半导体封装体以及使用半导体封装体的半导体器件制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装体（６０）以及使用这种半导体封装体（６０）的半导体器件（７０）。在所述半导体封装体（６０）中，形成有连接盘焊盘（１８）的区域位于形成有倒装芯片连接焊盘（１６）的区域的外侧，保护部件（３９）使形成有连接盘焊盘（１８）的区域内的连接盘焊盘（１８）露出，并且保护部件（３９）包括：框架形结构部分（３９Ａ），其布置成包围倒装芯片连接焊盘（１６）；以及支撑膜部分（３９Ｂ），其布置在框架形结构部分（３９Ａ）的外侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装体以及使用这种半导体封装体的半导体 器件，更具体地说，本专利技术涉及包括倒装芯片连接焊盘和用于球栅阵 列(BGA， Ball Grid Array)连接或矩栅阵列(LGA， Land Grid Array)连接的连接盘焊盘的半导体封装体，以及使用这种半导体封装体的半 导体器件。
技术介绍
在用于便携电话或数字相机的半导体封装体和使用这种半导体 封装体的半导体器件中，希望提高密度并且减小尺寸。在密度提高并 且尺寸减小的半导体封装体和半导体器件的组装技术中，采用半导体 芯片的倒装芯片连接结构作为有效措施。在倒装芯片连接结构中，在芯片安装区域，半导体芯片与半导 体封装体的基板之间的间隔非常小，也就是说，在高密度连接结构中 该间隔大约为30pm。因此，使用低粘度的树脂作为底部填充树脂。在使用低粘度的底部填充树脂的情况下，底部填充树脂或多或 少地会从倒装芯片连接区域流出。通常，这对外观只有轻微的影响并 且可以忽视。然而，当半导体芯片自身的尺寸减小并且半导体芯片与 其它电子元件的密度提高时，存在底部填充树脂的流出会有害地影响 外围芯片和电子元件的可能性。在最近几年中，存在通过以下方式形成的层叠式半导体器件， 艮口在连接有半导体元件倒装芯片的半导体器件上安装另一半导体器 件，然后通过LGA连接使这些半导体器件相互连接。在半导体器件 中，需要一种形成围堰的方法，所述围堰防止底部填充树脂经由设置 成包围芯片安装区域的保护阻挡层流出，从而使底部填充树脂不会流 向布置在半导体封装体的芯片安装区域外侧的用于BGA连接或LGA连接的连接盘焊盘。[专利文献1] JP-A-2006-351559图14是说明性视图，示出了制造包括倒装芯片连接焊盘和用于 BGA连接或LGA连接的连接盘焊盘的半导体封装体的中间步骤。形成在半导体元件10 (见图12)上的凸点12 (金凸点)与倒装 芯片连接焊盘16结合，焊球或连接插脚与用于BGA连接或LGA连 接的连接盘焊盘18连接。为此，将焊料覆盖在倒装芯片连接焊盘16 中的铜焊盘表面上。此外，在用于BGA连接或LGA连接的连接盘 焊盘18中也可以使用铜焊盘。然而，为了使连接盘焊盘18更合适， 理想的是应当在铜焊盘表面上施加金属镀层36 (例如，镍镀层和金 镀层)。在向连接盘焊盘18施加镍镀层和金镀层的情况下，在形成基板 14的步骤中，在基板14的表面上形成配线图案、倒装芯片连接焊盘 16和连接盘焊盘18，随后，首先将金属镀层36施加在用作连接盘焊 盘18的焊盘部分上，然后将焊料52a覆盖在用作倒装芯片连接焊盘 16的焊盘部分上。更具体地说，当要将金属镀层36施加在用作连接盘焊盘18的 焊盘部分18a上时，用抗镀层涂覆用作倒装芯片连接焊盘16的焊盘 部分16a以便施加金属镀层36;当要将焊料粉末52涂覆在用作倒装 芯片连接焊盘16的焊盘部分16a上时，把掩模带42粘在连接盘焊盘 18上并因此盖住连接盘焊盘18。连接盘焊盘18设置在包围形成有倒装芯片连接焊盘16的区域 的外部区域内，由包围形成有倒装芯片连接焊盘16的区域的保护阻 挡层形成围堰D。围堰D用于防止底部填充树脂37 (见图12)流向 形成有连接盘焊盘18的区域，并且设置成从树脂基板30或阻焊层 38向上突起。如上文所述，粘贴掩模带42以遮蔽连接盘焊盘18。然 而，由于形成了围堰D，所以掩模带42不能平整地粘在形成有连接 盘焊盘18的区域上。因此，如图14所示，存在如下问题，即在掩 模带42与形成有连接盘焊盘18的区域之间产生间隙S。在用焊料粉 末52涂覆用作倒装芯片连接焊盘16的焊盘部分16a的情况下，把粘性溶液粘在焊盘部分16a上。因此，当在这种状态下提供粘性溶液时， 该粘性溶液会从形成有连接盘焊盘18的区域与掩模带42之间的间隙 S流入形成有连接盘焊盘18的区域，或者焊料粉末52会粘在连接盘 焊盘18上，使得不能保护连接盘焊盘18表面上的金属镀层36，从 而产生有缺陷的产品。
技术实现思路
因此，提出了本专利技术来解决这些问题，并且本专利技术的目的是提 供一种半导体封装体和一种使用该半导体封装体的半导体器件，该半 导体封装体具有通过包括倒装芯片连接和BGA连接或LGA连接在内的不同连接方法获得的连接悍盘，其中可以可靠地在每个连接焊盘 内进行表面处理并且生产效率高。根据本专利技术的第一方面，提供了一种半导体封装体，包括形成有连接盘焊盘的区域；形成有倒装芯片连接焊盘的区域，所述形成有连接盘焊盘的区 域位于所述形成有倒装芯片连接焊盘的区域的外侧；以及保护部件，其使形成有连接盘焊盘的区域内的连接盘焊盘露出， 其中，所述保护部件包括框架形结构部分，其布置成包围所述倒装芯片连接焊盘；以及 支撑膜部分，其布置在所述框架形结构部分的外侧。 根据本专利技术的第二方面，提供了根据第一方面的半导体封装体，其中，所述支撑膜部分形成为类似从外侧包围所述框架形结构部分的 框架。根据本专利技术的第三方面，提供了根据第一方面的半导体封装体，其中，所述支撑膜部分形成为类似位于所述框架形结构部分外侧的离 散点。根据本专利技术的第四方面，提供了根据第一至第三方面中任一方 面的半导体封装体，其中，所述支撑膜部分形成在所述连接盘焊盘的最外围位置的外侧。 通过采用这种结构，可以粘贴掩模带，并且掩模带与形成有用于实现BGA连接或LGA连接的连接盘焊盘的区域之间没有间隙。 因此，可以提高半导体封装体的产出率，从而可以降低半导体封装体 的制造成本。此外，根据本专利技术的第五方面，提供了根据第一至第四方面中任一方面的半导体封装体，其中，所述框架形结构部分与所述支撑膜部分的高度相同。因此，易于平整地粘贴掩模带，并且掩模带与形成有用于实现BGA连接或LGA连接的连接盘焊盘的区域之间没有间隙。因此，可以进一步提高半导体封装体的产出率。另外，可以进一步降低半导体封装体的制造成本。另外，根据本专利技术的第六方面，提供了一种半导体器件，在所述半导体器件中，将半导体元件安装在根据第一至第五方面中任一方面的半导体封装体上的，其中，所述安装在半导体封装体上的半导体元件是通过倒装芯片连接方式来连接的。根据本专利技术的第七方面，提供了一种半导体器件，其中， 在竖直方向上层叠多个根据第六方面的半导体器件，并且 上层半导体器件中的外部连接端子与下层半导体器件中的连接盘焊盘连接。此外，可以在根据本专利技术的半导体封装体上层叠不同类型的半 导体封装体。根据本专利技术的半导体封装体和使用半导体封装体的半导体器 件，即使在具有包括倒装芯片连接和BGA连接或LGA连接在内的 不同连接部分的半导体封装体和使用这种半导体封装体的半导体器 件中形成用于防止底部填充树脂流出的框架形结构部分，也可以可靠 地在每个连接焊盘内进行表面处理。此外，通过阻焊层在形成有连接 盘焊盘的区域内形成支撑膜部分。因此，可以减轻每一个半导体封装 体和半导体器件的翘曲。这样，可以获得小尺寸、高质量的半导体封装体和半导体器件。 附图说明图1是剖视图，示出了在单面覆盖铜的树脂基板上形成抗蚀图 案的状态。图2是剖视图，示出了在树脂基板上形成配线图案、并同时形 成用作倒装芯片连接焊盘和连接盘焊盘的焊盘的状态。图3是剖视图，示出了涂覆阻焊层并且在树脂基板表面上仅露 出用作倒装芯片连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装体，包括：　形成有连接盘焊盘的区域；　形成有倒装芯片连接焊盘的区域，所述形成有连接盘焊盘的区域位于所述形成有倒装芯片连接焊盘的区域的外侧；以及　保护部件，其使所述形成有连接盘焊盘的区域内的连接盘焊盘露出，　其中，所述保护部件包括：　框架形结构部分，其布置成包围所述倒装芯片连接焊盘；以及　支撑膜部分，其布置在所述框架形结构部分的外侧。

【技术特征摘要】
JP 2007-6-27 2007-1684951.一种半导体封装体，包括形成有连接盘焊盘的区域；形成有倒装芯片连接焊盘的区域，所述形成有连接盘焊盘的区域位于所述形成有倒装芯片连接焊盘的区域的外侧；以及保护部件，其使所述形成有连接盘焊盘的区域内的连接盘焊盘露出，其中，所述保护部件包括框架形结构部分，其布置成包围所述倒装芯片连接焊盘；以及支撑膜部分，其布置在所述框架形结构部分的外侧。2. 根据权利要求1所述的半导体封装体，其中， 所述支撑膜部分形成为类似从外侧包围所述框架形结构部分的框架。3. 根据权利要求1所述的半导体封装体，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：玉馆由香，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]