【技术实现步骤摘要】
使用可在不同温度下移除的材料形成电子装置的方法
[0001]优先权要求
[0002]本申请案要求2020年5月29日提交的第16/887,178号美国专利申请案“使用可在不同温度下移除的材料形成电子装置的方法(METHODS OF FORMING ELECTRONIC DEVICES USING MATERIALS REMOVABLE AT DIFFERENT TEMPERATURES)”的提交日的权益。
[0003]本文中所公开的实施例涉及电子装置及电子装置制造。更明确地说,本公开的实施例涉及使用被配制成可在不同温度下移除的材料形成电子装置的方法。
技术介绍
[0004]电子装置(例如,半导体装置、存储器装置)设计者通常希望通过减小个别特征的尺寸并且通过减小相邻特征之间的分隔距离来增大电子装置内的特征(例如,组件)的集成度或密度。电子装置设计者需要使用简化设计来设计紧凑的架构。减小特征的尺寸和间距已增大对用于形成电子装置的方法的需求。一个解决方案为形成三维(3D)电子装置,其中特征竖直地而非水平地布置。为形 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种形成电子装置的方法,其包括:在基底材料上形成包括交替的第一材料和第二材料的堆叠前体,所述第一材料与所述第二材料展现不同熔点;移除所述交替的第一材料和第二材料的一部分以形成穿过所述交替的第一材料和第二材料的柱状开口;在所述柱状开口中形成牺牲材料;移除所述第一材料以在所述第二材料之间形成第一空间,所述第一材料经调配以在第一移除温度下呈液相或气相;在所述第一空间中形成传导性材料;移除所述第二材料以在所述传导性材料之间形成第二空间,所述第二材料经调配以在第二移除温度下呈液相或气相;在所述第二空间中形成介电材料;从所述柱状开口移除所述牺牲材料;以及在所述柱状开口中形成单元材料。2.根据权利要求1所述的方法,其中形成包括交替的第一材料和第二材料的堆叠前体包括形成经调配以能在不同温度下移除的所述交替的第一材料和第二材料。3.根据权利要求1所述的方法,其中形成包括交替的第一材料和第二材料的堆叠前体包括形成展现比所述第二材料的熔点低的熔点的所述第一材料。4.根据权利要求1所述的方法,其中形成包括交替的第一材料和第二材料的堆叠前体包括形成展现在约5℃与约100℃之间的熔点差的所述交替的第一材料和第二材料。5.根据权利要求1所述的方法,其中形成包括交替的第一材料和第二材料的堆叠前体包括以大体上固相形成所述交替的第一材料和第二材料。6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法,其中移除所述交替的第一材料和第二材料的一部分以形成柱状开口包括使用热蚀刻处理移除所述交替的第一材料和第二材料的所述部分以形成所述柱状开口。7.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法,其中移除所述交替的第一材料和第二材料的一部分以形成柱状开口包括在低于所述第一材料和所述第二材料的所述熔点的温度下形成所述柱状开口。8.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法,其中移除所述第一材料以在所述第二材料之间形成第一空间包括将所述第一材料暴露于高于所述第一材料的所述熔点且低于所述第二材料的熔点的温度。9.根据权利要求8所述的方法,其中将所述第一材料暴露于高于所述第一材料的所述熔点且低于所述第二材料的熔点的温度包括将所述第一材料转化为液相。10.根据权利要求8所述的方法,其中将所述第一材料暴露于高于所述第一材料的所述熔点且低于所述第二材料的熔点的温度包括将所述第一材料转化为气相。11.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法,其中移除所述第二材料以在所述传导性材料之间形成第二空间包括将所述第二材料暴露于高于所述第二材料的所述熔点的温度。12.一种形成电子装置的方法,其包括:
在基底材料上形成交替的第一材料和第二材料,所述第一材料和所述第二材料经调配以能在不同温度下移除且展现彼此相差约5℃与约150℃之间的熔点;将所述交替的第一材料和第二材料的一部分暴露于热处理以形成穿过所述交替的第一材料和第二材料的柱状开口;在所述柱状开口中形成牺牲材料;将所述第一材料暴露于高于所述第一材料的熔点且低于所述第二材料的熔点的温度以移除所述第一材料且形成第一空间;在所述第一空间中形成传导性材料;将所述第二材料暴露于高于所述第二材料的熔点的温度以移除所述第二材料且形成第二空间;在所述第二空间中形成介电材料;从所述柱状开口移除所述牺牲材料;以及在所述柱状开口中形成单元材料。13.根据权利要求12...
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