System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 二次电池制造技术_技高网

二次电池制造技术

技术编号:41294777 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-13 14:44
一种二次电池包括:电极组件;容纳电极组件的壳体;以及联接到壳体并且包括一对集流体板的盖组件。电极组件包括具有第一基底接线片的第一电极板、具有第二基底接线片的第二电极板以及介于第一电极板与第二电极板之间的隔膜。一对集流体板分别电连接到第一基底接线片和第二基底接线片。一对集流体板分别激光焊接到第一基底接线片和第二基底接线片,并且激光焊接方向平行于对应的集流体板的金属加工方向。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例的方面涉及二次电池


技术介绍

1、二次电池可包括电极组件,该电极组件包括卷绕或堆叠的正电极板和负电极板,隔膜介于它们之间;容纳电极组件和电解液的壳体;以及密封壳体的盖组件。在电极组件中,朝向一侧或上部凸出的基底接线片(例如,未涂覆的接线片)被聚集到一侧并在集流体上弯曲。然后,可用激光将基底接线片和集流体焊接在一起。可替代地,基底接线片可聚集到一侧,可将集流体放置在基底接线片上并按压,然后可用激光将基底接线片和集流体焊接在一起。

2、然而,在激光焊接期间,产生的飞溅量根据在基底接线片或集流体的加工期间形成的焊接方向和/或角度或方位变化。因此,可能无法保持均匀的焊接质量。

3、在该
技术介绍
部分中公开的上述信息用于增强对本公开的背景的理解,因此,它可能包含不构成相关(或现有)技术的信息。


技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种具有改善的电极组件焊接结构的二次电池。

2、根据本公开的一实施例,一种二次电池包括:电极组件;容纳所述电极组件的壳体;以及联接到所述壳体并且包括一对集流体板的盖组件。所述电极组件包括具有第一基底接线片的第一电极板、具有第二基底接线片的第二电极板以及介于所述第一电极板与所述第二电极板之间的隔膜。所述一对集流体板分别电连接到所述第一基底接线片和所述第二基底接线片。所述一对集流体板分别激光焊接到所述第一基底接线片和所述第二基底接线片,并且激光焊接方向平行于对应的所述集流体板的金属加工方向。

3、所述第一基底接线片和所述第二基底接线片可分别在一个方向上弯曲,以与各自的所述集流体板表面接触。

4、所述第一基底接线片和所述第二基底接线片可分别通过激光焊接被焊接到各自的所述集流体板的后表面。

5、所述金属加工方向可为所述集流体板的通过轧制形成的表面成分的取向。

6、所述第一电极板、所述第二电极板和所述隔膜可堆叠在一起,并且所述电极组件中的所述激光焊接方向可垂直于所述第一电极板和所述第二电极板的堆叠方向。

7、所述集流体板可具有板形状,并且所述集流体板的焊接区域可在所述集流体板的长度方向上分开。

8、所述集流体板可被弯曲以使得所述集流体板的在所述长度方向上的中心部分从所述电极组件向外凸出而形成凸出部分,并且所述集流体板的位于所述凸出部分两侧的部分的表面可朝向所述电极组件弯曲。

9、所述焊接区域可为所述集流体板的相对于所述凸出部分朝向所述电极组件弯曲的部分的表面。

10、所述集流体板的两端与焊接区域相比可更向外凸出。

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【技术保护点】

1.一种二次电池,包括:

2.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述第一基底接线片和所述第二基底接线片分别在一个方向上弯曲,以与各自的所述集流体板表面接触。

3.根据权利要求2所述的二次电池,其中所述第一基底接线片和所述第二基底接线片分别通过激光焊接被焊接到各自的所述集流体板的后表面。

4.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述金属加工方向为所述集流体板的通过轧制形成的表面成分的取向。

5.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述第一电极板、所述第二电极板和所述隔膜堆叠在一起,并且

6.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述集流体板具有板形状,并且

7.根据权利要求6所述的二次电池,其中所述集流体板被弯曲以使得所述集流体板的在所述长度方向上的中心部分从所述电极组件向外凸出而形成凸出部分,并且

8.根据权利要求7所述的二次电池,其中所述焊接区域为所述集流体板的相对于所述凸出部分朝向所述电极组件弯曲的所述部分的所述表面。

9.根据权利要求7所述的二次电池,其中所述集流体板的两端与所述焊接区域相比更向外凸出。

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【技术特征摘要】

1.一种二次电池,包括:

2.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述第一基底接线片和所述第二基底接线片分别在一个方向上弯曲,以与各自的所述集流体板表面接触。

3.根据权利要求2所述的二次电池,其中所述第一基底接线片和所述第二基底接线片分别通过激光焊接被焊接到各自的所述集流体板的后表面。

4.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述金属加工方向为所述集流体板的通过轧制形成的表面成分的取向。

5.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述第一电极板、所述第二电极板...

【专利技术属性】
技术研发人员:吕夏蓝黄仁炫金范来
申请(专利权)人:三星SDI株式会社
类型:发明
国别省市:

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