具有地址转换电路的半导体存储器件制造技术

一种半导体存储器件，将故障地址转换为非故障地址，以便保证对非故障地址区进行连续存取。存储单元阵列包括多个存储单元区。地址译码器选择存储单元区之一。地址转换电路把故障区地址转换为非故障区地址，并将转换区的地址提供给地址译码器。由此可实现对非故区的连续存取。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，特别涉及预先确定故障区地址和避免使用故障区地址的存储器。随着半导体存储器容量的增大，生产成品率下降。因此，已提出了一种力求避免使用故障地址的存储器。日本特开平8-102529公开了这样一种半导体存储器，该专利申请对应于美国专利5596542。附附图说明图1展示了现有技术的该第一实例单元阵列的布局图。DRAM采用包括主字线和子字线的双字线结构。所以，选择字线时要根据主字线译码器列401和子字线译码器列402中的X(低)地址。图2展示了该第一现有技术的主字线译码器的电路图。在该主字线译码器中，熔丝501的一端与N沟道MOS晶体管M3和反相器INV24的输入相连。熔丝501的另一端与电源端Vcc相连。反相器INV24的输出输入到NMOS晶体管M3的栅极、AND电路的一个输入和NMOS晶体管M1的栅极。NMOS晶体管M1和M2控制预充电的轮换呼叫信号RCX的电位。用于将块选信号BSL反相的反相器INV21的输出连接到AND电路的其它输入。地址信号X4TX5Tn和X2TX3Tn输入到NAND电路。NAND电路的输出与块选信号BSL的反相信号一起输入到第一NO本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体存储器件，包括：分成多个区的存储单元阵列；选择多个区的地址译码器；及地址转换电路，用于用非故障区地址替换故障区地址，并将转换区地址提供给地址译码器。

【技术特征摘要】
JP 1997-11-12 310800/971．半导体存储器件，包括分成多个区的存储单元阵列；选择多个区的地址译码器；及地址转换电路，用于用非故障区地址替换故障区地址，并将转换区地址提供给地址译码器。2．根据权利要求1的半导体存储器件，其特征在于，所述地址转换电路转换地址，以便对非故障区进行连续存取。3．根据权利要求1的半导体存储器件，其特征在于，替换故障区地址的非故障区地址具有所说多个区中的最高值。4．根据权利要求2的半导体存储器件，其特征在于，在转换前非故障区地址为多个区中的最高地址。5．根据权利要求1的半导体存储器件，其特征在于，多个区为多个簇，故障区为故障簇，故障区地址为故障簇地址，非故障区地址为非故障簇地址。6．根据权利要求1的半导体存储器件，还包括故障区地址检测器，用于检测一个地址，该地址选择所说多个区中的故障区。7．根据权利要求1的半导体存储器件，还包括设定地址转换电路的设定电路；其中地址转换电路通过根据所说设定电路选择每个地址位的反相输出或非反相输出来转换地址。8．根据权利要求7...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉林直彦，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]