10纳米级间隔的电极的制备方法技术

一种１０纳米级间隔的电极的制备方法，其特征在于制备的方法为：　　　　（１）先用电子束曝光法制备金属电极，将上述制备的金属电极表面去除有机物，此电极的间隔为５０－３００纳米；　　　　（２）将５～５０纳米的金颗粒制成金颗粒悬浮液；　　　　（３）将步骤（２）制备的悬浮液用水稀释到颗粒浓度为１０↑［１２］～１０↑［１４］个／立方厘米，取出稀释后的悬浮液，滴在步骤（１）制备的金属电极表面；在该电极两端施加一个交流电压，然后用不活泼气体将表面吹干；　　　　（４）将步骤（３）处理得到的电极低温退火处理。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种纳米器件的加工方法，特别涉及10纳米级器件的制备方法
技术介绍
随着半导体工业和大规模集成电路的发展，单位面积可以容纳的器件数达到109个每平方厘米，单个半导体器件的尺寸越做越小，到2002年已经可以做到线宽0.2微米。整个半导体工业的发展已经进入亚微米时代，正在向纳米时代迈进。随着纳米器件，特别是分子器件研究的不断深入，人们需要一种良好且稳定的方式可以连接纳米器件的两端，俗称纳米电极。一种间隔10纳米甚至更小，性质稳定的纳米电极对于人们探索和研究纳米世界是必不可少的。美国《应用物理快报》(Appl.Phys.Lett.2002 80 865)介绍利用电子束曝光法制备10纳米间隔的电极的方法，用电子束将衬底上的光刻胶曝光，刻蚀出模版，再将所需要的金属沉积在模版上。通过精确的控制电子束照射到光刻胶上的能量和模版上光刻胶的显影时间，可以得到电极间隔10纳米的电极。这种方法对工艺的要求非常严格，对电子束能量和光刻胶的显影时间都有严格的要求，工艺的难度大，制备纳米电极的成本高。美国《科学》(SCIENCE.1997 278 252)提供了另一种制备纳米电极的方法，将一根金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种10纳米级间隔的电极的制备方法，其特征在于制备的方法为(1)先用电子束曝光法制备金属电极，将上述制备的金属电极表面去除有机物，此电极的间隔为50-300纳米；(2)将5～50纳米的金颗粒制成金颗粒悬浮液；(3)将步骤(2)制备的悬浮液用水稀释到颗粒浓度为1012～1014个/立方厘米，取出稀释后的悬浮液，滴在步骤(1)制备的金属电极表面；在该电极两端施加一个交流电压，然后用不活泼气体将表面吹干；(4)将步骤(3)处理得到的电极低温退火处理；2.根据权利要求1所述的10纳米级间隔的电极的制备方法，其特征在于金颗粒悬浮液的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：张琨，王振兴，王晓平，侯建国，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：