System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 二次电池制造技术_技高网

二次电池制造技术

技术编号:41272660 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-11 09:26
一种二次电池包括:壳体;电极组件,在壳体中并且包括第一电极板、第二电极板和在第一电极板与第二电极板之间的隔膜,第一基体接线片位于第一电极板上在壳体的纵向方向上的第一端处,第二基体接线片位于第二电极板上在壳体的纵向方向上的第二端处;以及盖组件,联接到壳体,并且包括分别电连接到第一基体接线片和第二基体接线片的一对集流体,其中第一基体接线片和第二基体接线片激光焊接到集流体。

【技术实现步骤摘要】

一些实施例的方面涉及一种具有相对改进的电极组件的焊接结构的二次电池


技术介绍

1、二次电池可以包括电极组件,在电极组件中,隔膜位于正电极板与负电极板之间,然后,隔膜、正电极板和负电极板可以被堆叠或卷绕。壳体可以用于安置或容纳电极组件及电解液,并且盖组件可以用于密封壳体。在这种电极组件中,未涂覆部分接线片(基体接线片)可以在横向方向或向上方向上凸出,并且未涂覆部分接线片可以聚集到一侧,然后向上弯曲,使得未涂覆部分接线片和集流体彼此焊接。然而,可能希望改进焊接工艺,这是因为弯曲的未涂覆部分接线片按压电极板,或者焊接热被传递而损坏电极板。此外,因为二次电池内部的空间利用率可能由于未涂覆部分接线片的弯曲空间而劣化,因此可能需要一种用于提高空间利用率的方法。

2、在该
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于增强对
技术介绍
的理解,因此在该
技术介绍
部分中讨论的信息不一定构成现有技术。


技术实现思路

1、本公开的一些实施例的方面提供一种具有改进的电极组件的焊接结构的二次电池。

2、根据一些实施例,一种二次电池包括:矩形壳体;电极组件,容纳在壳体中并且包括第一电极板、第二电极板和在第一电极板与第二电极板之间的隔膜,第一基体接线片位于第一电极板上在壳体的纵向方向上的一端处,第二基体接线片位于第二电极板上在壳体的纵向方向上的另一端处;以及盖组件,联接到壳体,并且包括分别电连接到第一基体接线片和第二基体接线片的一对集流体,其中第一基体接线片和第二基体接线片分别激光焊接到一对集流体。p>

3、根据一些实施例,第一基体接线片和第二基体接线片可以在一个方向上弯曲以分别与一对集流体表面接触。

4、根据一些实施例,第一基体接线片和第二基体接线片可以分别通过激光焊接焊接到一对集流体的后表面上的背面焊道。

5、根据一些实施例,背面焊道可以分别朝向第一基体接线片和第二基体接线片凸出。

6、根据一些实施例,激光焊接的激光输出范围可以在约550w~约630w的范围内。

7、根据一些实施例,当一对集流体分别与第一基体接线片和第二基体接线片焊接时,可以进行激光焊接的方向平行于第一基体接线片和第二基体接线片中的每个的金属加工晶粒。

8、根据一些实施例,金属加工晶粒的方向可以通过滚压工艺形成。

9、根据本公开的一些实施例,因为集流体和基体接线片在表面接触的状态下彼此焊接,所以可以确保宽且均匀的熔化区域以提高焊接性。因此,可以通过用宽电流路径发热来确保均匀的电极板反应性。

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【技术保护点】

1.一种二次电池,包括:

2.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述第一基体接线片和所述第二基体接线片在一个方向上弯曲以分别与所述一对集流体表面接触。

3.根据权利要求2所述的二次电池,其中所述第一基体接线片和所述第二基体接线片分别通过所述激光焊接焊接到所述一对集流体的后表面上的背面焊道。

4.根据权利要求3所述的二次电池,其中所述背面焊道分别朝向所述第一基体接线片和所述第二基体接线片凸出。

5.根据权利要求1~4中任意一项所述的二次电池,其中所述激光焊接的激光输出范围在550W~630W的范围内。

6.根据权利要求1所述的二次电池,其中,当所述一对集流体分别与所述第一基体接线片和所述第二基体接线片焊接时,进行所述激光焊接的方向平行于所述第一基体接线片和所述第二基体接线片中的每个的金属加工晶粒。

7.根据权利要求6所述的二次电池,其中所述金属加工晶粒的方向通过滚压工艺形成。

【技术特征摘要】

1.一种二次电池,包括:

2.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述第一基体接线片和所述第二基体接线片在一个方向上弯曲以分别与所述一对集流体表面接触。

3.根据权利要求2所述的二次电池,其中所述第一基体接线片和所述第二基体接线片分别通过所述激光焊接焊接到所述一对集流体的后表面上的背面焊道。

4.根据权利要求3所述的二次电池,其中所述背面焊道分别朝向所述第一基体接线片和所述第二基体接线片凸出...

【专利技术属性】
技术研发人员:金重宪曺彰焄李旭洙
申请(专利权)人:三星SDI株式会社
类型:发明
国别省市:

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