂剂浓度Ｎ↓［ｐ１５］大，因此，ｐ型掺杂剂从ｐ型Ａｌ↓［Ｙ］Ｇａ↓［１－Ｙ］Ｎ层（１９）向ｐ型Ａｌ↓［Ｘ］Ｇａ↓［１－Ｘ］Ｎ层（１５）扩散，且到达ｐ型Ａｌ↓［Ｘ］Ｇａ↓［１－Ｘ］Ｎ层（１５）和活性层（１７）的界面附近。ｐ型Ａｌ↓［Ｘ］Ｇａ↓［１－Ｘ］Ｎ层（１５）和活性层（１７）的界面附近的ｐ型Ａｌ↓［Ｘ］Ｇａ↓［１－Ｘ］Ｎ层（１５）中，ｐ型掺杂剂的浓度分布曲线ＰＦ１↓［Ｍｇ］变得陡峭。另外，ｐ型Ａｌ↓［Ｚ］Ｇａ↓［１－Ｚ］Ｎ层（２１）的ｐ型掺杂剂浓度与ｐ型Ａｌ↓［Ｙ］Ｇａ↓［１－Ｙ］Ｎ层（１９）的ｐ型掺杂剂浓度Ｎ↓［ｐ１９］被独立地规定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种m族氮化物系半导体发光元件。技术背景专利文献l(日本特开平8-330629号公报)中记载有一种氮化物半 导体发光元件。阳极与第一 p型氮化物半导体层接触。在活性层上， 第二 p型氮化物半导体层位于p型包覆层和第一 p型氮化物半导体层 之间。g卩，在活性层上依次设置有p型包覆层、第二p型氮化物半导 体层和第一 p型氮化物半导体层。第二 p型氮化物型半导体层的受主 杂质浓度比阳极接触的第一 p型氮化物半导体层的受主杂质浓度低。专利文献2(日本特开平10-4210号公报)中记载有一种III族氮化 物化合物半导体发光元件。在发光层上依次设置有p型Ala()SGaa92N包 覆层、p型第一 GaN接触层以及p+型第二 GaN接触层，且电极与p+ 型第二GaN接触层接触。对比文献1及2中记载的发光元件中，在活性层上设置有由p型 AlGaN电子包覆层/p型GaN接触层构成的层压层。p型GaN接触层包 含通常Mg浓度的p型GaN层和高Mg浓度的p型GaN层。期望提高该结构的发光二极管的光输出功率。根据专利技术人对发光 二极管的特性解析，在p型半导体层和量子阱结构活性层的界面附本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ⅲ族氮化物系半导体发光元件，其特征在于，具备：　ｎ型氮化镓系半导体层；　第一ｐ型Ａｌ↓［Ｘ］Ｇａ↓［１－Ｘ］Ｎ层，其中０≤Ｘ＜１；　设于所述ｎ型氮化镓系半导体层和所述第一ｐ型Ａｌ↓［Ｘ］Ｇａ↓［１－Ｘ］Ｎ层之间、且包含ＩｎＧａＮ层的发光层；　设于所述第一ｐ型Ａｌ↓［Ｘ］Ｇａ↓［１－Ｘ］Ｎ层上的第二ｐ型Ａｌ↓［Ｙ］Ｇａ↓［１－Ｙ］Ｎ层，其中０≤Ｙ≤Ｘ＜１；　设于所述第二ｐ型Ａｌ↓［Ｙ］Ｇａ↓［１－Ｙ］Ｎ层上的第三ｐ型Ａｌ↓［Ｚ］Ｇａ↓［１－Ｚ］Ｎ层，其中０≤Ｚ≤Ｙ≤Ｘ＜１；和　与所述第三ｐ型Ａｌ↓［Ｚ］Ｇａ↓［１－Ｚ］Ｎ层接触的ｐ电极，　并且，所述第二ｐ型Ａｌ↓［Ｙ］Ｇａ↓［１－Ｙ］Ｎ层的ｐ...

【技术特征摘要】
JP 2007-6-21 2007-1640601.一种III族氮化物系半导体发光元件，其特征在于，具备n型氮化镓系半导体层；第一p型AlXGa1-XN层，其中0≤X＜1；设于所述n型氮化镓系半导体层和所述第一p型AlXGa1-XN层之间、且包含InGaN层的发光层；设于所述第一p型AlXGa1-XN层上的第二p型AlYGa1-YN层，其中0≤Y≤X＜1；设于所述第二p型AlYGa1-YN层上的第三p型AlZGa1-ZN层，其中0≤Z≤Y≤X＜1；和与所述第三p型AlZGa1-ZN层接触的p电极，并且，所述第二p型AlYGa1-YN层的p型掺杂剂浓度比所述第一p型AlXGa1-XN层及所述第三p型AlZGa1-ZN层的p型掺杂剂浓度大。2. 如权利要求1所述的III族氮化物系半导体发光元件，其中， 所述第二 p型AlYGai.YN层的p型掺杂剂浓度为1 X 102Qcm—3以上。3. 如权利要求1或2所述的III族氮化物系半导体发光元件，其 中，所述第三p...

【专利技术属性】
技术研发人员：上野昌纪，京野孝史，善积祐介，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]