【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种变压器，特别是一种多晶硅还原炉用变压器。技术背景目前工业生产中的还原炉用变压器结构是，三相变压器， 一次侧和二 次侧均采用三角形或星形连接，通过改变一次侧线圈匝数来满足二次侧输 出电压的变化，这种结构不能适应多晶硅还原炉用变压器对漏抗的需要。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种可满足多晶硅还原炉变压器的漏抗需要 的多晶硅还原炉用变压器。本技术的技术方案是， 一种多晶硅还原炉 用变压器，包括一次绕组和二次绕组，其特征在于二次绕组中有三个以 上的抽头。本技术与现有技术比较能满足变压器各档对漏抗的不同需 求的优点。附图说明-图1是本技术的主视图，图2是图1的俯视图。具体实施方式结合以上附图对本技术作详细说明，本技术和现有的抽头变 压器的结构在铁芯3，油箱5，变压器油4相同，只是一次绕组2的三相绕组均不抽头，对二次绕组1的A、 B、 C三相线圈按还原炉在还原过程中对 电压的要求设置多个抽头，本技术二次绕组抽头数为每相4个，二次 绕组抽头在壳体外装有套管7，套管6内有一次绕组接线。本技术由 于在二次绕组侧抽头变压，因而可以实现变压器各档对漏抗的不同需求。
【技术保护点】
一种多晶硅还原炉用变压器，包括一次绕组和二次绕组，其特征在于：二次绕组中有三个以上的抽头。
【技术特征摘要】
1、一种多晶硅还原炉用变压器，包括一次绕组和二...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑龙，王艳芬，陈继荣，马清丽，
申请(专利权)人：郑龙，
类型：实用新型
国别省市：41[中国|河南]
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