多层陶瓷电子器件制造技术

一种多层陶瓷电子器件，具有通过层叠多个电介质片所形成的介电体。两类内导体借助电介质片交替设置在介电体内。每个内导体形成有跨越介电体的三个侧表面而引出的引线部分。两个端电极设置在介电体外表面。每个端电极设置在介电体外表面，跨越介电体的三个侧表面，分别与两类内导体连接，并且与另一类内导体绝缘。这种多层电子器件可以极大地降低ＥＳＬ。这种多层电子器件例如用做去耦电容器。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
专利
本专利技术涉及极大地降低了等效串联电感(ESL)的多层陶瓷电子器件，更具体地讲涉及适于用做去耦电容器的多层陶瓷电容器的多层陶瓷电子器件。已有技术近年来，在降低用于向大规模集成电路(LSI)及其它集成电路提供电力的电源电压方面已有进展，但同时负载电流增大。因此，当面对负载电流的急剧变化时，把电源电压的波动保持在允许公差之内变得极为困难。所以，如图8所示，例如称为“去耦电容器”的两端子结构多层陶瓷电容器100与电源102连接。在负载电流瞬间波动的时刻，从该多层陶瓷电容器100向中央处理单元(CPU)等的LSI 104提供电流，以便抑制电源电压的波动。但是，随着目前CPU的工作频率日益提高，负载电流的波动变得更快和更大。如图8所示，多层陶瓷电容器100本身的ESL现在对电源电压的波动具有极大的影响。亦即，在传统的多层陶瓷电容器100中，由于ESL较高，电源电压V的波动容易增大，其方式与上述随着图9所示的负载电流i的波动相同。这是因为在负载电流的转变时刻电压的波动近似为如下公式1，因此ESL的电平与电源电压的波动幅度相关。而且，根据公式1，可以说ESL的降低与电源电压的稳定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层陶瓷电子器件，包括：层叠多个电介质片所形成的介电体；设置在所述介电体内的两类内导体，层夹在所述电介质片之间，形成有跨越所述介电体的三个侧表面而引出的引线部分，介入不同层之间；设置在所述介电体外表面的两个端电极，跨越所述介 电体的三个侧表面，与两类内导体之一连接，与另一类内导体绝缘。

【技术特征摘要】
JP 2001-8-3 236807/011.一种多层陶瓷电子器件，包括层叠多个电介质片所形成的介电体；设置在所述介电体内的两类内导体，层夹在所述电介质片之间，形成有跨越所述介电体的三个侧表面而引出的引线部分，介入不同层之间；设置在所述介电体外表面的两个端电极，跨越所述介电体的三个侧表面，与两类内导体之一连接，与另一类内导体绝缘。2.根据权利要求1的多层陶瓷电子器件，其中，引出到介电体侧表面的两类内导体的引线部分的设置，跨越介电体的三个侧表面，在所述电介质片的层叠方向伸出时，其位置相互不搭接。3.根据权利要求2的多层陶瓷电子器件，其中，所述介电体形成为长方体的形状。4.根据权利要求1的多层陶瓷电子器件，其中，每个所述内导体具有内导体主体部分，主体部分具有与所述电介质片外形状匹配的形状，并且与所述电介质片的边缘分离，和引线部分，引线部分在同一平面上与所述内导体主体部分形成为一体...

【专利技术属性】
技术研发人员：富正明，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]