陶瓷电子部件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种陶瓷电子部件，是具有电介质层的陶瓷电子部件，所述电介质层含有包含（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ↓［３］系材料的主成分、以及包含Ｓｉ氧化物的副成分，相对于电介质层总体，所述Ｓｉ氧化物的含量为０～０．４重量％（其中，不含０），优选所述电介质层具有偏析层，所述偏析层含有Ｓｉ氧化物，且实质上不含有Ｌｉ氧化物。根据本发明专利技术，能够提供一种ＩＲ不良率（初始绝缘电阻不良率）低，高温负荷寿命好、可靠性高的陶瓷电容器等的陶瓷电子部件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如叠层陶瓷电容器等，尤其涉及IR不良率(初始绝缘电阻不良率)低、高温负荷寿命好、具有高可靠性的。
技术介绍
叠层型陶瓷电容器作为小型、大容量、高可靠性的电子部件得到了广泛应用，在电气设备和电子设备中使用的数量也位居多数。近年来，伴随着设备的小型化和高性能化，对叠层型陶瓷电容器更加小型化、大容量化、低价格化、高可靠性化的要求越来越严格了。通常，通过薄片法或印刷法等层叠内部电极的糊料和电介质的浆料(糊料)、经烧结来制造叠层型陶瓷电容器。一般，虽然这些内部电极以往使用Pd或Pb合金，但是由于Pd昂贵，因此也逐渐使用比较便宜的Ni或Ni合金。但是，由Ni或Ni合金形成内部电极的情况下，在大气中进行烧结会出现电极氧化的问题。为此，通常，脱粘合剂之后，通过在比Ni和NiO的平衡氧分压低的氧分压下烧结，然后热处理，由此使电介质层再氧化。但是，在还原性气氛中烧结时，电介质层被还原，出现了绝缘电阻(IR)变小这样的问题。因此，提出了在还原性气氛中烧结也不会被还原的耐还原性电介质材料(例如特开平9-97734号公报、特开平10-74666号公报、特开2001-6966号公报)。在特开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷电子部件，它是具有电介质层的陶瓷电子部件，其特征在于，所述电介质层含有包含（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ↓［３］系材料的主成份和包含Ｓｉ氧化物的副成份，相对于电介质层总体，所述Ｓｉ氧化物的含量为０～０．４重量％，其中，不含０ 。

【技术特征摘要】
JP 2004-6-18 180978/041.一种陶瓷电子部件，它是具有电介质层的陶瓷电子部件，其特征在于，所述电介质层含有包含(Ba，Ca)(Ti，Zr)O3系材料的主成份和包含Si氧化物的副成份，相对于电介质层总体，所述Si氧化物的含量为0～0.4重量％，其中，不含0。2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中所述电介质层具有偏析层，所述偏析层含有Si氧化物，而且，实质上不含Li氧化物。3.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，由所述电介质层中的SiO2分布的检测强度的标准偏差σ和平均检测强度x，通过下式(1)计算出的SiO2分布的C.V.值在250以下，C.V.值＝(检测强度的标准偏差σ/平均检测强度x)×100.....(1)。4.根据权利要求2所述的陶瓷电子部件，前述电介质层中存在的偏析层的最大直径为前述电介质层厚度的1/2以下。5.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，前述(Ba，Ca)(Ti，Zr)O3系材料是由组成式{{Ba(1-x)Cax}O}A{Ti(1-y-z)ZryMgZ}BO2(其中，A、B、x、y、z中，0.995≤A/B≤1.020，0.0001≤x≤0.07，0.1≤y≤0.3，0.0005≤z≤0.01)表示的...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊东和重，岩永大介，佐藤阳，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]