叠层陶瓷电容器制造技术

本发明专利技术提供一种叠层陶瓷电容器（１），包括内部电极层（３）、厚度小于２μｍ的层间电介质层（２）和外侧电介质层（２０），其特征在于，所述层间电介质层（２）及外侧电介质层（２０）包含多个电介质粒子（２ａ、２０ａ），在所述层间电介质层（２）中包含的电介质粒子（２ａ）的平均粒径为Ｄ５０ａ，所述外侧电介质层（２０）中所包含的并存在于从配置在最外侧的内部电极层（３ａ）沿厚度方向离开５μｍ以上的位置的电介质粒子（２０ａ）的平均粒径为Ｄ５０ｂ时，该Ｄ５０ａ与Ｄ５０ｂ之比（Ｄ５０ａ／Ｄ５０ｂ）为ｙ１，所述层间电介质层（２）的厚度为ｘ的场合，所述ｙ１与ｘ满足ｙ１≤－０．７５ｘ＋２．２７５、且ｙ１≥－０．７５ｘ＋１．６７５的关系。根据本发明专利技术，可以提供一种叠层陶瓷电容器（１），即使将层间电介质层（２）薄层化时，也可以期待在保持各种电特性，特别是充分的介电常数的同时，提高ＴＣ偏压特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种叠层陶瓷电容器。
技术介绍
近年来，为了实现叠层陶瓷电容器的小型化、大容量化，并降低价格、提高可靠性，把配置在对峙的内部电极层之间的层间电介质层做得越来越薄。具体而言，是将层间电介质层的每一层的烧结厚度减薄至1μm左右。每一层的层间电介质层的厚度越薄，电容器元件主体(芯片烧结体)中内部电极层所占的体积比例就越大。另外，以往为了抑制因烧结所造成的中断和抑制对Ni等贱金属导电材料的烧结，在用于形成内部电极层的内部电极层用浆料中添加用于添加的电介质原料(参照专利文献1特开平5-62855号公报、专利文献2特开2000-277369号公报、专利文献3特开2001-307939号公报、专利文献4特开2003-77761号公报、专利文献5特开2003-100544号公报)。添加在内部电极层用浆料中的添加用电介质原料，在烧结前的电容器元件主体的烧结过程中向层间电介质层扩散。因此，添加在内部电极层用浆料中的添加用电介质原料越多，在烧结过程中，向层间电介质层扩散的比例就越大。即，随着近年来层间电介质层向薄层化和多层化发展，在烧结前电容器元件主体中内部电极层用浆料图案所占的体积比例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层陶瓷电容器，包括内部电极层、厚度小于２μｍ的层间电介质层和外侧电介质层，其特征在于，所述层间电介质层及外侧电介质层包含多个电介质粒子，在所述层间电介质层中包含的电介质粒子的平均粒径为Ｄ５０ａ，所述外侧电介质层中所包含 的并存在于从配置在最外侧的内部电极层沿厚度方向离开５μｍ以上的位置的电介质粒子的平均粒径为Ｄ５０ｂ时，该Ｄ５０ａ与Ｄ５０ｂ之比（Ｄ５０ａ／Ｄ５０ｂ）为ｙ１，所述层间电介质层的厚度为ｘ的场合，所述ｙ１与ｘ满足ｙ１≤－０．７５ｘ ＋２．２７５、且ｙ１≥－０．７５ｘ＋１．６７５的关系。

【技术特征摘要】
JP 2004-1-30 24231/041.一种叠层陶瓷电容器，包括内部电极层、厚度小于2μm的层间电介质层和外侧电介质层，其特征在于，所述层间电介质层及外侧电介质层包含多个电介质粒子，在所述层间电介质层中包含的电介质粒子的平均粒径为D50a，所述外侧电介质层中所包含的并存在于从配置在最外侧的内部电极层沿厚度方向离开5μm以上的位置的电介质粒子的平均粒径为D50b时，该D50a与D50b之比(D50a/D50b)为y1，所述层间电介质层的厚度为x的场合，所述y1与x满足y1≤-0.75x+2.275、且y1≥-0.75x+1.675的关系。2.一种叠层陶瓷电容器，包括内部电极层、厚度小于2μm的层间电介质层和外侧电介质层，其特征在于，所述层间电介质层包含多个电介质粒子，在所述层间电介质层中包含的电介质粒子的平均粒径为D50a时，具有该D50a的2.25倍以上的平均粒径的电介质粒子(粗粒子)在所述电介质粒子中所占的比率为y2，所述层间电介质层的厚度为x的场合，所述y2与x满足y2≤-25x+37.5、且y2≥-2.75x+4.125的关系。3.一种层叠陶瓷电容器，包括内部电极层、厚度小于2μm的层间电介质层和外侧电介...

【专利技术属性】
技术研发人员：日比贵子，野口和则，宫内真理，佐藤阳，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]