【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法
[0001]本专利技术的各种实施方式总体涉及电子装置，更具体地说，涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。
技术介绍
[0002]无论电源开启/关闭情况如何，非易失性存储器装置都保留所存储的数据。二维非易失性存储器的集成密度的增加最近受到了限制，在二维非易失性存储器中存储器单元形成在基板上的单层中。因此，已经提出了其中存储器单元在基板上以垂直方向层叠的三维非易失性存储器装置。另外，已经开发出各种结构和制造方法以提高三维非易失性存储器装置的操作可靠性。
技术实现思路
[0003]根据一个实施方式，半导体装置可以包括：层叠结构，其具有彼此交替层叠的导电层和绝缘层；绝缘柱，其穿过层叠结构；第一沟道图案，其围绕绝缘柱的侧壁；第二沟道图案，其围绕绝缘柱的侧壁；第一绝缘体，其位于第一沟道图案和第二沟道图案之间；以及存储器层，其围绕第一沟道图案、第二沟道图案和第一绝缘体，所述存储器层具有位于第一沟道图案和第二沟道图案之间的第一开口。
[0004]根据一个实施方式，半导体装置可以包括：...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：层叠结构，所述层叠结构具有彼此交替层叠的导电层和绝缘层；绝缘柱，所述绝缘柱穿过所述层叠结构；第一沟道图案，所述第一沟道图案围绕所述绝缘柱的侧壁；第二沟道图案，所述第二沟道图案围绕所述绝缘柱的所述侧壁；第一绝缘体，所述第一绝缘体位于所述第一沟道图案和所述第二沟道图案之间；以及存储器层，所述存储器层围绕所述第一沟道图案、所述第二沟道图案和所述第一绝缘体，所述存储器层具有位于所述第一沟道图案和所述第二沟道图案之间的第一开口。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一开口位于与所述绝缘层相对应的层级处。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一绝缘体是气隙。4.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：第三沟道图案，所述第三沟道图案围绕所述绝缘柱的所述侧壁；第二绝缘体，所述第二绝缘体位于所述第二沟道图案和所述第三沟道图案之间；以及第三绝缘体，所述第三绝缘体位于所述第三沟道图案和所述第一沟道图案之间。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述存储器层还包括：第二开口，所述第二开口位于所述第二沟道图案和所述第三沟道图案之间；以及第三开口，所述第三开口位于所述第一沟道图案和所述第三沟道图案之间。6.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括穿过所述层叠结构的源极接触结构。7.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：第一位线，所述第一位线联接到所述第一沟道图案；以及第二位线，所述第二位线联接到所述第二沟道图案。8.一种半导体装置，该半导体装置包括：层叠结构，所述层叠结构具有彼此交替层叠的导电层和绝缘层；源极接触结构，所述源极接触结构穿过所述层叠结构；沟道结构，所述沟道结构穿过所述层叠结构并且被布置在所述源极接触结构周围；绝缘图案，所述绝缘图案各自具有围绕所述源极接触结构的侧壁的第一部分和从所述第一部分突出并延伸到所述沟道结构中的第二部分；以及绝缘体，所述绝缘体位于在层叠方向上彼此相邻的所述第二部分之间。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一部分包括与所述沟道结构的接触点，并且所述第二部分从所述接触点突出。10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，每一个所述沟道结构包括绝缘柱、围绕所述绝缘柱的侧壁的沟道图案以及围绕所述沟道图案的存储器层，并且其中，所述第二部分穿过所述存储器层以在所述沟道图案之间延伸。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述绝缘体位于所述绝缘柱和所述存储器层之间，并且所述沟道图案通过所述绝缘体彼此分离。12.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，每一个所述沟道结构包括绝缘柱、围绕所述绝缘柱的侧壁的沟道图案以及围绕所述沟道图案的存储器图案，并且
其中，所述第二部分在所述存储器图案之间和所述沟道图案之间延伸。13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述绝缘体位于所述绝缘柱和所述导电层之间，并且其中，所述绝缘体将所述存储器图案彼此分离，并将所述沟道图案彼此分离。14.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述源极接触结构包括源极接触插塞和绝缘间隔物，所述绝...
【专利技术属性】
技术研发人员：李建泳，金东协，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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