晶片的表面平滑方法和其装置制造方法及图纸

将晶片的至少一侧表面进行平滑化的方法，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到的晶片，该方法通过根据上述晶片表面的凸部而应用流体来减少凸部。或者通过在晶片表面上应用流体而将晶片表面整体进行平滑化，同时减少晶片表面的凸部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及晶片的表面平滑方法和其装置。本申请主张基于2006年1月20日在日本申请的特愿2006-012188 号和2007年1月10日在日本申请的特愿2007-002661号的优先4又，这 里引用其内容。
技术介绍
现有的半导体晶片的制造方法具有以下的工序将半导体晶4定切割 而得到晶片的切割工序；在切割的晶片表面进行研磨来除去由切割产生 的表面伤痕或凸凹等的研磨工序，或者为了提高平坦度而进行两面磨削 或者单面磨削的磨削工序；为了除去在这种工序中平坦化的晶片表面的 加工应变层(加工破坏层)，而将晶片浸渍在酸或者碱中进行蚀刻的蚀 刻工序；将蚀刻过的晶片进行抛光的镜面抛光工序。但是，上述的现有制造方法的各工序有以下的问题。在磨削工序或者研磨工序中使用的平面磨削虽然对于平坦度提高 有益，但能够引起加工应变层的增大，因此需要在接下来的工序中消除 该加工应变，为此需要增加蚀刻处理量，从而花费处理时间，生产率差。并且，作为与此近似的技术，有特开平11-135464号公报(专利文 献l)。
技术实现思路
但是，在不使用晶片的研磨、两面磨削、单面磨削的情况下来控制 晶片的表面形状是不容易的。另外，即使使用上述旋转蚀刻，也难以控 制晶片的表面形状。即，对于刚切割后的晶片，为了在作为后工序的设备工序中^f吏其平 面度.平坦度.厚度均匀性 表面状态达到没有故障的水平，需要能够 控制在晶片面内的厚度分布.凹凸分布.加工应变层分布的加工方法， 但目前没有这样的加工方法。作为一个例子，在研磨.磨削中由于积4成加工而产生加工应变层，在不产生这种加工应变层的情况下不能处理晶片表面。在研磨.磨削中不能仅对例如部分的凸状部分进行加工，不仅-丈率差，而且有在晶片整个面上产生加工应变层的可能性。对于浸渍式的蚀刻，在晶片面内，不能以仅处理凸部这样在面内进行加工余量的控制，不能进行形状控制，即使平坦度等的表面状态与前面工序的研磨 磨削相比变差，使其提高也是极其困难的。进而，对于上述旋转蚀刻，如上述专利文献1公才艮的说明书0009 段所述的那样，记述为使喷射喷嘴在晶片的直径整体的范围进行水平 移动，当一次对晶片的单面整体进行蚀刻时，难以通过调节蚀刻液的供 给量和喷射喷嘴的移动速度来在该整个面上均匀地进行蚀刻，仅实质 上由如0010段记述的外周部分31中心部分32供给蚀刻液，而 将晶片的整个面均匀地进行蚀刻，控制在晶片面内的加工余量分布的构 思即没有记述，也没有启示。另外，如在0015段中与浸渍式酸蚀刻 相比，加工应变的层的除去不破坏平坦性，且能够非常高精度地进行 所述的那样，没有利用该旋转蚀刻来积极地提高平面度 平坦度 厚度 均匀性.表面状态的记述。本专利技术是鉴于上述事实而作出的，其欲实现以下的目的。1. 减少加工应变层的产生，或者在不产生加工应变层的情况下处 理晶片并减少加工余量，增大从半导体晶锭上切割的晶片的数目，谋求 晶片制造成本的消减。2. 可通过对应于晶片面内的凸的表面状态而应用流体，能在晶片 面内控制加工余量，谋求晶片的平面度*平坦度 厚度均匀性 表面状 态的提高。本专利技术的第 一 方案的晶片的表面平滑方法是将晶片的至少 一 侧表 面进行平滑化的方法，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到的晶 片，该方法的特征在于，通过根据上述晶片表面的凸部而应用流体，来 减少该凸部。本专利技术的第二方案的晶片的表面平滑方法是将晶片的至少 一 侧表 面进行平滑化的方法，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到的晶 片，该方法的特征在于，通过在上述晶片表面应用流体，而将该晶片表面的整体进行平滑化，同时减少该晶片表面的凸部。本专利技术的笫三方案的晶片的表面平滑方法是将晶片的至少一 #J表 面进行平滑化的方法，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到的晶 片，该方法的特征在于，通过根据上述晶片表面的凹凸而应用流体，来 将该晶片表面进行平滑化。本专利技术的第四方案的晶片的表面平滑装置是将晶片的至少一侧表 面进行平滑化的装置，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到的晶 片，该装置的特征在于，具有检测上述晶片表面的凸部的检测手段，和 根据该检测而向晶片表面供给流体，由此减少该凸部的供给手l殳。根据本专利技术，通过根据上述表面的凸部而控制在上述晶片表面上的 流体的应用，能够达到可将晶片表面平滑化的效果。附图说明表示本专利技术涉及的单片蚀刻装置的一实施方式的模式正面图。是表示晶片转速为600rpm时，变化了喷嘴位置的加工余量结 果的图表。是表示晶片转速为100rpm时，变化了喷嘴位置的加工余量结 果的图表。是表示晶片转速为1500rpm时，变化了喷嘴位置的加工余量 结果的图表。是表示喷嘴的移动轨迹的平面图，表示从离中心135mm的 位置至30mm的位置的轨迹。是表示喷嘴的移动轨迹的平面图，表示从离中心30mm的位 置至Omm (中心)的轨迹。是表示图5A的喷嘴移动时的晶片蚀刻加工余量的分布的图表。是表示图5B的喷嘴移动时的晶片蚀刻加工余量的分布的图表。符号说明1 单片蚀刻装置2 晶片旋转手段 20 蚀刻液供给手l殳 30 喷射控制手段 W 晶片具体实施例方式以下，基于附图来说明本专利技术涉及的平滑化方法和其装置的笫1实 施方式。图l是表示在本实施方式中平滑化装置的^t式正面图，在图中，符 号1是构成平滑化装置的单片蚀刻装置。本实施方式的单片蚀刻装置1具有支撑晶片W的平台11,和利用 旋转轴12连接在该平台11上、并通过旋转轴12对平台11进行旋转驱 动的马达等的旋转驱动源13，这些构成了晶片旋转手段。另夕卜，单片蚀刻装置l具有供给蚀刻液的蚀刻液供给手段20;由 该蚀刻液供给手l爻20供给蚀刻液、并向晶片W喷射蚀刻液的喷p觜31; 用于以可移动的方式支撑该喷嘴31的喷嘴基部32和用于限制喷嘴基部 32的位置.移动的导杆部33,这些构成了喷嘴位置控制手段30。在喷 嘴基部32上设置了相对于喷嘴基部32来调节喷嘴31的角度的机构、 调节喷嘴31前端部离晶片W的高度位置的机构、和来自喷嘴31的蚀刻 液的喷射 非喷射切换机构，这些构成了喷射状态控制手段40。进而，单片蚀刻装置1具有控制部50，其控制旋转驱动源13的旋 转数来设定晶片旋转数，同时控制蚀刻液供给手段20来规定蚀刻液的 供给状态，同时控制喷嘴位置控制手段30、喷射状态控制手段40来设 定喷嘴31的状态.位置。该控制部50具有CPU等的运算部51和多个 存储器52, 53...。符号70是晶片表面的检测手段，其使用激光反射方 式并利用晶片表面的激光反射来测定晶片表面的凹凸。检测手段70也 可以不设置在单片蚀刻装置1内，而作为独立装置来测定晶片表面的凹 凸。蚀刻液供给手段20将酸蚀刻液供给喷嘴31,具体来说，对于处理 硅晶片W的情况，优选供给HF、 HN03、 H3P04等。这里，HF、 HN03 通过硅表面氧化和氧化硅的溶解来蚀刻表面，H3P04主要用于控制蚀刻液的粘度。蚀刻液供给手段20可以将这些酸以预先规定的混合比〉'昆合 来供给喷嘴31,也可以将这些酸分别供给喷嘴31,在喷嘴31附近分别 混合。在喷嘴位置控制手段30中，限制喷嘴基部32移动的导杆部33以 可使喷嘴31通过晶片W的旋转中心而在晶片W半径方向移动这才羊来支 撑喷嘴基部32。导本文档来自技高网...

【技术保护点】
晶片的表面平滑方法，其是将晶片的至少一侧表面进行平滑化的方法，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到的晶片，　该方法根据上述晶片表面的凸部而应用流体，由此减少该凸部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-1-20 012188/2006;JP 2007-1-10 002661/20071.晶片的表面平滑方法，其是将晶片的至少一侧表面进行平滑化的方法，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到的晶片，该方法根据上述晶片表面的凸部而应用流体，由此减少该凸部。2. 如权利要求1所述的晶片的表面平滑方法，其是将晶片的至少一侧表面进行平滑化的方法，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到 的晶片，该方法通过检测上述晶片表面的凸部，并根据该检测而应用流体， 来减少该凸部。3. 如权利要求2所述的晶片的表面平滑方法，对于各晶片进行上 述凸部的检测。4. 如权利要求2所述的晶片的表面平滑方法，对于规定数量的各 晶片进行上述凸部的检测。5. 如权利要求2所述的晶片的表面平滑方法，上述凸部的检测使 用预先设定的凸部数据。6. 如权利要求1所述的晶片的表面平滑方法，其中，对于上述晶 片的每一片进行平滑处理。7. 如权利要求1所述的晶片的表面平滑方法，通过控制上述晶片 的旋转状态、上述流体组成、上述流体粘度、上述流体的喷射状态、上 述流体的喷射位置和喷射位置的移动状态、上述流体的喷射时间的任意 的1个以上，来控制在上述晶片表...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤健夫，桥井友裕，村山克彦，古屋田荣，高石和成，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]