【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种控制半导体器件加工工艺以便在真空室内提供期望工艺条件的方法，所述工艺包括用以控制所述工艺条件的多个可调工艺参数，所述方法包含这些步骤：ａ）操作所述工艺以在所述真空室内产生所述工艺条件，ｂ）在所述工艺操作期间，测量由所述工 艺条件造成的所述真空室内的污染粒子的流量，以及ｃ）响应于所述测量的流量，调节至少一个所述工艺参数以减少在所述工艺期间测量的所述流量。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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