具有气隙的3维闪存及制造其的方法技术

公开了一种3维闪存及其制造方法，该3维闪存具有减轻在氧化物

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有气隙的3维闪存及制造其的方法


[0001]实施方式涉及3维(3D)闪存及制造其的方法，更具体地，涉及用于改善3D闪存的垂直缩放(scaling)的技术。

技术介绍

[0002]闪存器件是电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，并且通常可以用于例如计算机、数码相机、MP3播放器、游戏系统、记忆棒等中。闪存器件通过福勒
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诺德海姆隧穿或热电子注入来电控制数据输入/输出。
[0003]具体地，参照显示出相关技术的3D闪存阵列的图1，3D闪存的阵列可以包括公共源极线CSL、位线BL和设置在公共源极线CSL与位线BL之间的多个单元串CSTR。
[0004]位线被二维地布置，并且多个单元串CSTR并联连接到每条位线。单元串CSTR可以共同连接到公共源极线CSL。也就是，多个单元串CSTR可以设置在多条位线和一条公共源极线CSL之间。就此而言，可以有多条公共源极线CSL，并且多条公共源极线CSL可以二维地布置。在这种情况下，相同的电压可以被电施加到多条公共源极线CSL，或者多条公共源极线CSL中的每条可以被电控制。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种3维(3D)闪存，包括：形成为在第一方向上延伸的至少一个沟道层；多个电极层，形成为在与第一方向正交的第二方向上延伸，从而相对于所述至少一个沟道层垂直堆叠；多个气隙，在所述多个电极层之间以将所述多个电极层彼此分开；以及至少一个氧化物
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氮化物
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氧化物(ONO)层，包括第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层并且形成为在所述第一方向上延伸以连接所述至少一个沟道层和所述多个电极层，其中所述3D闪存进一步包括减轻在所述至少一个ONO层中在分别接触所述多个电极层的单元之间的干扰现象的结构。2.如权利要求1所述的3D闪存，其中所述3D闪存进一步包括通过在接触所述多个气隙的区域中蚀刻所述至少一个ONO层当中的所述第一氧化物层和所述氮化物层来减轻在所述至少一个ONO层中在分别接触所述多个电极层的单元之间的所述干扰现象的所述结构。3.如权利要求2所述的3D闪存，其中所述至少一个ONO层的所述第二氧化物层在接触所述多个气隙的所述区域中被蚀刻。4.如权利要求1所述的3D闪存，其中所述3D闪存进一步包括通过在所述多个电极层的每个的上部和下部上形成阻挡材料层来减轻在所述至少一个ONO层中在分别接触所述多个电极层的所述单元之间的所述干扰现象的所述结构。5.如权利要求1所述的3D闪存，进一步包括：多个电极保护层，在产生所述多个气隙的工艺中保护所述多个电极层。6.一种制造3维(3D)闪存的方法，所述方法包括：制备模制结构，其中多个层间绝缘层和用于电极的多个牺牲层交替堆叠在衬底上；形成至少一个串孔并使所述至少一个串孔在第一方向上延伸，所述至少一个串孔穿透所述模制结构且暴露所述衬底；在所述至少一个串孔中沉积第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，并且在所述第一方向上形成包括内部垂直孔的至少一个氧化物
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氮化物
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氧化物(ONO)层并使所述至少一个ONO层在所述第一方向上延伸；在所述至少一个ONO层的垂直孔中形成至少一个沟道层，并使所述至少一个沟道层在所述第一方向上延伸；去除所述用于电极的多个牺牲层，在从其去除了所述用于电极的多个牺牲层的空间中形成多个电极层，并使所述多个电极层在与所述第一方向正交的第二方向上延伸；蚀刻所述多个层间绝缘层以产生在所述多个电极层之间并使所述多个电极层彼此分开的多个气隙；以及在接触所述多个气隙的区域中蚀刻所述至少一个ONO层的所述第一氧化物层和所述氮化物层，从而减轻在所述至少一个ONO层中在分别接触所述多个电极层的单元之间的干扰现象。7.如权利要求6所述的方法，其中在接触所述多个气隙的所述区域中所述至少一个ONO层的所述第一氧化物层和所述氮化物层的蚀刻包括：在接触所述多个气隙的所述区域中蚀刻所述至少一个ONO层的所述第二氧化物层。8.如权利要求6所述的方法，其中所述模制结构包括一结构，在所述结构中在产生所述
多个气隙的工艺期间保护所述多个电极层的多个电极保护层的多个水平区域堆叠在所述用于电极的多个牺牲层的上部和下部上。9.如权利要求8所述的方法，其中所述至少一个氧化物
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氮化物
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氧化物(ONO)层在所述第一方向上的形成和延伸包括：在所述至少一个串孔中沉积所述多个电极保护层的垂直区域。10.如权利要求6所述的方法，其中所述模制结构包括一结构，在所述结构中用于减轻在所述至少一个ONO层中在分别接触所述多个电极层的所述单元之间的所述干扰现象的阻挡材料层堆叠在所述用于电极的多个牺牲层的每个的上部和下部上。11.一种制造3维3D闪存的方法，所述方法包括：制备模制结构，其中多个层间绝缘层和用于电极的多个牺牲层交替堆叠在衬底上，阻挡材料层在所述模制结构中堆叠在所述用于电极的多个牺牲层的每个的上部和下部；形成至少一个串孔，且使所述至少一个串孔在第一方向上延伸，所述至少一个串孔穿透所述模制结构并暴露所述衬底；在所述至少一个串孔中沉积第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，并在所述第一方向上形成包括内部垂直孔的至少一个氧化物
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋润洽，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：