固体电解电容器的制备方法技术

一种根据本发明专利技术的固体电解电容器的制备方法包括：一个步骤，将在其上形成了介电膜层的阳极体浸渍于一种溶液中，所述的溶液包括０．７至１０重量％的过氧化氢、０．３至３重量％的硫酸和作为主要溶剂的水，接着，在取出来之后，暴露于吡咯或吡咯衍生物的蒸气中，由此在介电膜层上形成聚吡咯或聚吡咯衍生物的第一导电聚合物层；和一个步骤，将在其上形成了介电膜层和第一导电聚合物层的阳极体浸渍于一种包括可聚合的单体和支持电解质的溶液中，以电解聚合所述可聚合的单体，由此在第一电导聚合物层上形成第二导电聚合物层。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种固体电解电容器，其采用铌或主要由铌制成的合金作为阳极材料和导电聚合物作为阴极材料。
技术介绍
对于电解电容器的阳极体，更多使用表面粗糙化的铝箔片的缠绕体(wound body)，单层或多层的表面粗糙化的铝薄板体、钽粉末的多孔烧结体等。对于阳极体的材料，铌也引起了关注。铌，类似于钽，属于周期表中的第5A族，是一种物理性质接近于钽的金属，并且具有各种优点，如与钽相比，比重更轻，储量更丰富，每公斤的价格更便宜等。因而，对于利用铌作为阳极材料，进行了各种努力。但是，在利用铌作为阳极材料的电解电容器中，存在许多问题泄漏电流可能增加，降低泄漏电流的老化处理(一种通过下面的方法使介电膜的缺陷部分绝缘的操作根据电容器的极性，长时间施加直流电电压)难以证明所需要的效果，静电电容值可能根据直流电偏压而波动等。通过简单地采用在钽阳极体中所使用的技术，不能克服这些问题。据本专利技术人所知，迄今为止铌阳极体还没有商业化。另一方面，对于电解电容器的阴极材料，已经经常使用固体电解质如导电的氧化物如二氧化锰等和有机半导体如TCNQ复合物等来代替常规电解质溶液。此外，最近，也已经将导电聚合物如聚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备固体电解电容器的方法，在制备固体电解电容器的方法中，其中在由铌或主要由铌制成的合金所制成的阳极体的表面上，相继形成介电膜层、第一导电聚合物层和第二导电聚合物层，该方法包含：在介电膜层上形成由聚吡咯或聚吡咯衍生物制成的第一导电 聚合物层的步骤，该步骤包括：将在其上形成了介电膜层的阳极体浸渍于一种溶液中，所述的溶液包括０．７至１０重量％的过氧化氢、０．３至３重量％的硫酸和作为主要溶剂的水，接着，在取出来之后，暴露于吡咯或吡咯衍生物的蒸气中；和在第一导电聚合物 层上形成第二导电聚合物层的步骤，该步骤包括：将在其上形成了介电膜层和第一导电聚合物层的阳极体浸渍于一种溶...

【技术特征摘要】
JP 2001-8-20 249210/20011.一种制备固体电解电容器的方法，在制备固体电解电容器的方法中，其中在由铌或主要由铌制成的合金所制成的阳极体的表面上，相继形成介电膜层、第一导电聚合物层和第二导电聚合物层，该方法包含在介电膜层上形成由聚吡咯或聚吡咯衍生物制成的第一导电聚合物层的步骤，该步骤包括将在其上形成了介电膜层的阳极体浸渍于一种溶液中，所述的溶液包括0.7至10重量％的过氧化氢、0.3至3重量％的硫酸和作为主要溶剂的水，接着，在取出来之后，暴露于吡咯或吡咯衍生物的蒸气中；和在第一导电聚合物层上形成第二导电聚合物层的步骤，该步骤包括将在其上形成了介电膜层和第一导电聚合物层的阳极体浸渍于一种溶液中，所述的溶液包括可聚合的单体和支持电解质，接着，给该溶液通电，以电解聚合所述可聚合的单体。2.根据要求1所述的制备固体电解电容器的方法，其中将在其上...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹谷丰，狭场善昭，坂牧亮，伊藤忠仁，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，太阳电子工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]