等离子体显示面板制造技术

技术编号:3148948 阅读:173 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种设置在放电空间中的等离子体显示面板,其中荧光层设置在相互隔开的第一与第二电极之间。每个放电空间在与分别排布有第一和第二电极的两个区域中的截面区域具有不同结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体显示面板(PDP),更具体地,涉及一种具有 在放电空间侧壁上形成的电极的PDP。
技术介绍
典型的交流(AC) PDP包括向用户显示图像的上板和连接到上板并与 之平行的下板。上板的前基板包括排布其上的维持电极对。下板的后基板包 括寻址电极,其排布在前基板的与其上排布维持电极对的表面相面对的表面 上。寻址电极的方向与维持电极对的方向交叉。第一介电层和第二介电层分别形成在前基板的其上排布有维持电极对和寻址电极。通常由氧化镁(MgO)形成的保护层排布在第一介电层的后表 面上。在第二介电层的前表面上排布有障肋,其用于保持相对基板之间的放 电距离并防止放电室之间的光学串扰。红、绿和蓝荧光体适当地涂覆在障肋的侧壁上以及第二介电层的前表面上。维持电极对的每 一 个均包括透明电极和总线电极。透明电极由可能够产 生放电的导电材料形成并呈现穿透,从而允许从荧光体发射的光向前基板传 播。透明材料可为氧化铟锡(ITO)之类。总线电极典型地可以是具有高电导率的金属电极且呈黑色,从而提高明亮室对比度。在传统表面类型的PDP中,当发生放电时,可见光从放电空间的荧光 层发射,并传送通过上基板。然而,由于形成在其上的多种组分,上基板具有约60%的可见光透射率。而且,在传统表面类型的PDP中,电极形成在放电空间的上侧,即可见光传送通过的上基板的内部侧壁上,且这些电极在该内部侧壁中产生放 电,从而降低发光效率。
技术实现思路
本专利技术提供一种PDP,其中,荧光体设置在相互隔开并围绕放电空间的 电极之间,并且电极具有围绕放电空间的不同结构,从而增大PDP的亮度。根据本专利技术的一方面,提供有一种PDP,其具有第一基板;和第二基 板,其与所述第一基板隔开并面向所述第一基板。障肋设置在所述第一基板 与所述第二基板之间并构建多个放电空间。第一电极排布在所述障肋中,并 沿大致平行于所述第一基板与所述第二基板的第一方向在所述第一基板与 所述第二基板之间延伸。障肋中的第二电极与所述第一电极隔开,并沿大致 平行于所述第一基板与所述第二基板的第二方向延伸。中间层设置在所述第 一电极与所述第二电极之间的障肋中。第 一 荧光层设置在所述放电空间的侧 壁上且位于所述中间层处。放电空间在中间层处的横截面积可大于放电空间在靠近第二电极处的 横截面积。放电空间在接触第 一 荧光层处的横截面积可大于放电空间靠近第二电 极处的横截面积。所述第一荧光层可沿从所述第一电极到所述第二电极的方向线性地或 以凹进抛物线的形状倾斜。所述第一荧光层可以采用预定角度倾斜并面向所述第一基板。所述第 一 电极和/或所述第二电极可围绕每个所述放电空间的至少 一部电空间的周长可短于所述第一电极的周长。 每个所述放电空间的由所述第二电极围绕的横截面积可小于每个所述 放电空间的由所述第 一 电极围绕的横截面积。所述PDP可进一步包括形成于所述第一基板上且面向每个放电空间 的凹槽,所述凹槽具有特定深度;和排布在所述凹槽中的第二焚光层。 所述第 一 电极和/或所述第二电极可掩藏在所述障肋中。 所述障肋可包括其中排布有所述第一电极的第一电极层、其中排布有 所述第二电极的第二电极层、和在所述第一电极层和第二电极层之间的中间 层。在第一电极层上形成其中可排布有第一电极的第一电极片。在第二电极 层上形成其中可排布有第二电极的第二电极片。所述中间层可为设置在所述 第 一电极片和所述第二电极片之间的中间片。中间片和第二电极片可形成为单一片。根据本专利技术的另一方面,提供一种PDP,其具有第一基板;和第二基 板,其与所述第一基板隔开并面向所述第一基板。障肋设置在所述第一基板 与所述第二基板之间,并构建多个放电空间。第一电极排布在所述障肋中, 并沿与所述第一基板与所述第二基板大致平行的第一方向在所述第一基板 与所述第二基板之间延伸。第二电极排布在面向所述第一基板的所述第二基 板上,并延伸而与所述第一电极交叉。中间层位于所述第一电极与所述第二 电极之间的所述障肋中。第 一 荧光层排布在放电空间的接触中间层的侧壁 上,其中,所述放电空间的在所述中间层处的横截面积大于所述放电空间的 靠近所述第二电极处的横截面积。PDP可进一步包括介电层,其设置在第二基板上,从而掩藏第二电极, 其中,第 一 荧光层排布在放电空间的接触中间层的侧壁上在放电空间中所述 介电层上。附图说明图1为根据本专利技术实施例的PDP的局部分解透视图,其中,第一焚光 层设置在放电空间的接触中间层的侧壁上,中间层设置在第 一 电极层与第二电极层之间;图2为沿图1的线II-II截取的截面图;图3示意性地示出图1中所示PDP的电极和放电室的排布;图4为根据本专利技术的另一实施例的PDP的局部分解透视图,其中,由 于在第二电极层中的放电空间小于在第一电极层中的放电空间,因此面向与 中间层接触的放电空间的表面朝向第 一基板倾斜;图5为沿图4的线V-V截取的截面图;图6示意性地示出图4中所示PDP的电极和放电室的排布;图7为根据本专利技术另一实施例的PDP的局部分解透视图,其中,第二 电极排布在第二基板上;和图8为沿图7的线VIII-VIII截取的截面图。图9为根据另一实施例的沿图4的线V-V截取的截面图,其中第一荧 光层沿从第 一 电极到第二电极的方向以凹进抛物线形状倾斜。图10为根据另一实施例的沿图7的线VIII-VIII截取的截面图,其中 第 一 荧光层沿从第 一 电极到第二电极的方向以凹进抛物线形状倾斜。图11为根据另一实施例的示出图4和图7的放电空间的形状的截面图, 其中放电空间具有椭圓形截面。具体实施方式图1为根据本专利技术实施例的PDP 100的局部分解透视图,其中,第一焚 光层135设置在放电空间150的侧壁上,这些侧壁面向设置在第一电极层 131与第二电极层132之间的中间层133。图2为沿图1的线II-II截取的截 面图。图3示意性地示出图1中所示PDP 100的电才及和方文电室的排布。参见图1、 2和3, PDP 100包括第一基板110、第二基板120、障肋130、 第一荧光层135、第二荧光层115、第三荧光层125、第一电极160、第二电 极170和保护层134。第一基板110和第二基板120被障肋130彼此分隔并彼此面对。障肋 130设置在第一基板110与第二基板120之间,并构建多个放电空间150。 第一电极160排布在第一电极层131中,并沿Y方向在第一基板110与第 二基板120之间延伸。第二电极170排布在第二电极层132中,通过中间层133与第一电极160分隔,并沿X方向在第一基板110与第二基板120之间延伸。中间层133设置在相应排布第一电极160和第二电极170的两个区域之 间。更具体地,障肋130包括第一电极层131、第二电极层132和设置在第 一电极层131与第二电极层132之间的中间层133。第一焚光层135排布在 放电空间150的侧壁上并处于中间层133的高度。放电空间150可呈圓形或椭圓形截面,但并不必限于此,也可呈多边形 截面形状,例如三角形、四边形、八边形等。障肋130的放电空间150可具 有网格式(waffle)或者三角式(delta)配置。保护层134排布在放电空间150的侧面上并由障肋130分开。保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示面板,包括:    第一基板;    第二基板,其与所述第一基板隔开并面向所述第一基板;    障肋,其位于所述第一基板与所述第二基板之间,所述障肋构建多个放电空间;    在所述障肋中的第一电极,其沿与所述第一基板与所述第二基板大致平行的第一方向在所述第一基板和所述第二基板之间延伸;    在所述障肋中的第二电极,其与所述第一电极相分隔,所述第二电极沿第二方向延伸;    在所述障肋中的中间层,其位于所述第一电极与所述第二电极之间;和    第一荧光层,其位于所述放电空间的侧壁上并位于所述中间层处。

【技术特征摘要】
KR 2007-3-5 10-2007-00215531、一种等离子体显示面板,包括第一基板;第二基板,其与所述第一基板隔开并面向所述第一基板;障肋,其位于所述第一基板与所述第二基板之间,所述障肋构建多个放电空间;在所述障肋中的第一电极,其沿与所述第一基板与所述第二基板大致平行的第一方向在所述第一基板和所述第二基板之间延伸;在所述障肋中的第二电极,其与所述第一电极相分隔,所述第二电极沿第二方向延伸;在所述障肋中的中间层,其位于所述第一电极与所述第二电极之间;和第一荧光层,其位于所述放电空间的侧壁上并位于所述中间层处。2、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述放电空间的横 截面积从所述中间层朝向所述第二电极减小。3、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述放电空间接触 所述第一荧光层之处的横截面积大于所述放电空间靠近所述第二电极之处 的横截面积。4、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述第一荧光层沿 从所述第 一 电极到所述第二电极的方向线性地或以凹进抛物线的形状倾斜。5、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述第一荧光层以 预定角度倾斜并面向所述第一基板。6、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述第一电极和/或 所述第二电极围绕每个所述放电空间的至少 一 部分。7、 如权利要求6所述的等离子体显示面板,其中,所述第二电极的围 绕所述放电空间的周长短于所述第 一 电极的周长。8、 如权利要求6所述的等离子体显示面板,其中,所述放电空间的由所述第二电极围绕的横截面积小于所述放电空间的由所述第一电极围绕的 横截面积。9、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述第一电极和所 述第二电极彼此交叉地延伸。10、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述第一电极和所 述第二电极在彼此平行的平面中延伸。11、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述放电空间具有 圓形或椭圆形横截面。12、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,进一步包括与所述第一 电极和所述第二电极隔开的第三电极,所述第三电极沿同一方向彼此平行地 延伸,并延伸而与所述第一电极和所述第二电极交叉。13、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,进一步包括 在所述第一基板上面向相应放电空间的凹槽,所述凹槽具有特定深度;和排布在所述凹槽中的第二荧光层。14、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述第一电极和/ 或所述第二电极掩藏在所述障肋中。15、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述障肋包括封 装所述第一电极的第一电极层、封装所述第二电极的第二电极层、和在所述 第 一 电极层和第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹台昇李源周姜景斗崔荣镀权宰翊禹锡均黄镛式田炳玟崔钟佑
申请(专利权)人:三星SDI株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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