纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料制造技术

本发明专利技术公开了属于电容器材料制备技术范围的一种纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料。由在配方中所占摩尔分数为９０～９８ｍｏｌ％主料钛酸钡ＢａＴｉＯ↓［３］和占材料总量的２～１０ｍｏｌ％的纳米掺杂剂组成陶瓷材料。在还原气氛中，于９５０℃～１２５０℃的温度范围内进行“两段式”烧结或常规烧结，可获得性能优异的Ｘ７Ｒ／Ｘ５Ｒ型ＭＬＣＣ材料，材料的室温介电常数（圆片样品）可以控制在２０００～２６００，容温变化率≤±１５％，室温介电损耗≤１．５％，陶瓷的晶粒大小可以控制在１００～２００ｎｍ，均匀性好，适用于生产大容量、介电层厚度小于３μｍ的超薄介电层的多层陶瓷电容器，并且绝缘电阻率高，性能稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子陶瓷电容器材料
，特别涉及一种纳米掺杂制备贱金 属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料。尤其涉及制造以贱金属(例如镍)做内 电极的超细晶、温度稳定型贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料。
技术介绍
随着电子设备与产品小型化、大容量的发展趋势，表面贴装技术的运用越来 越广。用于表面贴装的电子元器件为片式元器件。多层陶瓷电容器是片式元件中应用最广泛的一类。多层陶瓷电容器(Multilayer Ceramic Capacitors)简称 MLCC。它采用流延-共烧工艺制备，将介质材料与电极材料交叠形成一个整体。 MLCC具有体积小、内部电感低、绝缘电阻高及漏电流小、介质损耗低、价廉等优 点，被广泛应用于各种电子整机中的振荡、耦合、滤波和旁路电路，尤其是高频 电路。根据国际电子工业协会EIA (Electronic Industries Association)标准， X7R温度稳定型MLCC是指以25C的电容值为基准，在温度从-55。C到+125。C的范 围之内，容温变化率(TCC) S ±15%，介电损耗(DF) S 2.5%; X5R温度稳定型 MLCC是指以2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料，其特征在于：该电容器介质材料是在主料钛酸钡中掺入纳米掺杂剂组成；所述主料钛酸钡ＢａＴｉＯ↓［３］在配方中所占摩尔分数为９０～９８ｍｏｌ％；所述纳米掺杂剂的用量占材料总量的２～１０ｍｏｌ％。

【技术特征摘要】
1.一种纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料，其特征在于该电容器介质材料是在主料钛酸钡中掺入纳米掺杂剂组成；所述主料钛酸钡BaTiO3在配方中所占摩尔分数为90～98mol％；所述纳米掺杂剂的用量占材料总量的2～10mol％。2. 根据权利要求1所述纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料，其特征在于所述纳米掺杂剂为下列成分的氧化物复合组成 w A+ x B+ y C+ z D其中A为CaTi03， CaO， BaO， SrO， MgO中的一种以上； B为Mn02， Co203， Co304， Fe203， 丫203中的一种以上； C为Si。2， B203， Li20中的一种以上;D为稀土Re氧化物，Re为La、 Ce、 Pr、 Nd、 Sm、 Eu、 Gd、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb、 Lu中的一种以上；w、 x、 y、 z是各类氧化物相对于BaTi03的摩尔分数，其中w: 0. 01 2mol%， x: 0.01 3mol%， y: 0. l 6mol%， z: 0 4mol%。3. 根据权利要求1所述纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质 材料，其特征在于所述主料钛酸钡的粒度小于200nm。4. 一种纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料的方法，以 钛酸钡为主料，加入上述w A+ x B+ y C+ z D成分的氧化物复合成纳米惨杂剂，其特征在于所述纳米掺杂剂用水基溶胶-凝胶法制备① 将上述w A+ x B+ y C+ z D中的金属元素的硝酸盐或醋酸盐之可溶性盐 按摩尔比称重混合，溶解于去离子水中，再按重量比加入盐总重聚乙二醇=0. l 3，持续搅拌，溶解后得澄清溶液；② 按体积比，将硅的醇盐无水乙醇醋酸去离子水二l: 1 15: 1 8: 5 40，混合均匀，得到澄清稳定的溶液；③ 将步骤①中的溶液过滤后，按体积比0.5 20: 1缓慢倒入步骤②的溶液 中，持续搅拌，得到澄清的前驱体溶液； ④ 将步骤③得到的溶胶于8(TC 16(TC千燥6h 48h，得到干凝胶；⑤ 将干凝胶于40(rC 100(TC在空气中预烧...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓慧，田之滨，王天，李龙土，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]